发明公开
CN101681109A 图案化光酸蚀刻以及由其制得的制品
失效 - 权利终止
- 专利标题： 图案化光酸蚀刻以及由其制得的制品
- 专利标题（英）： Patterned photoacid etching and articles therefrom
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申请号： CN200880018454.4申请日： 2008-05-20
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公开(公告)号： CN101681109A公开(公告)日： 2010-03-24
- 发明人: 韦恩·S·马奥尼 , 史蒂文·D·泰斯
- 申请人： 3M创新有限公司
- 申请人地址： 美国明尼苏达州
- 专利权人： 3M创新有限公司
- 当前专利权人： 3M创新有限公司
- 当前专利权人地址： 美国明尼苏达州
- 代理机构： 中原信达知识产权代理有限责任公司
- 代理商 郇春艳; 樊卫民
- 优先权： 11/756,866 2007.06.01 US
- 国际申请： PCT/US2008/064193 2008.05.20
- 国际公布： WO2008/150691 EN 2008.12.11
- 进入国家日期： 2009-12-01
- 主分类号： G03F7/038
- IPC分类号： G03F7/038 ; H01L21/02
摘要：
本发明提供了一种制品，所述制品包括基底，所述基底包括可酸蚀刻层、水溶性聚合物基质和光酸产生剂。本发明还提供了一种图案化的方法，所述方法可提供可用于形成电活性器件的图案化层。
公开/授权文献
- CN101681109B 图案化光酸蚀刻以及由其制得的制品 公开/授权日：2013-07-17
IPC分类:
