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公开(公告)号：CN104704069A
公开(公告)日：2015-06-10
申请号：CN201380038444.8
申请日：2013-06-17
申请人： 3M创新有限公司
发明人： 李海承 , 巴布·N·加德丹 , 罗伯特·A·阿斯穆斯 , 史蒂文·D·泰斯
IPC分类号： C09D153/02 , C09D109/06 , C08K5/315 , A61F13/02 , A61L24/00 , A61L26/00 , C09D151/04 , C08F279/02 , C08F299/00 , C08G81/02
CPC分类号： C09D123/283 , C08G81/024 , C09D109/06 , A61L24/06 , A61L26/0014 , C09D153/02 , C08L35/04
摘要： 本发明描述了一种硅氧烷官能异丁烯共聚物及其用途。所述共聚物具有下式：其中a为至少20，并且b和c中的至少一者为至少一，X为氧或氮；R1为共价键或二价(杂)烃基基团；Sil为聚二烷基硅氧烷；并且x为1或2。
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公开(公告)号：CN1906626B
公开(公告)日：2010-12-08
申请号：CN200480040591.X
申请日：2004-11-01
申请人： 3M创新有限公司
CPC分类号： G06K19/0713 , G06K19/0723 , H02M7/06 , H02M7/217
摘要： 通过部分整流交流(ac)波形供电的逻辑电路。该波形被部分地整流，意味着它不提供完全的、主要是dc的电源信号。代替，可以用包括实质ac分量的波形供电该逻辑电路。该部分整流的ac波形可以被施加到引入薄膜晶体管的逻辑电路，该薄膜晶体管基于非晶或多晶有机半导体、无机半导体或两者的结合。
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公开(公告)号：CN101681109A
公开(公告)日：2010-03-24
申请号：CN200880018454.4
申请日：2008-05-20
申请人： 3M创新有限公司
CPC分类号： G03F7/0041 , G03F7/0045 , H01L31/1888 , Y02E10/50 , Y10S430/106 , Y10S430/11 , Y10S430/111 , Y10S430/115 , Y10S430/122 , Y10S430/126
摘要： 本发明提供了一种制品，所述制品包括基底，所述基底包括可酸蚀刻层、水溶性聚合物基质和光酸产生剂。本发明还提供了一种图案化的方法，所述方法可提供可用于形成电活性器件的图案化层。
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公开(公告)号：CN101405751A
公开(公告)日：2009-04-08
申请号：CN200780009331.X
申请日：2007-02-22
申请人： 3M创新有限公司
IPC分类号： G06K19/07 , G06K19/077
CPC分类号： G06K19/0723
摘要： 基于RFID的传感器包括多个分立的传感器元件。每个传感器元件会根据所述传感器对物理状况的暴露情况来改变传导性状态。连接到所述多个传感器元件的RFID电路会传输对应于所述传感器元件的传导性状态的所述代码。所述代码可包含所述RFID电路的识别码。所述代码可表示暴露于所述状况下的程度或暴露于所述状况下的持续时间。所述传感器元件中的每一个可对不同的状况敏感，并且所述代码可表示暴露于所述不同状况下的每一种状况。所述代码可表示先前暴露于所述状况下，或表示当前暴露于所述状况下。
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公开(公告)号：CN103260814A
公开(公告)日：2013-08-21
申请号：CN201180061096.7
申请日：2011-12-29
申请人： 3M创新有限公司
发明人： 吴平凡 , 摩西·M·戴维 , 布鲁斯·E·泰特 , 舍恩·A·舒克内希特 , 史蒂文·D·泰斯 , 查尔斯·J·斯图丁纳四世 , 多诺万·C·C·小卡格
CPC分类号： B23K26/0846 , B23K26/0838 , B23K26/38 , B23K26/40 , B23K2101/16 , B23K2103/172 , B23K2103/42 , B23K2103/50
摘要： 本发明申请涉及一种用于在激光辐射切割过程中支撑片状材料的设备（52），其包括具有金面层的支撑构件（42）。还限定了使用此类设备切割片状材料的方法。
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公开(公告)号：CN101681109B
公开(公告)日：2013-07-17
申请号：CN200880018454.4
申请日：2008-05-20
申请人： 3M创新有限公司
CPC分类号： G03F7/0041 , G03F7/0045 , H01L31/1888 , Y02E10/50 , Y10S430/106 , Y10S430/11 , Y10S430/111 , Y10S430/115 , Y10S430/122 , Y10S430/126
摘要： 本发明提供了一种制品，所述制品包括基底，所述基底包括可酸蚀刻层、水溶性聚合物基质和光酸产生剂。本发明还提供了一种图案化的方法，所述方法可提供可用于形成电活性器件的图案化层。
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公开(公告)号：CN102301431A
公开(公告)日：2011-12-28
申请号：CN200980155675.0
申请日：2009-12-03
申请人： 3M创新有限公司
CPC分类号： H01L21/76802 , H01L27/1214 , H01L27/124 , H01L2224/24137 , H05K3/4092 , Y10T29/49002 , Y10T29/49124 , Y10T29/49147 , Y10T428/12396
摘要： 本发明描述了一种形成电连接第一薄膜金属化层与第二薄膜金属化层的电路通路的方法。通路的形成涉及在阳极化处理第一金属化层之前，使用布置在通路连接区域中的阳极化阻挡层和/或补充垫。用来形成所述阻挡层的材料在阳极化过程中基本上不能渗透阳极化溶液，并干扰在所述导电层与所述阻挡层之间形成氧化物。补充垫不可阳极化，并被所述阻挡层覆盖，以基本上防止电流在阳极化过程经过所述垫。阳极化处理之后移除所述阻挡层。如果所述补充垫充分导电，则其能够在移除所述阻挡层之后留在所述第一金属化层上。将所述第二金属化层布置在所述阳极化层之上，使所述第二金属化层在所述通路连接区域与所述第一导电层电接触。
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公开(公告)号：CN1906626A
公开(公告)日：2007-01-31
申请号：CN200480040591.X
申请日：2004-11-01
申请人： 3M创新有限公司
CPC分类号： G06K19/0713 , G06K19/0723 , H02M7/06 , H02M7/217
摘要： 通过部分整流交流(ac)波形供电的逻辑电路。该波形被部分地整流，意味着它不提供完全的、主要是dc的电源信号。代替，可以用包括实质ac分量的波形供电该逻辑电路。该部分整流的ac波形可以被施加到引入薄膜晶体管的逻辑电路，该薄膜晶体管基于非晶或多晶有机半导体、无机半导体或两者的结合。
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公开(公告)号：CN116710272A
公开(公告)日：2023-09-05
申请号：CN202180085776.6
申请日：2021-12-15
申请人： 3M创新有限公司
发明人： 马丁·B·沃尔克 , 罗伯特·L·布劳特 , 凯文·W·戈特里克 , 克里斯托夫·S·里昂 , 凯莱布·T·纳尔逊 , 瓦迪姆·萨瓦蒂夫 , 詹姆斯·M·纳尔逊 , 克雷格·R·沙尔特 , 杰佛瑞·L·所罗门 , 卡尔·K·斯滕斯瓦德 , 史蒂文·D·泰斯
IPC分类号： B32B9/00
摘要： 一种用于在基底上形成图案的结构化膜，包括：聚合物支撑层；粘合剂层；抗蚀层，该抗蚀层设置在该聚合物支撑层与该粘合剂层之间；结构化树脂层，该结构化树脂层设置在该聚合物支撑层与该抗蚀层之间；和一个或多个非结构化层，该一个或多个非结构化层设置在该抗蚀层与该粘合剂层之间。该结构化树脂层具有结构化主表面，该结构化主表面包括多个工程化结构。该抗蚀层至少部分地填充相邻的工程化结构之间的空间以使该结构化主表面基本上平坦化。描述了使用该结构化膜在基底上形成图案的方法。
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公开(公告)号：CN102301431B
公开(公告)日：2014-12-17
申请号：CN200980155675.0
申请日：2009-12-03
申请人： 3M创新有限公司
CPC分类号： H01L21/76802 , H01L27/1214 , H01L27/124 , H01L2224/24137 , H05K3/4092 , Y10T29/49002 , Y10T29/49124 , Y10T29/49147 , Y10T428/12396
摘要： 本文描述了一种形成电连接第一薄膜金属化层与第二薄膜金属化层的电路通路的方法。通路的形成涉及在阳极化处理第一金属化层之前，使用布置在通路连接区域中的阳极化阻挡层和/或补充垫。用来形成所述阻挡层的材料在阳极化过程中基本上不能渗透阳极化溶液，并干扰在所述导电层与所述阻挡层之间形成氧化物。补充垫不可阳极化，并被所述阻挡层覆盖，以基本上防止电流在阳极化过程经过所述垫。阳极化处理之后移除所述阻挡层。如果所述补充垫充分导电，则其能够在移除所述阻挡层之后留在所述第一金属化层上。将所述第二金属化层布置在所述阳极化层之上，使所述第二金属化层在所述通路连接区域与所述第一导电层电接触。
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