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Invention Grant
CN101681836B 等离子体氮化处理中的腔室内的前处理方法、等离子体处理方法、和等离子体处理装置 有权

  • Patent Title: 等离子体氮化处理中的腔室内的前处理方法、等离子体处理方法、和等离子体处理装置
  • Patent Title (English): Method for pretreating inner space of chamber in plasma nitridation, plasma processing method and plasma processing apparatus
  • Application No.: CN200880017976.2
    Application Date: 2008-05-27
  • Publication No.: CN101681836B
    Publication Date: 2011-11-16
  • Inventor: 佐野正树 , 石塚修一
  • Applicant: 东京毅力科创株式会社
  • Applicant Address: 日本东京
  • Assignee: 东京毅力科创株式会社
  • Current Assignee: 东京毅力科创株式会社
  • Current Assignee Address: 日本东京
  • Agency: 北京尚诚知识产权代理有限公司
  • Agent 龙淳
  • Priority: 141423/2007 2007.05.29 JP
  • International Application: PCT/JP2008/059701 2008.05.27
  • International Announcement: WO2008/146805 JA 2008.12.04
  • Date entered country: 2009-11-30
  • Main IPC: H01L21/318
  • IPC: H01L21/318
等离子体氮化处理中的腔室内的前处理方法、等离子体处理方法、和等离子体处理装置
Abstract:
本发明提供等离子体氮化处理中的腔室内的前处理方法、等离子体处理方法、和等离子体处理装置。该等离子体氮化处理中的腔室内的前处理方法，在等离子体氮化处理中进行形成在基板上的氧化膜的氮化处理之前，进行腔室内的前处理。该等离子体氮化处理中的腔室内的前处理方法包括：向腔室内供给含氧的处理气体，进行等离子体化，在腔室内生成氧化等离子体的工序(步骤1)；和向腔室内供给含氮的处理气体，进行等离子体化，在腔室内生成氮化等离子体的工序(步骤2)。
Abstract(English):

Disclosed is a method for pretreating the inner space of a chamber in plasma nitridation, wherein the inner space of a chamber is pretreated before nitriding an oxide film formed on a substrate in a plasma nitridation process. This method for pretreating the inner space of a chamber in plasma nitridation comprises a step (step 1) wherein a process gas containing oxygen is introduced into the chamber and transformed into a plasma for generating an oxidation plasma within the chamber, and a step (step 2) wherein a process gas containing nitrogen is introduced into the chamber and transformed into a plasma for generating a nitriding plasma within the chamber.

Public/Granted literature
IPC分类:
H 电学
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04 ..至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18 ...器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30 ....用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的（在半导体材料上制作电极的入H01L21/28）
H01L21/31 .....在半导体材料上形成绝缘层的，例如用于掩膜的或应用光刻技术的（密封层入H01L21/56）；以及这些层的后处理；这些层的材料的选择
H01L21/314 ......无机层（H01L21/3105，H01L21/32优先）
H01L21/318 .......由氮化物组成的无机层
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