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公开(公告)号：CN108074976A
公开(公告)日：2018-05-25
申请号：CN201711112450.X
申请日：2017-11-13
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L29/49 , H01L21/285 , H01L23/532 , H01L21/768
Abstract: 本发明提供一种TiN系膜及其形成方法，该TiN系膜即便薄膜化也能够作为阻挡膜保持高阻挡性，或者能够作为栅极金属抑制阈值电压的偏差。TiN系膜(201)由氧含量为50at％以上的TiON膜(202)和TiN膜(203)在基板(200)上交替叠层而成的叠层膜形成。TiON膜(202)和TiN膜(203)通过ALD法成膜。
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公开(公告)号：CN102738059A
公开(公告)日：2012-10-17
申请号：CN201210088844.7
申请日：2012-03-29
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/762 , H01L21/02 , H01L21/318
CPC classification number: H01L21/02247 , C23C8/36 , H01L21/02238 , H01L21/02326 , H01L21/02332 , H01L21/76224
Abstract: 本发明提供一种STI工艺中沿着硅的沟道的内壁面形成对氧的扩散具有阻挡性的数nm左右厚度的薄膜的方法。在等离子体处理装置(100)中，通过从平面天线(31)经由微波透过板(28)放射到处理容器(1)内的微波，在处理容器(1)内形成电磁场，从而分别使Ar气和N2气等离子体化。通过等离子体中的活性种的作用，使晶片(W)的沟道的内壁面极薄地氮化，由此形成致密的内衬SiN膜。
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公开(公告)号：CN101681836B
公开(公告)日：2011-11-16
申请号：CN200880017976.2
申请日：2008-05-27
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/318
CPC classification number: H01L21/3143 , H01J37/32192 , H01J37/32477 , H01J37/32862 , H01L21/02332 , H01L21/28202 , H01L21/3115
Abstract: 本发明提供等离子体氮化处理中的腔室内的前处理方法、等离子体处理方法、和等离子体处理装置。该等离子体氮化处理中的腔室内的前处理方法，在等离子体氮化处理中进行形成在基板上的氧化膜的氮化处理之前，进行腔室内的前处理。该等离子体氮化处理中的腔室内的前处理方法包括：向腔室内供给含氧的处理气体，进行等离子体化，在腔室内生成氧化等离子体的工序(步骤1)；和向腔室内供给含氮的处理气体，进行等离子体化，在腔室内生成氮化等离子体的工序(步骤2)。
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公开(公告)号：CN106971937B
公开(公告)日：2019-09-27
申请号：CN201610847749.9
申请日：2016-09-23
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/02 , C23C16/30 , C23C16/455
Abstract: 本发明的课题在于，提供一种能够成膜平滑性优越的TiON膜的TiON膜的成膜方法。其解决方法在于，在成膜初期阶段中，将重复含Ti气体和氮化气体的交替供给X1次后、供给氧化剂的循环进行Y1循环，在之后的成膜阶段中，将重复含Ti气体和氮化气体的交替供给X2次后、供给氧化剂的循环进行Y2循环直至成为所要求的膜厚。此时，成膜初期阶段的重复数X1和之后的成膜阶段的重复数X2被设定为X1＞X2。
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公开(公告)号：CN106971937A
公开(公告)日：2017-07-21
申请号：CN201610847749.9
申请日：2016-09-23
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/02 , C23C16/30 , C23C16/455
Abstract: 本发明的课题在于，提供一种能够成膜平滑性优越的TiON膜的TiON膜的成膜方法。其解决方法在于，在成膜初期阶段中，将重复含Ti气体和氮化气体的交替供给X1次后、供给氧化剂的循环进行Y1循环，在之后的成膜阶段中，将重复含Ti气体和氮化气体的交替供给X2次后、供给氧化剂的循环进行Y2循环直至成为所要求的膜厚。此时，成膜初期阶段的重复数X1和之后的成膜阶段的重复数X2被设定为X1＞X2。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104073780A
公开(公告)日：2014-10-01
申请号：CN201410118264.7
申请日：2014-03-27
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/455 , H01L21/67 , H01J37/32
CPC classification number: C23C16/4408 , H01J37/3244 , H01J37/32862 , Y10T137/4245
Abstract: 本发明提供一种成膜装置、气体供给装置以及成膜方法，用于降低作为基板的半导体晶圆（W）的微粒污染。在该成膜装置中，依次向真空气氛的处理容器（1）内的晶圆供给相互反应的多种反应气体，来进行成膜处理，在进行了薄膜的形成处理之后，通过使吹扫气体流通而将附着于与反应气体接触的部位的微粒除去。并且，利用用于使反应气体暂时升压之后排向处理容器的升压用的储存容器（61、62），将吹扫气体的压力提高到比反应气体在升压时的压力高，之后供给到处理容器内。因此，在吹扫气体的强流的作用下，在储存容器下游侧的流路内存在的微粒与吹扫气体一起流动而被除去。因此，带入处理容器内的微粒减少，所以能够降低晶圆的微粒污染。
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公开(公告)号：CN108074976B
公开(公告)日：2021-03-05
申请号：CN201711112450.X
申请日：2017-11-13
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L29/49 , H01L21/285 , H01L23/532 , H01L21/768
Abstract: 本发明提供一种TiN系膜及其形成方法，该TiN系膜即便薄膜化也能够作为阻挡膜保持高阻挡性，或者能够作为栅极金属抑制阈值电压的偏差。TiN系膜(201)由氧含量为50at％以上的TiON膜(202)和TiN膜(203)在基板(200)上交替叠层而成的叠层膜形成。TiON膜(202)和TiN膜(203)通过ALD法成膜。
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公开(公告)号：CN106952894B
公开(公告)日：2019-12-24
申请号：CN201611191916.5
申请日：2016-12-21
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L23/64
Abstract: 本发明的课题在于提供一种能够同时达到对于氟酸的耐性高并且对于由氧系气体导致的压力变化小的DRAM电容器的下部电极。其解决方法为，一种在DRAM电容器中设置在电介体膜的下层并且由TiN系材料构成的下部电极204，上述下部电极由具有设置在两个外侧的氧浓度相对低的两层的第一TiON膜241、在它们的内侧各自形成的氧浓度相对高的第二TiON膜242和设置在第二TiON膜242的内侧的成为中心层的TiN膜243的5层的叠层结构而成。
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公开(公告)号：CN104073780B
公开(公告)日：2018-01-09
申请号：CN201410118264.7
申请日：2014-03-27
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/455 , H01L21/67 , H01J37/32
CPC classification number: C23C16/4408 , H01J37/3244 , H01J37/32862 , Y10T137/4245
Abstract: 本发明提供一种成膜装置、气体供给装置以及成膜方法，用于降低作为基板的半导体晶圆（W）的微粒污染。在该成膜装置中，依次向真空气氛的处理容器（1）内的晶圆供给相互反应的多种反应气体，来进行成膜处理，在进行了薄膜的形成处理之后，通过使吹扫气体流通而将附着于与反应气体接触的部位的微粒除去。并且，利用用于使反应气体暂时升压之后排向处理容器的升压用的储存容器（61、62），将吹扫气体的压力提高到比反应气体在升压时的压力高，之后供给到处理容器内。因此，在吹扫气体的强流的作用下，在储存容器下游侧的流路内存在的微粒与吹扫气体一起流动而被除去。因此，带入处理容器内的微粒减少，所以能够降低晶圆的微粒污染。
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公开(公告)号：CN106952894A
公开(公告)日：2017-07-14
申请号：CN201611191916.5
申请日：2016-12-21
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L23/64
Abstract: 本发明的课题在于提供一种能够同时达到对于氟酸的耐性高并且对于由氧系气体导致的压力变化小的DRAM电容器的下部电极。其解决方法为，一种在DRAM电容器中设置在电介体膜的下层并且由TiN系材料构成的下部电极204，上述下部电极由具有设置在两个外侧的氧浓度相对低的两层的第一TiON膜241、在它们的内侧各自形成的氧浓度相对高的第二TiON膜242和设置在第二TiON膜242的内侧的成为中心层的TiN膜243的5层的叠层结构而成。
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