-
公开(公告)号：CN101044626A
公开(公告)日：2007-09-26
申请号：CN200580036152.6
申请日：2005-10-27
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L21/31 , H01L21/8242 , H01L27/08 , H01L21/318
CPC classification number: H01L21/02332 , H01L21/0234 , H01L21/28202 , H01L21/3144 , H01L21/3145 , H01L27/10873
Abstract: 在本发明中，在形成DRAM中的栅极绝缘膜的情况下，对成为栅极绝缘膜的基底的氧化膜实施等离子体氮化处理。通过使用着形成有多个通孔的平板天线的微波等离子体进行等离子体氮化处理。由等离子体氮化处理所形成的栅极绝缘膜中的氮浓度为5～20％原子浓度。随后即使不进行退火处理也可以在DRAM中有效地防止硼穿透现象，并且抑制成为器件驱动能力降低的原因的膜中的阱。
-
公开(公告)号：CN101681836B
公开(公告)日：2011-11-16
申请号：CN200880017976.2
申请日：2008-05-27
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/318
CPC classification number: H01L21/3143 , H01J37/32192 , H01J37/32477 , H01J37/32862 , H01L21/02332 , H01L21/28202 , H01L21/3115
Abstract: 本发明提供等离子体氮化处理中的腔室内的前处理方法、等离子体处理方法、和等离子体处理装置。该等离子体氮化处理中的腔室内的前处理方法，在等离子体氮化处理中进行形成在基板上的氧化膜的氮化处理之前，进行腔室内的前处理。该等离子体氮化处理中的腔室内的前处理方法包括：向腔室内供给含氧的处理气体，进行等离子体化，在腔室内生成氧化等离子体的工序(步骤1)；和向腔室内供给含氮的处理气体，进行等离子体化，在腔室内生成氮化等离子体的工序(步骤2)。
-
公开(公告)号：CN101044626B
公开(公告)日：2012-01-25
申请号：CN200580036152.6
申请日：2005-10-27
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L21/31 , H01L21/8242 , H01L27/08 , H01L21/318
CPC classification number: H01L21/02332 , H01L21/0234 , H01L21/28202 , H01L21/3144 , H01L21/3145 , H01L27/10873
Abstract: 在本发明中，在形成DRAM中的栅极绝缘膜的情况下，对成为栅极绝缘膜的基底的氧化膜实施等离子体氮化处理。通过使用着形成有多个通孔的平板天线的微波等离子体进行等离子体氮化处理。由等离子体氮化处理所形成的栅极绝缘膜中的氮浓度为5～20％原子浓度。随后即使不进行退火处理也可以在DRAM中有效地防止硼穿透现象，并且抑制成为器件驱动能力降低的原因的膜中的阱。
-
公开(公告)号：CN101151721B
公开(公告)日：2011-11-16
申请号：CN200680010595.2
申请日：2006-03-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/316 , H01L29/78
CPC classification number: H01L21/28211 , H01J37/32192 , H01J37/3222 , H01L21/0214 , H01L21/02238 , H01L21/02252 , H01L21/02332 , H01L21/02337 , H01L21/0234 , H01L21/31662
Abstract: 本发明提供一种栅极绝缘膜的制造方法，该栅极绝缘膜的制造方法包括在等离子体处理装置的处理室内、使含氧等离子体作用于被处理体表面的硅以形成硅氧化膜的氧化处理工序，氧化处理工序中的处理温度大于600℃小于等于1000℃，含氧等离子体是通过将至少包含稀有气体和氧气的含氧处理气体导入上述处理室内、并且经由天线将高频或者微波导入该处理室内而形成的含氧处理气体的等离子体。
-
公开(公告)号：CN101151721A
公开(公告)日：2008-03-26
申请号：CN200680010595.2
申请日：2006-03-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/316 , H01L29/78
CPC classification number: H01L21/28211 , H01J37/32192 , H01J37/3222 , H01L21/0214 , H01L21/02238 , H01L21/02252 , H01L21/02332 , H01L21/02337 , H01L21/0234 , H01L21/31662
Abstract: 本发明提供一种栅极绝缘膜的制造方法，该栅极绝缘膜的制造方法包括在等离子体处理装置的处理室内、使含氧等离子体作用于被处理体表面的硅以形成硅氧化膜的氧化处理工序，氧化处理工序中的处理温度大于600℃小于等于1000℃，含氧等离子体是通过将至少包含稀有气体和氧气的含氧处理气体导入上述处理室内、并且经由天线将高频或者微波导入该处理室内而形成的含氧处理气体的等离子体。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101681836A
公开(公告)日：2010-03-24
申请号：CN200880017976.2
申请日：2008-05-27
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/318
CPC classification number: H01L21/3143 , H01J37/32192 , H01J37/32477 , H01J37/32862 , H01L21/02332 , H01L21/28202 , H01L21/3115
Abstract: 本发明提供等离子体氮化处理中的腔室内的前处理方法、等离子体处理方法、和等离子体处理装置。该等离子体氮化处理中的腔室内的前处理方法，在等离子体氮化处理中进行形成在基板上的氧化膜的氮化处理之前，进行腔室内的前处理。该等离子体氮化处理中的腔室内的前处理方法包括：向腔室内供给含氧的处理气体，进行等离子体化，在腔室内生成氧化等离子体的工序(步骤1)；和向腔室内供给含氮的处理气体，进行等离子体化，在腔室内生成氮化等离子体的工序(步骤2)。
-
公开(公告)号：CN100477107C
公开(公告)日：2009-04-08
申请号：CN200580003402.6
申请日：2005-01-27
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/31 , H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/32862 , B08B7/0035
Abstract: 每次净化在处理室内容纳被处理基板，对所述被处理基板实施规定的处理的基板处理装置的处理室时，交替实施在处理室内形成包含氧元素的气体的等离子体的工序和在处理室内形成包含氮元素的气体的等离子体的工序。
-
公开(公告)号：CN1914716A
公开(公告)日：2007-02-14
申请号：CN200580003402.6
申请日：2005-01-27
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/31 , H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/32862 , B08B7/0035
Abstract: 每次净化在处理室内容纳被处理基板，对所述被处理基板实施规定的处理的基板处理装置的处理室时，交替实施在处理室内形成包含氧元素的气体的等离子体的工序和在处理室内形成包含氮元素的气体的等离子体的工序。
-
公开(公告)号：CN300924694D
公开(公告)日：2009-05-13
申请号：CN200830113683.7
申请日：2008-03-27
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 1.后视图、仰视图和左视图分别与主视图、俯视图和右视图对称，
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
10
records
(took 0.02 seconds)
