Invention Grant
CN101698961B 一种表面等离激元晶体的制备方法
失效 - 权利终止
- Patent Title: 一种表面等离激元晶体的制备方法
- Patent Title (English): Preparation method of surface plasmonic crystal
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Application No.: CN200910234027.6Application Date: 2009-11-19
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Publication No.: CN101698961BPublication Date: 2011-10-19
- Inventor: 王振林 , 陈卓 , 董晗 , 詹鹏 , 潘剑
- Applicant: 南京大学
- Applicant Address: 江苏省南京市汉口路22号南京大学唐仲英楼A410
- Assignee: 南京大学
- Current Assignee: 南京大学
- Current Assignee Address: 江苏省南京市汉口路22号南京大学唐仲英楼A410
- Agency: 南京苏高专利商标事务所
- Agent 柏尚春
- Main IPC: C30B29/00
- IPC: C30B29/00 ; C30B30/02 ; C25D1/00 ; C25D1/10 ; C23C28/02
Abstract:
本发明公开了表面等离激元晶体的制备方法,包括以下步骤:在衬底上排列亚微米或微米的二氧化硅微球,获得二维六角密堆微球阵列的胶体晶体;利用述胶体晶体作为模板,在微球表面沉积金属纳米颗粒,直至在晶体模板微球的表面形成相互连接的金属半球壳膜,并在金属半球壳膜表面胶粘金属导线;用有机聚合物填充晶体模板的空隙,直至包覆整个模板以及金属导线和金属半球壳膜的接触点;去除二氧化硅胶体晶体模板以及衬底,形成有机聚合物多孔薄膜;将有机聚合物多孔薄膜作为阴极,在有机聚合物多孔薄膜的球形空腔中沉积金属;利用甲苯溶解去除有机聚合物,得到形貌可控的表面等离激元晶体;本发明方法工艺简单并可对其中的金属颗粒形貌进行精确地控制。
Public/Granted literature
- CN101698961A 一种表面等离激元晶体的制备方法 Public/Granted day:2010-04-28
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