发明公开
CN101705473A 一种用于硅薄膜电池陷光结构研究的物理气相沉积设备
失效 - 权利终止
- 专利标题: 一种用于硅薄膜电池陷光结构研究的物理气相沉积设备
- 专利标题(英): Physical vapor deposition equipment for use in study on light trapping structure of silicon thin-film battery
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申请号: CN200910228693.9申请日: 2009-11-25
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公开(公告)号: CN101705473A公开(公告)日: 2010-05-12
- 发明人: 薛俊明 , 陈新亮 , 李林娜 , 耿新华 , 赵颖
- 申请人: 南开大学
- 申请人地址: 天津市南开区卫津路94号
- 专利权人: 南开大学
- 当前专利权人: 南开大学
- 当前专利权人地址: 天津市南开区卫津路94号
- 代理机构: 天津佳盟知识产权代理有限公司
- 代理商 李益书
- 主分类号: C23C14/34
- IPC分类号: C23C14/34 ; C23C14/08 ; H01L31/18
摘要:
本发明公开了一种用于硅薄膜电池陷光结构研究的物理气相沉积设备,该设备可以对样品进行大面积的镀膜,提高镀膜的效率,以适应大面积产业化的实验需求,并且可以控制薄膜的具体生长过程,操作简洁且可靠稳定,可以明显提高硅薄膜太阳电池的性能,具有重大的生产实践意义。
公开/授权文献
- CN101705473B 一种用于硅薄膜电池陷光结构研究的物理气相沉积设备 公开/授权日:2011-04-13
IPC分类: