发明公开
CN101722155A 一种用于腐蚀氮化硅掩膜的浆料的清洗方法
失效 - 权利终止
- 专利标题: 一种用于腐蚀氮化硅掩膜的浆料的清洗方法
- 专利标题(英): Method for cleaning sizing agent corroding silicon nitride mask
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申请号: CN200910234467.1申请日: 2009-11-18
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公开(公告)号: CN101722155A公开(公告)日: 2010-06-09
- 发明人: 王立建 , 王栩生 , 朱冉庆 , 章灵军
- 申请人: 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 , 常熟阿特斯阳光电力科技有限公司 , 阿特斯光伏电力(洛阳)有限公司 , 阿特斯光伏科技(苏州)有限公司 , 阿特斯太阳能光电(苏州)有限公司 , 阿特斯光伏电子(常熟)有限公司 , 常熟阿特斯太阳能电力有限公司
- 申请人地址: 江苏省苏州市苏州高新区鹿山路199号
- 专利权人: 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司,常熟阿特斯阳光电力科技有限公司,阿特斯光伏电力(洛阳)有限公司,阿特斯光伏科技(苏州)有限公司,阿特斯太阳能光电(苏州)有限公司,阿特斯光伏电子(常熟)有限公司,常熟阿特斯太阳能电力有限公司
- 当前专利权人: 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司,常熟阿特斯阳光电力科技有限公司,阿特斯光伏电力(洛阳)有限公司,阿特斯光伏科技(苏州)有限公司,阿特斯太阳能光电(苏州)有限公司,阿特斯光伏电子(常熟)有限公司,常熟阿特斯太阳能电力有限公司
- 当前专利权人地址: 江苏省苏州市苏州高新区鹿山路199号
- 代理机构: 苏州创元专利商标事务所有限公司
- 代理商 陶海锋
- 主分类号: B08B3/00
- IPC分类号: B08B3/00 ; B08B3/12 ; B08B3/08 ; B08B3/02 ; B08B3/04 ; C11D7/04 ; C11D7/08
摘要:
本发明公开了一种用于腐蚀氮化硅掩膜的浆料的清洗方法,包括如下步骤:(1)在氨水溶液中超声清洗;(2)在纯水中超声清洗至少2次;(3)在稀盐酸溶液中超声清洗;(4)纯水喷淋;(5)循环纯水浸渍。本发明的清洗方法可以彻底清除硅片表面的浆料残留和各种杂质,防止了因残留浆料清洗不彻底对电池性能造成的负面影响。
公开/授权文献
- CN101722155B 一种用于腐蚀氮化硅掩膜的浆料的清洗方法 公开/授权日:2011-08-31