一种用于腐蚀氮化硅掩膜的浆料的清洗方法
摘要:
本发明公开了一种用于腐蚀氮化硅掩膜的浆料的清洗方法,包括如下步骤:(1)在氨水溶液中超声清洗;(2)在纯水中超声清洗至少2次;(3)在稀盐酸溶液中超声清洗;(4)纯水喷淋;(5)循环纯水浸渍。本发明的清洗方法可以彻底清除硅片表面的浆料残留和各种杂质,防止了因残留浆料清洗不彻底对电池性能造成的负面影响。
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