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公开(公告)号：CN101728459A
公开(公告)日：2010-06-09
申请号：CN200910234466.7
申请日：2009-11-18
申请人： 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 , 常熟阿特斯阳光电力科技有限公司 , 阿特斯光伏电力(洛阳)有限公司 , 阿特斯光伏科技(苏州)有限公司 , 阿特斯太阳能光电(苏州)有限公司 , 阿特斯光伏电子(常熟)有限公司 , 常熟阿特斯太阳能电力有限公司
IPC分类号： H01L31/18
CPC分类号： Y02P70/521
摘要： 本发明公开了一种晶体硅太阳能电池的制备方法，包括制备晶体硅太阳能电池的必需工艺，还包括如下步骤：在电池的背面形成单层钝化层；利用喷墨印刷在上述背面单层钝化层上印刷腐蚀性浆料，然后烘干腐蚀钝化层，清洗去除浆料，形成局部接触的窗口；然后在其上利用丝网印刷形成背面接触。本发明得到了背面钝化局部接触的太阳电池结构，试验证明，该钝化结构可以有效地提高了太阳电池的长波响应以及背面反射，提高了太阳电池的转换效率。
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公开(公告)号：CN101722155B
公开(公告)日：2011-08-31
申请号：CN200910234467.1
申请日：2009-11-18
申请人： 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 , 常熟阿特斯阳光电力科技有限公司 , 阿特斯光伏电力(洛阳)有限公司 , 阿特斯光伏科技(苏州)有限公司 , 阿特斯太阳能光电(苏州)有限公司 , 阿特斯光伏电子(常熟)有限公司 , 常熟阿特斯太阳能电力有限公司
摘要： 本发明公开了一种用于腐蚀氮化硅掩膜的浆料的清洗方法，包括如下步骤：(1)在氨水溶液中超声清洗；(2)在纯水中超声清洗至少2次；(3)在稀盐酸溶液中超声清洗；(4)纯水喷淋；(5)循环纯水浸渍。本发明的清洗方法可以彻底清除硅片表面的浆料残留和各种杂质，防止了因残留浆料清洗不彻底对电池性能造成的负面影响。
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公开(公告)号：CN101722155A
公开(公告)日：2010-06-09
申请号：CN200910234467.1
申请日：2009-11-18
申请人： 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 , 常熟阿特斯阳光电力科技有限公司 , 阿特斯光伏电力(洛阳)有限公司 , 阿特斯光伏科技(苏州)有限公司 , 阿特斯太阳能光电(苏州)有限公司 , 阿特斯光伏电子(常熟)有限公司 , 常熟阿特斯太阳能电力有限公司
摘要： 本发明公开了一种用于腐蚀氮化硅掩膜的浆料的清洗方法，包括如下步骤：(1)在氨水溶液中超声清洗；(2)在纯水中超声清洗至少2次；(3)在稀盐酸溶液中超声清洗；(4)纯水喷淋；(5)循环纯水浸渍。本发明的清洗方法可以彻底清除硅片表面的浆料残留和各种杂质，防止了因残留浆料清洗不彻底对电池性能造成的负面影响。
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公开(公告)号：CN102354716A
公开(公告)日：2012-02-15
申请号：CN201110311661.2
申请日：2011-10-14
申请人： 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 , 阿特斯(中国)投资有限公司
CPC分类号： Y02P70/521
摘要： 本发明公开了一种激光打孔后硅片的处理方法，包括如下步骤：在硅片进行激光打孔之后，进行至少一次湿化学清洗，去除硅片表面的损伤层；然后用去离子水进行清洗，去除硅片表面的化学液，干燥处理。本发明在打孔之后设置了湿化学清洗的步骤，除去了硅片表面的杂质颗粒和激光损伤层，从而将颗粒污染和损伤层所造成的负面影响降至最低，试验证明，相比现有的制备工艺，经过本发明处理得到的太阳能电池的光电转换效率有0.1%左右的绝对提升，取得了意想不到的技术效果。
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公开(公告)号：CN101997058A
公开(公告)日：2011-03-30
申请号：CN201010270928.3
申请日：2010-09-03
申请人： 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 , 阿特斯(中国)投资有限公司
IPC分类号： H01L31/18
CPC分类号： Y02P70/521
摘要： 本发明公开了一种晶体硅太阳能电池选择性发射极结构的制备方法，包括如下步骤：(a)制备氧化硅阻挡层；(b)采用二次扩散工艺制备得到选择性发射极结构；步骤(a)包括如下步骤：(1)将硅片推入PECVD设备的反应腔中，腔内温度为300～600℃，保持温度恒定；(2)将上述反应腔抽真空；(3)在上述反应腔内通入反应气体并电离反应气体，形成等离子体；(4)保持步骤(3)的气体流量和功率稳定，在硅片表面沉积成膜；(5)将沉积完成的硅片退出反应腔。本发明在硅片的非重掺区域生成一层起阻挡作用的氧化硅，从而在重扩散的时候能有效阻挡磷扩散，然后结合浅扩散，使用对应的刻蚀等手段，形成选择性发射电极。
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