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公开(公告)号：CN118931672A
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202411009130.1
申请日：2020-08-04
申请人： 富士胶片株式会社
摘要： 本发明的课题在于提供一种半导体器件用处理液，所述处理液相对于金属层的耐腐蚀性优异。并且，本发明的课题在于提供一种试剂盒、上述处理液的制造方法、使用上述处理液的基板的清洗方法及使用上述处理液的基板的处理方法。本发明的处理液为半导体器件用处理液，其包含水及有机溶剂，有机溶剂为由有机溶剂A及有机溶剂B构成的组合，且至少包含特定的组合1～6中的任一个组合，pH为5以上。
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公开(公告)号：CN118198185B
公开(公告)日：2024-10-11
申请号：CN202410290970.3
申请日：2024-03-14
申请人： 江苏新璟宏能源科技有限公司
IPC分类号： H01L31/18 , H01L21/02 , C11D7/06 , C11D7/04 , C11D7/08 , C11D7/60 , C09K13/02 , B01J31/02 , B01J31/06 , C30B29/06 , C30B33/10
摘要： 本发明提供一种减少异质结电池篮齿印的方法，在硅片制绒后双氧水作为强氧化剂，对硅片表面的有机污染物和损伤层进行氧化溶解，提高硅片表面的洁净度，双氧水过量时，造成氢氧化钾对硅片的过腐蚀，金字塔成型不佳，表面微粗糙度高，对花篮缝隙遮挡的地方尤为明显，篮齿印比例偏高，因此本申请通过将氢氧化钾和双氧水按照比例配槽，并将体积自补比例稳定在1:2‑1:3，能够使绒面的微粗糙度降低，从而可以大大降低篮齿印比例。通过制绒液中碱和添加剂的设置降低硅片表面张力，提高制绒液的润湿度和流动性，同时打开鼓泡功能，通过制绒温度、时间以及工艺配比使得硅片的表面呈现规则、小尺寸、均匀、密集的金字塔绒面结构，并降低篮齿印比例。
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公开(公告)号：CN118562565A
公开(公告)日：2024-08-30
申请号：CN202410605434.8
申请日：2024-05-16
申请人： 浙江奥首材料科技有限公司
摘要： 本发明提供一种稳定的半导体芯片清洗液及其制备方法与应用，本发明稳定的半导体芯片清洗液包括重量配比如下的各组分：携负电荷氧原子的氮杂环氧化物0.1‑1份；含氟羧酸氮杂环衍生物0.1‑1份；过氧化氢15‑25份；碱5‑15份；缓蚀剂8‑15份；氟化物0.1‑0.5份；超纯水40‑90份。本发明稳定的半导体芯片清洗液寿命长，在持续投入芯片的情况下，仍然能够稳定蚀刻氮化钛硬掩膜，并保证对芯片上的残留物的清洗效果。本发明稳定的半导体芯片清洗液能有效抑制过氧化氢的分解和稳定蚀刻氮化钛硬掩膜，同时对金属/非金属基材的兼容性较好。
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公开(公告)号：CN118530790A
公开(公告)日：2024-08-23
申请号：CN202410698294.3
申请日：2024-05-31
申请人： 安徽富乐德长江半导体材料股份有限公司
IPC分类号： C11D7/08 , H01L21/3213 , C11D7/10 , C11D7/60
摘要： 本发明公开了一种用于去除晶圆表面Ni/Ag镀层的溶液及其应用方法，本发明示出了一种能够高效去除晶圆表面镀层（Ni/Ag）的溶液及其应用方法。相较于现有技术，本发明具有腐蚀效率高、成本低、操作简便、环境友好等优点，适用于半导体制造和后处理工艺中。
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公开(公告)号：CN116731798B
公开(公告)日：2024-07-23
申请号：CN202310699251.2
申请日：2022-01-17
申请人： 嘉庚创新实验室
摘要： 本发明提供了一种无氟清洗剂、其制备方法及应用，所述无氟清洗剂为水性清洗剂；所述无氟清洗剂包括水、有机溶剂与胺类化合物；所述有机溶剂的质量为无氟清洗剂质量的15％～85％；所述胺类化合物的质量为无氟清洗剂质量的5％～50％；还包括腐蚀抑制剂、酸与醇类化合物中的一种或多种。与现有技术相比，本发明提供的无氟清洗剂通过特定的胺类化合物与腐蚀抑制剂、酸及醇中的一种或多种协同作用在不含有氟元素的情况下也具有较好的清洗能力，同时还可降低清洗液对金属的腐蚀，防止对基底介质产生破坏，提高清洗后晶圆的耐候性。与现有同类产品比，本发明提供的无氟清洗剂具有降低清洗温度、清洗时间以及更高性价比等明显优势。
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公开(公告)号：CN118315262A
公开(公告)日：2024-07-09
申请号：CN202410459256.2
申请日：2024-04-17
申请人： 青岛理工大学
IPC分类号： H01L21/02 , C11D7/26 , C11D7/08 , C11D7/06 , C11D7/18 , C11D7/60 , C11D11/00 , B08B3/04 , B08B3/08 , B08B3/12
摘要： 本发明提供了一种硅片表面颗粒清洗方法，涉及半导体技术领域。本发明提供的硅片表面颗粒清洗方法，包括以下步骤：将待清洗硅片依次经第一清洗、第二清洗和第三清洗，得到清洗后的硅片；所述第一清洗包括依次水洗和SC‑1溶液清洗；所述第二清洗包括依次水洗、乙醇水溶液清洗和氢氟酸清洗；所述第三清洗包括水洗。本发明第一清洗中SC‑1溶液具有溶解和氧化作用；其次通过第二清洗中乙醇水溶液提高清洗溶液的分散性以及氢氟酸能腐蚀硅片表面的氧化层；再者通过第三清洗能将第一清洗后的水溶性化合物和可溶性络合物冲洗带走，防止在硅片表面二次吸附，同时能终止SC‑1溶液的反应，提高了硅片表面颗粒的去除能力。
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公开(公告)号：CN118185631A
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN202410222874.5
申请日：2024-02-28
申请人： 湖北兴福电子材料股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种兼具WC去除和蚀刻残留物清洁的组合物，组合物包括有机溶剂、氧化剂、含氟物质、羧酸盐、有机羧酸、腐蚀抑制剂、氨、钝化剂和余量的水。本发明的蚀刻液用于先进铜制程中金属硬掩模材料WC的去除和蚀刻残留物的清洁，相对于AlOx、Low‑Κ材料和含Cu和Co的材料具有优异的兼容保护性，此外本发明的组合物还有较长使用寿命。
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公开(公告)号：CN118085972A
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202410465279.4
申请日：2024-04-18
申请人： 天津世纪康泰生物医学工程有限公司
IPC分类号： C11D7/10 , A01N25/00 , A01N59/00 , A01P1/00 , C11D3/37 , C11D7/42 , C11D7/26 , C11D3/48 , C11D7/04 , C11D7/08 , C11D7/32 , C11D7/60 , A61L12/12
摘要： 本发明公开了一种双氧水接触镜护理液，由双氧水消毒液和中和片组成，所述双氧水消毒液的过氧化氢含量为2.5‑3.5%；所述中和片中各组分的质量百分比为：渗透压调节剂45.0‑55.0%，pH值调节剂35.0‑45.0%，赋形剂6.80‑8.50%，包埋剂0.400‑0.450%，过氧化氢酶3.00‑3.50%，核黄素1.100‑1.500%，本发明通过中和片与双氧水消毒液的配合使用，能够有效缩短中和时间、提升杀菌效果，同时核黄素的添加提高了分辨中和反应的准确度，使眼睛周围神经发育，减轻视觉疲劳，有助于视力恢复，具有广阔的应用前景，有利于推广应用。
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公开(公告)号：CN117903889A
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN202311691639.4
申请日：2023-12-11
申请人： 湖北兴福电子材料股份有限公司
摘要： 本发明提供了一种用于铜制程干法蚀刻后的清洗液，按质量百分比计，含有5‑10~12%螯合剂、20‑30%的有机溶剂、3‑100%的pH调节剂、3‑10%缓蚀剂和水，清洗液的pH控制在6~10。本发明提供的清洗液，能够有效去除铜制程蚀刻后的残留物，同时对金属（Cu、W、ALCU、Ti、TiN、）和非金属介质(如SiO2、SION、BPSG、TEOS、SiN、poly Si、BD/BDII)均有较好的抑制腐蚀作用。
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公开(公告)号：CN110945631B
公开(公告)日：2024-03-08
申请号：CN201880048233.5
申请日：2018-07-24
申请人： 三菱瓦斯化学株式会社
发明人： 尾家俊行 , 普林安加·柏达那·普特拉 , 堀田明伸
IPC分类号： H01L21/304 , C11D7/08 , C11D7/32 , C11D7/50 , C11D17/08
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