- 专利标题: 一种绝缘栅双极晶体管保护电路及电机控制系统
- 专利标题(英): Insulated gate bipolar transistor (IGBT) protection circuit and motor control system
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申请号: CN200810241372.8申请日: 2008-12-19
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公开(公告)号: CN101752841A公开(公告)日: 2010-06-23
- 发明人: 杨广明 , 黄炳健
- 申请人: 比亚迪股份有限公司
- 申请人地址: 广东省深圳市龙岗区坪山镇横坪公路3001号
- 专利权人: 比亚迪股份有限公司
- 当前专利权人: 比亚迪股份有限公司
- 当前专利权人地址: 广东省深圳市龙岗区坪山镇横坪公路3001号
- 代理机构: 深圳中一专利商标事务所
- 代理商 张全文
- 主分类号: H02H7/122
- IPC分类号: H02H7/122
摘要:
本发明适用于电机控制领域,提供了一种绝缘栅双极晶体管保护电路及电机控制系统;所述绝缘栅双极晶体管保护电路包括:采样电路、反馈电路、驱动电路以及慢关断电路。本发明提供的绝缘栅双极晶体管保护电路采用慢关断电路,使得IGBT在过流保护时,增加了IGBT的关断时间,减小电流变化率,保护了IGBT不被损坏。
公开/授权文献
- CN101752841B 一种绝缘栅双极晶体管保护电路及电机控制系统 公开/授权日:2012-08-22