发明公开
- 专利标题: 半导体装置的制造方法、半导体装置以及曝光装置
- 专利标题(英): Method for manufacturing semiconductor device, semiconductor device, and exposure apparatus
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申请号: CN200880101115.2申请日: 2008-07-14
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公开(公告)号: CN101765908A公开(公告)日: 2010-06-30
- 发明人: 内田诚一 , 小川裕之
- 申请人: 夏普株式会社
- 申请人地址: 日本大阪
- 专利权人: 夏普株式会社
- 当前专利权人: 夏普株式会社
- 当前专利权人地址: 日本大阪
- 代理机构: 北京尚诚知识产权代理有限公司
- 代理商 龙淳
- 优先权: 2007-200632 2007.08.01 JP
- 国际申请: PCT/JP2008/062701 2008.07.14
- 国际公布: WO2009/016951 JA 2009.02.05
- 进入国家日期: 2010-01-29
- 主分类号: H01L21/336
- IPC分类号: H01L21/336 ; G03F7/20 ; H01L29/417 ; H01L29/423 ; H01L29/49 ; H01L29/786
摘要:
本发明提供设置有平坦化层、同时使半导体层上的加工容易的半导体装置的制造方法。通过该方法提供适当地制造的半导体装置以及适当地使用于该制造方法中的曝光装置。本发明的半导体装置的制造方法,其为在基板上具有半导体层、和平坦化层的半导体装置的制造方法,当俯视基板时所述平坦化层为包围半导体层的形状,所述制造方法包括:在基板上形成半导体层的工序;在半导体层上形成感光性有机膜的工序,所述感光性有机膜具有与半导体层的光吸收波段重复的感光波段;和将该感光波段的光从基板侧对感光性有机膜曝光,并对感光性有机膜进行显影而形成平坦化层的工序。
IPC分类: