触摸面板
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN105637459A

    公开(公告)日:2016-06-01

    申请号:CN201480056683.0

    申请日:2014-08-22

    IPC分类号: G06F3/044 G06F3/041

    摘要: 本发明的实施方式的触摸面板具有:透明基板(101);第1导电层(12),其被透明基板支撑,包含在第1方向上延伸的多个检测电极(12S);以及第2导电层(14),其包含与多个检测电极绝缘的、在与第1方向交叉的第2方向上延伸的多个驱动电极(14D),多个检测电极和多个驱动电极划定包括排列成矩阵状的多个传感器部(10S)的传感器阵列区域(10A),第1导电层在传感器阵列区域内还包含与第1方向大致平行地延伸的多个引出配线(12Dt),每个驱动电极与多个引出配线中的至少1个引出配线连接,多个检测电极的端子和多个引出配线的端子均设置在透明基板的与第2方向大致平行地延伸的同一边的附近。

    液晶显示装置
    4.
    发明授权

    公开(公告)号:CN101523277B

    公开(公告)日:2012-04-18

    申请号:CN200780038124.7

    申请日:2007-06-21

    摘要: 本发明提供一种液晶显示装置,其能够抑制光电二极管中暗电流的发生。因此,在具有有源矩阵基板的液晶显示面板(1)和对液晶显示面板照明的背光源(13)的液晶显示装置中,在有源矩阵基板(1)具备,利用设置在基底基板(5)的硅膜形成的光电二极管(7)和对光电二极管(7)遮蔽来自背光源(13)的照明光(29)的遮光膜(8)。遮光膜(8)由半导体或者绝缘体形成。优选光电二极管(7)例如由多晶硅或连续晶界结晶硅形成,使其具有入射光的波长越短灵敏度越高的特性。遮光膜(8)由入射光的波长越短入射光的透过率越低的硅膜,例如非晶硅形成。

    半导体装置的制造方法、半导体装置以及曝光装置

    公开(公告)号:CN101765908A

    公开(公告)日:2010-06-30

    申请号:CN200880101115.2

    申请日:2008-07-14

    摘要: 本发明提供设置有平坦化层、同时使半导体层上的加工容易的半导体装置的制造方法。通过该方法提供适当地制造的半导体装置以及适当地使用于该制造方法中的曝光装置。本发明的半导体装置的制造方法,其为在基板上具有半导体层、和平坦化层的半导体装置的制造方法,当俯视基板时所述平坦化层为包围半导体层的形状,所述制造方法包括:在基板上形成半导体层的工序;在半导体层上形成感光性有机膜的工序,所述感光性有机膜具有与半导体层的光吸收波段重复的感光波段;和将该感光波段的光从基板侧对感光性有机膜曝光,并对感光性有机膜进行显影而形成平坦化层的工序。

    液晶显示装置
    6.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101523277A

    公开(公告)日:2009-09-02

    申请号:CN200780038124.7

    申请日:2007-06-21

    摘要: 本发明提供一种液晶显示装置,其能够抑制光电二极管中暗电流的发生。因此,在具有有源矩阵基板的液晶显示面板(1)和对液晶显示面板照明的背光源(13)的液晶显示装置中,在有源矩阵基板(1)具备,利用设置在基底基板(5)的硅膜形成的光电二极管(7)和对光电二极管(7)遮蔽来自背光源(13)的照明光(29)的遮光膜(8)。遮光膜(8)由半导体或者绝缘体形成。优选光电二极管(7)例如由多晶硅或连续晶界结晶硅形成,使其具有入射光的波长越短灵敏度越高的特性。遮光膜(8)由入射光的波长越短入射光的透过率越低的硅膜,例如非晶硅形成。

    通信装置、显示装置以及通信系统

    公开(公告)号:CN107004108A

    公开(公告)日:2017-08-01

    申请号:CN201580063445.7

    申请日:2015-11-18

    IPC分类号: G06K7/10 H01Q1/44 H01Q7/00

    摘要: 一种通信装置,是包括了与具有被卷绕为矩形状的卡侧天线11的IC卡10进行无线通信的装置侧天线30的通信装置,在天线30被卷绕一次或者多次,在25mm的间隔下与卡侧天线11的内径的长边被设为69mm、短边被设为38mm的IC卡10进行无线通信的情况下,在从卡侧天线11发射的、在配置有天线30的平面中与该平面垂直的方向的磁场的强度H变为在公式(1)所表示的范围的位置上,天线30的内周被形成。0.037I/4π