发明授权
CN101771098B 硅基薄膜光电转换装置、及其制造方法和制造设备
失效 - 权利终止
- 专利标题: 硅基薄膜光电转换装置、及其制造方法和制造设备
- 专利标题(英): Silicon-based thin film photoelectric converter, and method and apparatus for manufacturing same
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申请号: CN201010109509.1申请日: 2006-09-29
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公开(公告)号: CN101771098B公开(公告)日: 2012-01-11
- 发明人: 岸本克史
- 申请人: 夏普株式会社
- 申请人地址: 日本大阪府
- 专利权人: 夏普株式会社
- 当前专利权人: 夏普株式会社
- 当前专利权人地址: 日本大阪府
- 代理机构: 北京市柳沈律师事务所
- 代理商 彭久云
- 优先权: 290191/05 2005.10.03 JP
- 分案原申请号: 2006800369804 2006.09.29
- 主分类号: H01L31/075
- IPC分类号: H01L31/075 ; H01L31/20
摘要:
公开了一种硅基薄膜光电转换装置的制造方法,其特征在于:通过在同一等离子体CVD膜沉积室中,在形成于基板(1)上的透明导电膜(2)上顺序地形成第一p型半导体层(11)、i型非晶硅基光电转换层(12)、第一n型半导体层(13)、第二p型半导体层(21)、i型微晶硅基光电转换层(22)、和第二n型半导体层(23)而形成双pin结构堆叠体(30),所述第一p型半导体层(11)、所述i型非晶硅基光电转换层(12)、和所述第一n型半导体层(13)在200-3000Pa的等离子体CVD膜沉积室中的膜形成压力和0.01-0.3W/cm2的单位电极面积的功率密度下形成。通过该方法,可以使用简化的生产设备以低成本和高效率制造具有好质量和高光电转换效率的硅基薄膜光电转换装置。
公开/授权文献
- CN101771098A 硅基薄膜光电转换装置、及其制造方法和制造设备 公开/授权日:2010-07-07