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公开(公告)号：CN102804932A
公开(公告)日：2012-11-28
申请号：CN201180014265.1
申请日：2011-02-21
申请人： 夏普株式会社
IPC分类号： H05H1/46 , C23C16/509 , H01L21/205 , H01L21/3065
CPC分类号： H05H1/46 , H01J37/32091 , H01J37/32183
摘要： 可密封腔室，其中注入有活性材料气体；多组放电部分，每一个组都包括在腔室中以相对的方式对齐的阴极和阳极，以产生等离子放电；电源部分，布置在腔室之外，以提供电功率以在多组放电部分中产生等离子放电；多个匹配盒，布置在腔室之外，该匹配盒电连接至电源部分；至少一个支撑部分，布置在腔室之外，该支撑部分支撑多个匹配盒；和多个电导体，其将多个匹配盒电连接至多组放电部分的阴极，其中支撑部分适于在其中多个电导体长度相等的位置处支撑一个或多个匹配盒。
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公开(公告)号：CN101911841A
公开(公告)日：2010-12-08
申请号：CN200880123075.1
申请日：2008-12-19
申请人： 夏普株式会社
IPC分类号： H05H1/46 , H01L21/205
CPC分类号： H01L21/67109 , H01J37/32009 , H01J37/32724
摘要： 提供了一种等离子处理装置，其具有相对较低的制造成本和良好的加热效率和冷却效率。阳极电极(7)在其中配备有管状加热单元(31)用于加热要被等离子处理的处理物品(包括托盘(5)和基板(6))。管状加热单元(31)包括七个管状加热器(在该实例中为埋入式加热器)(31)，其在俯视平面视图中为U形形状并且彼此平行并相邻。阳极电极(7)在其中还配备有用于冷却阳极电极(7)的管状冷却单元(32)。管状冷却单元(32)包括七个冷却管道(在该实例中为冷却氮气导管)(32)，其在俯视平面视图中为U形形状并且沿着各管状加热器(31)的外侧彼此平行并相邻，这些冷却管道可以将引入到其中的冷却气体在通过冷却管道之后排出到外部。
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公开(公告)号：CN100530888C
公开(公告)日：2009-08-19
申请号：CN200580021687.6
申请日：2005-04-22
申请人： 夏普株式会社
CPC分类号： H02J3/383 , G06Q50/06 , H02J3/06 , H02J3/386 , Y02E10/563 , Y02E10/763 , Y04S10/54 , Y04S10/60
摘要： 一种使用自然能源的发电设备管理系统。通过对电力产生和消耗提供对价来促进发电设备的引入。发电设备管理系统包括使用自然能源的发电设备和用于管理关于所述发电设备的电力信息的管理服务器，其特征在于所述发电设备包括用于获取自然能源的能源获取部分、用于从所获取的自然能源产生电力的电力产生部分、用于创建关于由所述电力产生部分所产生的电力的发电电力信息的信息控制部分、以及用于发送所述电力信息到所述管理服务器的通信部分，并且其特征还在于所述管理服务器包括信息管理部分，用于根据预定对价信息确定从所述发电设备发送的电力信息的对价。
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公开(公告)号：CN101336467A
公开(公告)日：2008-12-31
申请号：CN200680051801.4
申请日：2006-11-16
申请人： 夏普株式会社
IPC分类号： H01L21/205 , C23C16/509
CPC分类号： H01J37/32541 , H01J37/32091 , H01J37/32568
摘要： 一种等离子体加工装置，其中当阳极电极和阴极电极的面积增大时，尽管发生电极挠曲仍可以获得良好的膜沉积性质。等离子体加工装置(100)包括室(15)、气体引入部(28)、排气部分(29)和高频电源单元(30)。在室(15)中配置平面阳极电极(第一电极)(4)、平面阴极电极(第二电极)(12)，以及用于可滑动地将电极(4、12)彼此平行地支撑的第一支撑(6)和第二支撑(5)。阴极电极(12)相对于阳极电极(4)配置。阳极电极(4)和阴极电极(12)分别简单地安装在第一支撑(6)和第二支撑(5)上，而没有通过螺钉等固定。当阳极电极(4)和阴极电极(12)在其自身重量下自由挠曲时，它们的挠曲量彼此相等，而且电极(4、12)的最大挠曲量也彼此相等。
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公开(公告)号：CN101771098B
公开(公告)日：2012-01-11
申请号：CN201010109509.1
申请日：2006-09-29
申请人： 夏普株式会社
发明人： 岸本克史
IPC分类号： H01L31/075 , H01L31/20
CPC分类号： C23C16/24 , H01L21/0262 , H01L31/076 , H01L31/077 , H01L31/1824 , H01L31/202 , Y02E10/545 , Y02E10/548 , Y02P70/521
摘要： 公开了一种硅基薄膜光电转换装置的制造方法，其特征在于：通过在同一等离子体CVD膜沉积室中，在形成于基板(1)上的透明导电膜(2)上顺序地形成第一p型半导体层(11)、i型非晶硅基光电转换层(12)、第一n型半导体层(13)、第二p型半导体层(21)、i型微晶硅基光电转换层(22)、和第二n型半导体层(23)而形成双pin结构堆叠体(30)，所述第一p型半导体层(11)、所述i型非晶硅基光电转换层(12)、和所述第一n型半导体层(13)在200-3000Pa的等离子体CVD膜沉积室中的膜形成压力和0.01-0.3W/cm2的单位电极面积的功率密度下形成。通过该方法，可以使用简化的生产设备以低成本和高效率制造具有好质量和高光电转换效率的硅基薄膜光电转换装置。
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公开(公告)号：CN101336470B
公开(公告)日：2011-06-15
申请号：CN200680052130.3
申请日：2006-12-26
申请人： 夏普株式会社
发明人： 岸本克史
IPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/205 , C23C16/44
CPC分类号： H01L21/3065 , H01J37/3244 , H01J37/32449
摘要： 通过使用比蚀刻气体更容易分解的稀释气体产生等离子体。然后，蚀刻气体引入等离子体处理反应室(101)以增加流量，并且在此时调节稀释气体的流量以减少大体相等的流量。等离子体处理反应室(101)中的压强波动降低，气体流量设定在预定值同时保持产生的等离子体，并获得希望的条件。
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公开(公告)号：CN101952935A
公开(公告)日：2011-01-19
申请号：CN200980105797.9
申请日：2009-01-29
申请人： 夏普株式会社
IPC分类号： H01L21/02 , C23C14/56 , C23C16/44 , H01L21/205 , H01L21/3065 , H01L21/677
CPC分类号： H01L21/6719 , H01L21/67775
摘要： 真空处理装置(1)包括：第1处理室(101)，容纳被处理物(107)而进行真空处理；第2处理室(102)，容纳进行真空处理之前的被处理物和进行真空处理之后的被处理物，且可进行真空排气；门部(103)，在第1处理室和第2处理室之间，以能够对第1处理室安装或从第1处理室拆卸地安装；搬送装置(202)，通过门部(103)，将进行真空处理之前的被处理物从搬入部(108)搬入真空处理部(104)，并将进行真空处理之后的被处理物从真空处理部(104)搬送到搬出部(119)；以及移动机构(200)，将第1处理室和第2处理室隔开。
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公开(公告)号：CN101910460A
公开(公告)日：2010-12-08
申请号：CN200880124530.X
申请日：2008-12-19
申请人： 夏普株式会社
IPC分类号： C23C16/455 , H01L21/205 , H05H1/46
CPC分类号： C23C16/45565 , C23C16/5096 , H01J37/3244 , H01J37/32449 , H01J37/32568 , H01L21/02529 , H01L21/02532 , H01L21/0262
摘要： 本发明提供等离子体处理设备，该等离子体处理设备即使当两个电极的面积增加时也能均匀地将气体供应到阴极电极和阳极电极之间的空间，并且能够减小两个电极的厚度。两对阳极电极(4)和阴极电极(12)在等离子体处理设备(100)的腔(15)中布置为彼此相对。阴极电极(12)具有喷淋板(2)、后板(3)和中空室(17)。喷淋板(2)设置有第一喷气孔(18)，用于将引入中空腔(17)的气体喷到两个电极(12，4)之间的空间。用于从外部引入气体的进气口(31)布置在后板(3)的下表面(面对喷淋板(2)的中空腔(17)内壁(19))的电极端面上。用于将气体喷到中空腔(17)的第二喷气孔(32)以及用于将气体从进气口(31)引导到第二喷气孔(32)的气体引导部分(33)设置在中空室的内壁(19)上。
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公开(公告)号：CN101336470A
公开(公告)日：2008-12-31
申请号：CN200680052130.3
申请日：2006-12-26
申请人： 夏普株式会社
发明人： 岸本克史
IPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/205 , C23C16/44
CPC分类号： H01L21/3065 , H01J37/3244 , H01J37/32449
摘要： 通过使用比蚀刻气体更容易分解的稀释气体产生等离子体。然后，蚀刻气体引入等离子体处理反应室(101)以增加流量，并且在此时调节稀释气体的流量以减少大体相等的流量。等离子体处理反应室(101)中的压强波动降低，气体流量设定在预定值同时保持产生的等离子体，并获得希望的条件。
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公开(公告)号：CN101336467B
公开(公告)日：2010-05-26
申请号：CN200680051801.4
申请日：2006-11-16
申请人： 夏普株式会社
IPC分类号： H01L21/205 , C23C16/509
CPC分类号： H01J37/32541 , H01J37/32091 , H01J37/32568
摘要： 一种等离子体加工装置，其中当阳极电极和阴极电极的面积增大时，尽管发生电极挠曲仍可以获得良好的膜沉积性质。等离子体加工装置(100)包括室(15)、气体引入部(28)、排气部分(29)和高频电源单元(30)。在室(15)中配置平面阳极电极(第一电极)(4)、平面阴极电极(第二电极)(12)，以及用于可滑动地将电极(4、12)彼此平行地支撑的第一支撑(6)和第二支撑(5)。阴极电极(12)相对于阳极电极(4)配置。阳极电极(4)和阴极电极(12)分别简单地安装在第一支撑(6)和第二支撑(5)上，而没有通过螺钉等固定。当阳极电极(4)和阴极电极(12)在其自身重量下自由挠曲时，它们的挠曲量彼此相等，而且电极(4、12)的最大挠曲量也彼此相等。
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