Invention Grant
CN101789378B 用于制造半导体器件的方法
失效 - 权利终止
- Patent Title: 用于制造半导体器件的方法
- Patent Title (English): Method for manufacturing semiconductor device
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Application No.: CN200910002857.6Application Date: 2005-05-31
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Publication No.: CN101789378BPublication Date: 2012-07-04
- Inventor: 渡边了介 , 高桥秀和 , 鹤目卓也
- Applicant: 株式会社半导体能源研究所
- Applicant Address: 日本神奈川县厚木市
- Assignee: 株式会社半导体能源研究所
- Current Assignee: 株式会社半导体能源研究所
- Current Assignee Address: 日本神奈川县厚木市
- Agency: 中国专利代理(香港)有限公司
- Agent 曾祥夌; 杨松龄
- Priority: 2004-165104 2004.06.02 JP
- The original application number of the division: 2005800262291 2005.05.31
- Main IPC: H01L21/50
- IPC: H01L21/50

Abstract:
本发明的目的在于提高在对薄膜集成电路进行密封过程中的生产效率,并且防止损失和破坏。还有,本发明的另外一个目的在于防止薄膜集成电路在运输过程中遭受损伤,并且使得易于搬运薄膜集成电路。本发明提供了一种层压系统,其中使用辊来供给密封用基底、接收IC芯片、分离以及密封。对大量的薄膜集成电路进行分离、密封和接收操作可以通过旋转所述辊来连续地进行;因此,可以极大地提高生产效率。还有,由于使用了相互对置的辊对,因此可以轻易地所述密封薄膜集成电路。
Public/Granted literature
- CN101789378A 层压系统 Public/Granted day:2010-07-28
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IPC分类: