公开(公告)号：CN102820263A

公开(公告)日：2012-12-12

申请号：CN201210241697.2

申请日：2006-06-30

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 大力浩二 ,  楠本直人 ,  鹤目卓也

IPC: H01L21/77

CPC classification number: H01L27/1266 ,  H01L27/1285 ,  H01L27/1292

Abstract: 本发明的一个目的在于提供制造半导体器件的方法，该方法消除了在将半导体元件形成在基片上后基片变薄或者除去基片的情形中，由于杂质元素或者水分等从外界进入而对半导体元件产生的影响。其一个特征是通过对基片进行表面处理在基片的至少一个侧面上形成起防护膜作用的绝缘薄膜，将半导体元件(比如薄膜晶体管)形成在所述绝缘薄膜上，和薄化所述基片。作为表面处理，对基片进行杂质元素的加入或者等离子处理。作为薄化基片的方法，通过对基片另一侧面进行研磨处理或者抛光处理等可以使基片被部分除去。

公开(公告)号：CN1959962B

公开(公告)日：2011-08-10

申请号：CN200610143292.X

申请日：2006-11-03

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 鹤目卓也

IPC: H01L21/84 ,  G06K19/077

CPC classification number: H01L27/1266 ,  H01L27/1214 ,  H01L2224/83851

Abstract: 本发明提供一种具有柔软性的薄型半导体器件。本发明的半导体器件的制造方法之一包括如下步骤：在衬底的一方表面中形成槽；形成包括元件的元件层，元件被配置在所述槽内；从所述衬底的另一方表面使所述衬底变薄一直到所述元件层的一方表面露出，以形成具有所述元件的被转置层；将所述被转置层转置到所述薄膜上。

公开(公告)号：CN101950748A

公开(公告)日：2011-01-19

申请号：CN201010201360.X

申请日：2006-01-18

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 鹤目卓也

IPC: H01L27/13 ,  H01L21/77 ,  H01L21/50

CPC classification number: H01L29/78 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1248 ,  H01L27/1255 ,  H01L27/1266 ,  H01L27/13 ,  H01L2221/68359 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48145 ,  H01L2224/48464 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/01025 ,  H01L2924/01067 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明的目的是提供具有足以用作天线的导电膜的半导体器件，和制造它的方法。半导体器件具有设置在衬底上的包括晶体管的元件形成层，设置在元件形成层上的绝缘膜，和设置在绝缘膜上的用作天线的导电膜。绝缘膜具有槽。导电膜沿绝缘膜和槽的表面设置。绝缘膜的槽可被设置穿过绝缘膜。或者，可在绝缘膜中设置凹形部分以便不穿过绝缘膜。对槽的结构没有特殊限制，例如，可设置槽具有锥形形状等。

公开(公告)号：CN100411089C

公开(公告)日：2008-08-13

申请号：CN200410103896.2

申请日：2004-10-28

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 後藤裕吾 ,  福本由美子 ,  高山彻 ,  丸山纯矢 ,  鹤目卓也

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/84 ,  H01L21/762 ,  G02F1/136

CPC classification number: H01L27/1266 ,  G02F2001/13613 ,  H01L27/3246 ,  H01L51/524 ,  H01L51/5246 ,  H01L51/5253 ,  H01L51/56 ,  H01L2221/68368 ,  H01L2227/323 ,  H01L2227/326 ,  Y10S438/976 ,  Y10S438/977

Abstract: 本发明的一个目的是提供一种不损伤剥离层以进行不仅剥离具有小尺寸区域的剥离层而且剥离具有大尺寸区域的整个剥离层、具有较好的成品率的剥离方法。在本发明中，在粘贴固定基板后，通过划线或在玻璃基板上进行其引起提供了触发的激光照射来移除一部分玻璃基板。然后，通过从移除了的部分进行剥离，实现具有较好的成品率的剥离。另外，除了端子电极的连接部分(包括端子电极的外围区域)之外，通过用树脂覆盖整个表面来防止破裂。

公开(公告)号：CN100392797C

公开(公告)日：2008-06-04

申请号：CN03147669.4

申请日：2003-07-16

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 高山彻 ,  丸山纯矢 ,  后藤裕吾 ,  大野由美子 ,  鹤目卓也 ,  桑原秀明

IPC: H01L21/00

CPC classification number: H01L27/1266 ,  H01L21/76251 ,  H01L27/1214

Abstract: 提供了一种不损伤待要剥离的层的剥离方法，且此方法不仅能够剥离面积小的待要剥离的层，而且能够以高的成品率剥离面积大的整个待要剥离的层。而且，提供了一种通过将待要剥离的层粘合到各种基底材料而降低了重量的半导体器件及其制造方法。确切地说，提供了一种通过将典型为TFT的各种元件粘合到柔性膜而降低了重量的半导体器件及其制造方法。金属层或氮化物层被提供在衬底上；氧化物层被提供成与金属层或氮化物层相接触；然后形成基底绝缘膜和含有氢的待要剥离的层；并在410℃或更高的温度下执行热处理，以便扩散氢。结果，能够用物理方法在氧化物层中或在其界面处获得完全的剥离。

公开(公告)号：CN101015061A

公开(公告)日：2007-08-08

申请号：CN200580020651.6

申请日：2005-06-15

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 鹤目卓也 ,  大力浩二

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L27/1266 ,  H01L27/1214 ,  H01L2221/68363 ,  H01L2221/68368

Abstract: 本发明的目的是防止薄膜集成电路在转移到基底材料的工艺期间脱落。通过本发明的制造方法，在衬底表面上选择性地形成分离层；由此，形成提供分离层的第一区和不提供分离层的第二区。在分离层之上形成薄膜集成电路。然后，形成用于暴露分离层的开口部分，将蚀刻剂引入到开口部分中以去除分离层。因此，在提供有分离层的区域中产生间隔，而在没有分离层的区域中不产生间隔。因此，通过之后提供不产生间隔的区域，即使在去除了分离层之后也能防止薄膜集成电路脱落。

公开(公告)号：CN1993829A

公开(公告)日：2007-07-04

申请号：CN200580026229.1

申请日：2005-05-31

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 渡边了介 ,  高桥秀和 ,  鹤目卓也

IPC: H01L27/12 ,  G06K19/07 ,  G06K19/077 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  B42D15/10 ,  H01L21/56

CPC classification number: H01L21/56 ,  B32B37/20 ,  B32B2305/342 ,  B42D25/45 ,  B42D2033/46 ,  G06K19/07718 ,  G06K19/07749 ,  G06K19/0775 ,  H01L21/67126 ,  H01L21/67132 ,  H01L21/67144 ,  H01L21/6835 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1266 ,  H01L2221/68318 ,  H01L2221/68354 ,  H01L2221/68363 ,  H01L2924/0002 ,  Y10T156/1089 ,  Y10T156/1093 ,  Y10T156/1712 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的目的在于提高在对薄膜集成电路进行密封过程中的生产效率，并且防止损失和破坏。还有，本发明的另外一个目的在于防止薄膜集成电路在运输过程中遭受损伤，并且使得易于搬运薄膜集成电路。本发明提供了一种层压系统，其中使用辊来供给密封用基底、接收IC芯片、分离以及密封。对大量的薄膜集成电路进行分离、密封和接收操作可以通过旋转所述辊来连续地进行；因此，可以极大地提高生产效率。还有，由于使用了相互对置的辊对，因此可以轻易地所述密封薄膜集成电路。

公开(公告)号：CN1893023A

公开(公告)日：2007-01-10

申请号：CN200610094698.3

申请日：2006-06-26

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 鹤目卓也 ,  楠本直人

IPC: H01L21/82 ,  H01L21/78

CPC classification number: G06K19/07749

Abstract: 本发明的目的在于提供具有柔性和高物理强度的半导体器件的制造方法。其要点如下：在衬底的一方表面上形成包括多个集成电路的元件层，然后在所述衬底的一方表面一侧的一部分形成具有曲率的孔，接着使所述衬底成为薄(例如，对于所述衬底的另一方表面进行磨削、抛光)，对应于所述孔形成的位置切断该衬底并且使所述衬底的切断面具有曲率，从而形成具有集成电路的叠层体。此外，所述被抛光的衬底的厚度为2至50μm(包括2μm和50μm)。

公开(公告)号：CN1734750A

公开(公告)日：2006-02-15

申请号：CN200510091376.9

申请日：2005-06-29

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 道前芳隆 ,  田村友子 ,  鹤目卓也 ,  大力浩二

IPC: H01L21/84 ,  H01L27/12 ,  G06K19/077

CPC classification number: H01L27/1266 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1218 ,  H01L27/13 ,  H01L27/28 ,  H01L29/78603 ,  H01L2924/3511

Abstract: 对于使用硅晶片形成的IC芯片的应用形式和需求有望增加，需要进一步地减小成本。本发明的目的是提供一种能以更低成本生产的IC芯片的结构和工艺。本发明的一个特征是使用金属膜和具有金属膜的反应物作为分离层。金属膜或具有金属的反应物的蚀刻速率高，且在本发明中除了使用蚀刻金属膜或具有金属的反应物的化学方法之外，还可以使用物理方法。由此，IDF芯片可以在短时间内简单且容易地制造。

公开(公告)号：CN1472772A

公开(公告)日：2004-02-04

申请号：CN03147669.4

申请日：2003-07-16

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 高山彻 ,  丸山纯矢 ,  后藤裕吾 ,  大野由美子 ,  鹤目卓也 ,  桑原秀明

IPC: H01L21/00

CPC classification number: H01L27/1266 ,  H01L21/76251 ,  H01L27/1214

Abstract: 提供了一种不损伤待要剥离的层的剥离方法，且此方法不仅能够剥离面积小的待要剥离的层，而且能够以高的成品率剥离面积大的整个待要剥离的层。而且，提供了一种通过将待要剥离的层粘合到各种基底材料而降低了重量的半导体器件及其制造方法。确切地说，提供了一种通过将典型为TFT的各种元件粘合到柔性膜而降低了重量的半导体器件及其制造方法。金属层或氮化物层被提供在衬底上；氧化物层被提供成与金属层或氮化物层相接触；然后形成基底绝缘膜和含有氢的待要剥离的层；并在410℃或更高的温度下执行热处理，以便扩散氢。结果，能够用物理方法在氧化物层中或在其界面处获得完全的剥离。