- 专利标题: 磁控溅射阴极、磁控溅射设备及制造磁性器件的方法
- 专利标题(英): Magnetron sputtering cathode, magnetron sputtering apparatus, and method of manufacturing magnetic device
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申请号: CN201010119100.8申请日: 2010-02-24
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公开(公告)号: CN101824600A公开(公告)日: 2010-09-08
- 发明人: 远藤彻哉 , 爱因斯坦·诺埃尔·阿巴拉
- 申请人: 佳能安内华股份有限公司
- 申请人地址: 日本神奈川县
- 专利权人: 佳能安内华股份有限公司
- 当前专利权人: 佳能安内华股份有限公司
- 当前专利权人地址: 日本神奈川县
- 代理机构: 北京林达刘知识产权代理事务所
- 代理商 刘新宇; 张会华
- 优先权: 2009-043376 2009.02.26 JP; 2009-276689 2009.12.04 JP
- 主分类号: C23C14/35
- IPC分类号: C23C14/35
摘要:
本发明提供了即使当靶材是磁性体并且厚和/或强磁性体被用作靶材时也能够产生足以在靶材面上形成放电所需的磁性隧道的泄漏磁场的磁控溅射阴极、磁控溅射设备及制造磁性器件的方法。本发明的磁控溅射阴极包括靶材,该靶材具有:第二环状槽,其被设置于靶材的溅射面;第三环状突起,其被设置于靶材的非溅射面;第四环状槽,其在非溅射面上被设置于第三环状突起的外侧;第四环状突起,其在非溅射面上被设置于第四环状槽的外侧。此外,磁控溅射阴极包括非溅射面侧的第一磁体和具有与第一磁体的极性不同的极性的第二磁体(6)。
公开/授权文献
- CN101824600B 磁控溅射阴极、磁控溅射设备及制造磁性器件的方法 公开/授权日:2013-01-16
IPC分类: