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    磁铁单元和磁控溅射装置
    1.
    发明公开
    磁铁单元和磁控溅射装置 有权

    公开(公告)号：CN102037154A

    公开(公告)日：2011-04-27

    申请号：CN200980118213.1

    申请日：2009-07-09

    申请人： 佳能安内华股份有限公司

    发明人： 远藤彻哉 ,  爱因斯坦·诺埃尔·阿巴拉

    IPC分类号： C23C14/35

    CPC分类号： C23C14/35 ,  H01J37/3405 ,  H01J37/3452

    摘要： 本发明提供一种磁铁单元和磁控溅射装置。该磁铁单元不增加靶的长度、宽度就能够使成膜在基板上的薄膜的膜厚分布均匀。磁铁单元(10)包括：环状外周磁铁(30)，其沿着靶(6)的轮廓配置在阴极电极背面侧的磁轭(20)上；内部磁铁(40)，其配置在外周磁铁内且极性与外周磁铁的极性不同，该磁铁单元(10)形成磁轨(MT)，该磁轨(MT)是在上述靶上产生的磁力线(M)的切线与上述靶面平行的区域的集合，该磁铁单元(10)还包括：n(n是2以上的正整数)根延伸磁极部(41)，其自内部磁铁的中央部朝着长度方向的两侧延伸且接近外周磁铁的长度方向的两端；n-1根突出磁极部(32)，其自外周磁铁的两端内侧朝着长度方向的内方突出，位于n根延伸磁极部之间，n根延伸磁极部和n-1根突出磁极部在磁轨的长度方向两端部形成数量为2n-1的折回形状部(U)。

    磁控管单元、磁控管溅射设备和制造电子器件的方法
    3.
    发明授权
    磁控管单元、磁控管溅射设备和制造电子器件的方法 有权

    公开(公告)号：CN101595240B

    公开(公告)日：2012-05-23

    申请号：CN200880002807.1

    申请日：2008-10-30

    申请人： 佳能安内华股份有限公司

    发明人： 远藤彻哉 ,  E·N·阿巴拉

    IPC分类号： C23C14/35 ,  H01L21/285

    CPC分类号： C23C14/35 ,  C23C14/562 ,  H01J37/3408 ,  H01J37/3455

    摘要： 一种磁控管单元包括：多个第一磁体元件，每个第一磁体元件都包括具有相同极性且设置在由磁性材料制成的轭板的两端部分上的第一磁体、以及具有与第一磁体的极性不同的极性且布置在轭板的中间部分上的第二磁体；基板，在所述基板上设置有运动装置以使所述多个第一磁体元件中的每个沿一个方向运动；以及第二磁体元件，其包括由磁性材料制成且分别固定至基板的两端部分的轭板、具有与第二磁体的极性相同的极性且布置在轭板上的磁体、以及具有与第一磁体的极性相同的极性且设置在所述磁体上的磁体。

    溅射设备和膜沉积方法
    5.
    发明授权
    溅射设备和膜沉积方法 有权

    公开(公告)号：CN101855381B

    公开(公告)日：2012-07-04

    申请号：CN200880101880.4

    申请日：2008-12-22

    申请人： 佳能安内华股份有限公司

    发明人： 远藤彻哉 ,  爱因斯坦·诺埃尔·阿巴拉

    IPC分类号： C23C14/34 ,  H01F41/18

    CPC分类号： C23C14/225 ,  C23C14/042 ,  C23C14/16

    摘要： 本发明提供一种能够形成磁各向异性的方向的变化减小的磁性膜的溅射设备和膜沉积方法。本发明的溅射设备设置有：可转动的阴极(802)、可转动的台架(801)和可转动的遮蔽板(805)。溅射设备控制阴极(802)、台架(801)和遮蔽板(805)中的至少一方的转动，使得在溅射过程中，使从靶材(803a)产生的溅射粒子中的以相对于基板(804)的法线成0°以上50°以下的角度入射的溅射粒子入射到基板(804)。

    磁控溅射阴极、磁控溅射设备及制造磁性器件的方法
    6.
    发明公开
    磁控溅射阴极、磁控溅射设备及制造磁性器件的方法 有权

    公开(公告)号：CN101824600A

    公开(公告)日：2010-09-08

    申请号：CN201010119100.8

    申请日：2010-02-24

    申请人： 佳能安内华股份有限公司

    发明人： 远藤彻哉 ,  爱因斯坦·诺埃尔·阿巴拉

    IPC分类号： C23C14/35

    CPC分类号： C23C14/35 ,  H01J37/3408 ,  H01J37/3452

    摘要： 本发明提供了即使当靶材是磁性体并且厚和/或强磁性体被用作靶材时也能够产生足以在靶材面上形成放电所需的磁性隧道的泄漏磁场的磁控溅射阴极、磁控溅射设备及制造磁性器件的方法。本发明的磁控溅射阴极包括靶材，该靶材具有：第二环状槽，其被设置于靶材的溅射面；第三环状突起，其被设置于靶材的非溅射面；第四环状槽，其在非溅射面上被设置于第三环状突起的外侧；第四环状突起，其在非溅射面上被设置于第四环状槽的外侧。此外，磁控溅射阴极包括非溅射面侧的第一磁体和具有与第一磁体的极性不同的极性的第二磁体(6)。

    溅射设备和膜沉积方法
    7.
    发明公开
    溅射设备和膜沉积方法 有权

    公开(公告)号：CN101855381A

    公开(公告)日：2010-10-06

    申请号：CN200880101880.4

    申请日：2008-12-22

    申请人： 佳能安内华股份有限公司

    发明人： 远藤彻哉 ,  爱因斯坦·诺埃尔·阿巴拉

    IPC分类号： C23C14/34 ,  H01F41/18

    CPC分类号： C23C14/225 ,  C23C14/042 ,  C23C14/16

    摘要： 本发明提供一种能够形成磁各向异性的方向的变化减小的磁性膜的溅射设备和膜沉积方法。本发明的溅射设备设置有：可转动的阴极(802)、可转动的台架(801)和可转动的遮蔽板(805)。溅射设备控制阴极(802)、台架(801)和遮蔽板(805)中的至少一方的转动，使得在溅射过程中，使从靶材(803a)产生的溅射粒子中的以相对于基板(804)的法线成0°以上50°以下的角度入射的溅射粒子入射到基板(804)。

    磁控管单元、磁控管溅射设备和制造电子器件的方法
    9.
    发明公开
    磁控管单元、磁控管溅射设备和制造电子器件的方法 有权

    公开(公告)号：CN101595240A

    公开(公告)日：2009-12-02

    申请号：CN200880002807.1

    申请日：2008-10-30

    申请人： 佳能安内华股份有限公司

    发明人： 远藤彻哉 ,  E·N·阿巴拉

    IPC分类号： C23C14/35 ,  H01L21/285

    CPC分类号： C23C14/35 ,  C23C14/562 ,  H01J37/3408 ,  H01J37/3455

    摘要： 一种磁控管单元包括：多个第一磁体元件，每个第一磁体元件都包括具有相同极性且设置在由磁性材料制成的轭板的两端部分上的第一磁体、以及具有与第一磁体的极性不同的极性且布置在轭板的中间部分上的第二磁体；基板，在所述基板上设置有运动装置以使所述多个第一磁体元件中的每个沿一个方向运动；以及第二磁体元件，其包括由磁性材料制成且分别固定至基板的两端部分的轭板、具有与第二磁体的极性相同的极性且布置在轭板上的磁体、以及具有与第一磁体的极性相同的极性且设置在所述磁体上的磁体。