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发明授权
CN101859795B 半导体装置 有权

半导体装置
摘要：
本发明提供一种半导体装置，所述半导体装置包括一基板，其具有一第一导电类型；一栅极，设置于所述基板上；一源极掺杂区，形成于所述基板中，且邻近于所述栅极的一第一侧边，其中所述源极掺杂区具有相反于所述第一导电类型的一第二导电类型；一漏极掺杂区，形成于所述基板中，且邻近所述栅极的相对于所述第一侧边的一第二侧边，其中所述漏极掺杂区由交错设置的具有所述第一导电类型的多个第一掺杂区和具有所述第二导电类型多个第二掺杂区构成。
摘要（英）：

The invention discloses a semiconductor device comprising a base plate, a grid electrode, a source electrode doped region and a drain electrode doped region, wherein the base plate is provided with a first conduction type; the grid electrode is arranged on the base plate; the source electrode doped region is formed in the base plate, adjacent to a first side edge of the grid electrode, and provided with a second conduction type opposite to the first conduction type; the drain electrode doped region is formed in the base plate and adjacent to a second side edge of the grid electrode, which is opposite to the first side edge, and the drain electrode doped region consists of a plurality of first doped regions with the first conduction type and a plurality of second doped regions with the second conduction type, which are staggered.

公开/授权文献
IPC分类:
H 电学
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L29/00 专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件（H01L31/00至H01L47/00，H01L51/05优先；除半导体或其电极之外的零部件入H01L23/00；由在一个共用衬底内或其上形成的多个固态组件组成的器件入H01L27/00）
H01L29/66 .按半导体器件的类型区分的
H01L29/68 ..只能通过对一个不通有待整流、放大或切换的电流的电极供给电流或施加电位方可进行控制的（H01L29/96优先）
H01L29/76 ...单极器件
H01L29/772 ....场效应晶体管
H01L29/78 .....由绝缘栅产生场效应的
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