公开(公告)号：CN118899332A

公开(公告)日：2024-11-05

申请号：CN202310493552.X

申请日：2023-05-05

申请人： 世界先进积体电路股份有限公司

发明人： 邹振东 ,  李家豪

IPC分类号： H01L29/40 ,  H01L29/06 ,  H01L29/872 ,  H01L27/06

摘要： 本发明提供一种半导体结构及半导体装置，包括：衬底；外延层，设置于衬底上；多个场板结构，包括分别设置于半导体结构的第一单元及第二单元中的第一场板结构及第二场板结构；多个遮蔽层，设置于场板结构的多个底部与外延层之间；上电极层，覆盖场板结构，其中上电极层在第一单元中与外延层分隔且在第二单元中直接接触外延层；以及下电极层，设置于衬底下且与外延层相对。

公开(公告)号：CN118897357A

公开(公告)日：2024-11-05

申请号：CN202310493553.4

申请日：2023-05-05

申请人： 世界先进积体电路股份有限公司

发明人： 罗明城 ,  张睿钧 ,  刘士豪 ,  吕武羲 ,  蔡佑哲 ,  何彦仕

IPC分类号： G02B6/122 ,  G02B6/13 ,  G02B6/136

摘要： 本发明提供了一种光学结构及其形成方法，该方法包括：提供一基板，其中该基板包括一下包覆层以及设置于该下包覆层上的一光通道材料层；对该光通道材料层进行至少一局部氧化工艺以形成嵌入该光通道材料层的多个氧化部件；以及进行一图案化工艺以将该光通道材料层图案化为一光通道层，且在该光通道层的顶部具有一弧面，其中该下包覆层的一介电常数小于该光通道层的一介电常数。

公开(公告)号：CN114487039B

公开(公告)日：2024-11-05

申请号：CN202011143756.3

申请日：2020-10-23

申请人： 世界先进积体电路股份有限公司

发明人： 张正平 ,  李建辉 ,  巫建勋 ,  杨岱宜 ,  陈永祥

IPC分类号： G01N27/22 ,  B81B7/00 ,  B81B7/02 ,  B81C1/00

摘要： 本发明实施例提供一种电容式生物感测器。电容式生物感测器包括：晶体管、设置于晶体管上的内连线结构以及设置于内连线结构上的钝化层。内连线结构包括晶体管上的第一金属结构、第一金属结构上的第二金属结构以及第二金属结构上的第三金属结构。第三金属结构包括依序堆迭的第一导电层、第二导电层与第三导电层。钝化层具有开口，其露出部分的第三金属结构。电容式生物感测器更包括设置于内连线结构上的感测区。感测区包括第一感测电极与第二感测电极，第一感测电极由第三导电层形成，且第二感测电极设置于钝化层上。

公开(公告)号：CN118315382A

公开(公告)日：2024-07-09

申请号：CN202310028829.1

申请日：2023-01-09

申请人： 世界先进积体电路股份有限公司

发明人： 周业宁 ,  林志轩 ,  林文新 ,  邱华琦 ,  许凯杰

IPC分类号： H01L27/02

摘要： 一种半导体结构及静电放电保护装置，包括一衬底、一第一阱、一第一掺杂区、一第二掺杂区、一第三掺杂区、一第二阱、一第四掺杂区以及一第五掺杂区。衬底具有一第一导电型。第一阱设置于衬底之中，并具有一第二导电型。第一掺杂区设置于第一阱之中，并具有第二导电型。第二掺杂区设置于第一阱之中，并具有第一导电型。第三掺杂区设置于第一阱之中，并具有第一导电型。第二阱设置于第一阱之中。第四掺杂区设置于第二阱之中，并具有第一导电型。第五掺杂区设置于第二阱之中，并具有第二导电型。

公开(公告)号：CN118198006A

公开(公告)日：2024-06-14

申请号：CN202211596322.8

申请日：2022-12-13

申请人： 世界先进积体电路股份有限公司

发明人： 郑韦志 ,  李家豪 ,  廖志成

IPC分类号： H01L23/31 ,  H01L23/29 ,  H01L29/423 ,  H01L29/778

摘要： 一种半导体装置，包含半导体通道层和半导体阻挡层设置于基底上，钝化层覆盖半导体阻挡层，第一栅极电极和第二栅极电极侧向分离，且至少部分分别设置于钝化层内，其中沿着第一方向，第一栅极电极的第一栅极长度小于第二栅极电极的第二栅极长度，以及源极电极和漏极电极设置在半导体通道层上，其中第二栅极电极电连接至源极电极，且第一栅极电极和第二栅极电极彼此电性隔离。

公开(公告)号：CN118116902A

公开(公告)日：2024-05-31

申请号：CN202211530264.9

申请日：2022-11-30

申请人： 世界先进积体电路股份有限公司

发明人： 王晟宇

IPC分类号： H01L23/528 ,  H01L21/48 ,  H01L21/762

摘要： 本发明提供一种半导体装置及其形成方法，该半导体装置包括：半导体层；深沟槽隔离结构，将半导体装置分隔为多个单元，且单元包括第一单元及第二单元；浅沟槽隔离结构，在单元中设置于半导体层上；第一电阻层及第二电阻层，分别在第一单元及第二单元中设置于浅沟槽隔离结构上；第一重掺杂区及第二重掺杂区，分别在第一单元及第二单元中嵌入浅沟槽隔离结构且实体接触半导体层；以及导电线路，电连接第一电阻层、第二电阻层、及第二重掺杂区。

公开(公告)号：CN118016711A

公开(公告)日：2024-05-10

申请号：CN202211393376.4

申请日：2022-11-08

申请人： 世界先进积体电路股份有限公司

发明人： 邹振东 ,  廖志成 ,  宋建宪 ,  李家豪 ,  陈姿宣

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336

摘要： 本申请提供一种半导体装置及其形成方法，该半导体装置包括具有第一导电类型的一衬底；形成于前述衬底上的一外延层，且前述外延层具有第一导电类型；自前述外延层的顶表面延伸至前述外延层中的一沟槽结构，前述沟槽结构包括一导电部以及包覆前述导电部的侧壁和底部的一绝缘层；自前述外延层的顶表面延伸至前述外延层中的一阱，前述阱具有一第二导电类型，且前述阱的第一侧壁接触前述沟槽结构，其中在前述阱的一侧和下方为一飘移区，前述飘移区具有第一导电类型且与阱的第二侧壁和底表面接触。半导体装置更包括形成于前述外延层的顶表面上并对应阱的一栅极结构。

公开(公告)号：CN117995843A

公开(公告)日：2024-05-07

申请号：CN202211342165.8

申请日：2022-10-31

申请人： 世界先进积体电路股份有限公司

发明人： 赛沙瓦尔·伊玛目 ,  廖志成 ,  李家豪

IPC分类号： H01L27/088 ,  H01L29/423 ,  H01L21/8234

摘要： 本发明公开了半导体装置及其制造方法，该半导体装置包括：一磊晶层；至少一闸极沟槽，包括一下闸极沟槽和一上闸极沟槽，下闸极沟槽的宽度小于上闸极沟槽的宽度；至少一沟槽闸极结构，设置在至少一闸极沟槽中，至少一沟槽闸极结构包括：一底闸极结构，设置在下闸极沟槽的下部，底闸极结构包括一第一闸极电极和一第一闸极介电层；一中闸极结构，设置在下闸极沟槽的上部，中闸极结构包括一第二闸极电极和一第二闸极介电层，第二闸极介电层的厚度小于第一闸极介电层的厚度；及设置在上闸极沟槽的顶闸极结构，顶闸极结构包括一第三闸极电极和一第三闸极介电层，第三闸极介电层的厚度小于第二闸极介电层的厚度；第一、第二和第三闸极电极彼此分离。

公开(公告)号：CN117995835A

公开(公告)日：2024-05-07

申请号：CN202211332535.X

申请日：2022-10-28

申请人： 世界先进积体电路股份有限公司

发明人： 陈立凡 ,  黄绍璋 ,  李建兴

IPC分类号： H01L27/06 ,  H01L29/778 ,  H10N97/00

摘要： 一种半导体器件，包含高电子迁移率晶体管，设置在环状主动组件区中，以及电阻器，设置在被环状主动组件区围绕的被动组件区中。高电子迁移率晶体管包含化合物半导体阻障层的第一部份，堆栈在化合物半导体信道层的第一部份上，以及源极电极、栅极电极和漏极电极，设置在化合物半导体阻障层的第一部份上。电阻器包含化合物半导体阻障层的第二部份，堆栈在化合物半导体信道层的第二部份上，以及输入端电极，设置在化合物半导体阻障层的第二部份上，且位于被动组件区的中心。

公开(公告)号：CN117401644A

公开(公告)日：2024-01-16

申请号：CN202210789543.0

申请日：2022-07-06

申请人： 世界先进积体电路股份有限公司

发明人： 张汇文 ,  拉奇许·昌德 ,  周国富 ,  罗希特·普利卡尔·基扎克伊尔 ,  拉玛奇德拉玛尔斯·彼拉迪·叶蕾哈卡

IPC分类号： B81C1/00 ,  B81B7/00 ,  B81B7/02

摘要： 一种微机电装置，包含支撑基板、空腔、停止部件、微机电结构和键合介电层。空腔位于支撑基板的顶面，停止部件与空腔相邻，停止部件的顶面与支撑基板的顶面在同一高度。微机电结构设置于支撑基板上，微机电结构包含质量块和悬臂，质量块设置在停止部件正上方，悬臂设置在空腔正上方，键合介电层设置在支撑基板的顶面和微机电结构的底面之间。