发明授权
CN101928147B 一种基于硅烷铝酸酯双组份偶联剂碳化硅陶瓷制造方法
失效 - 权利终止
- 专利标题: 一种基于硅烷铝酸酯双组份偶联剂碳化硅陶瓷制造方法
- 专利标题(英): Method for manufacturing silicon carbide ceramics based on silane and ester aluminate double-component coupling agent
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申请号: CN200910161248.5申请日: 2009-07-20
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公开(公告)号: CN101928147B公开(公告)日: 2013-05-15
- 发明人: 水淼 , 任元龙 , 舒杰 , 王青春 , 黄峰涛 , 宋岳
- 申请人: 宁波大学
- 申请人地址: 浙江省宁波市江北区风华路818号宁波大学29号信箱
- 专利权人: 宁波大学
- 当前专利权人: 宁波大学
- 当前专利权人地址: 浙江省宁波市江北区风华路818号宁波大学29号信箱
- 主分类号: C04B35/622
- IPC分类号: C04B35/622 ; C04B35/64 ; C04B35/63 ; C04B35/565
摘要:
一种基于硅烷铝酸酯双组份偶联剂碳化硅陶瓷的制造方法,其特征在于采用了硅烷铝酸酯双组份偶联剂键合的SiC-Al2O3-Y2O3体系,Al2O3和Y2O3为体系的烧结助剂,双组份偶联剂通过烷氧基的水解在主体SiC表面及助剂Al2O3、Y2O3表面形成牢固的化学键合,同时通过两种偶联剂之间的基团反应在主体碳化硅表层形成牢固而致密的烧结助剂包覆层;将主要原料碳化硅粉(0.5-5微米)、硅烷偶联剂A、铝酸酯偶联剂B、Al2O3、Y2O3(<200纳米)烧结助剂通过分步高能球磨后经过过筛、成型、固化、高温烧结等主要工艺步骤,形成碳化硅陶瓷产品。该方法能在1800℃的低温下通过简单的工艺过程烧结制备得到相对致密度超过98%的致密碳化硅陶瓷,极大地降低了碳化硅生产过程的能源消耗。
公开/授权文献
- CN101928147A 一种基于硅烷铝酸酯双组份偶联剂碳化硅陶瓷制造方法 公开/授权日:2010-12-29