发明授权
- 专利标题： 用于将选择性的低温钌沉积集成到半导体器件的铜金属化中的方法
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申请号： CN200980110629.9申请日： 2009-01-19
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公开(公告)号： CN101981686B公开(公告)日： 2016-03-02
- 发明人: 铃木健二 , 定免美保 , 乔纳森·鲁勒安
- 申请人： 东京毅力科创株式会社
- 申请人地址： 日本东京都
- 专利权人： 东京毅力科创株式会社
- 当前专利权人： 东京毅力科创株式会社
- 当前专利权人地址： 日本东京都
- 代理机构： 北京集佳知识产权代理有限公司
- 代理商 蔡胜有
- 优先权： 12/018,074 2008.01.22 US
- 国际申请： PCT/US2009/031414 2009.01.19
- 国际公布： WO2009/094325 EN 2009.07.30
- 进入国家日期： 2010-09-25
- 主分类号： H01L21/768
- IPC分类号： H01L21/768 ; H01L23/532
摘要：
一种用于将低温选择性Ru金属沉积集成到半导体器件的制造中以改善块Cu金属中的el电迁移和应力迁移的方法。该方法包括以下步骤：提供图案化衬底，所述图案化衬底包括位于电介质层(304)中的凹入特征，所述凹入特征至少基本填充平坦化块Cu金属(322)；在存在H2、N2或NH3、或者其组合的情况下对所述平坦化块Cu金属和所述电介质层进行热处理；以及将Ru金属膜(324)选择性地沉积在经热处理的所述平坦化块Cu金属上。
公开/授权文献
- CN101981686A 用于将选择性的低温钌沉积集成到半导体器件的铜金属化中的方法 公开/授权日：2011-02-23
IPC分类:
