公开(公告)号：CN1769520A

公开(公告)日：2006-05-10

申请号：CN200510109236.X

申请日：2005-10-17

申请人： 东京毅力科创株式会社

发明人： 定免美保 ,  原谦一

IPC分类号： C23C18/16

CPC分类号： C23C18/1619

摘要： 本发明提供无电解电镀装置。在无电解电镀液中包含含有金属盐的第一药液和含有还原剂的第二药液。在各药液供给管的合流处附近分别设置有药液用开关单元，同时在第一和第二药液合流的无电解电镀液供给管的排出口附近设置了电镀液开关单元。被上述开关单元围绕的所述无电电镀供给管内的电镀液等于在一块基板上进行无电镀处理所需要的排出量。再者，两种药液的混合只在一块基板的电镀工序开始后到下一块基板的电镀开始前的时间内进行。

公开(公告)号：CN1685081A

公开(公告)日：2005-10-19

申请号：CN03822688.X

申请日：2003-05-23

申请人： 东京毅力科创株式会社

发明人： 丸茂吉典 ,  佐藤浩 ,  定免美保

IPC分类号： C23C18/31 ,  H01L21/288

CPC分类号： H01L21/6715 ,  C23C18/28 ,  H01L21/288

摘要： 在扩散限制层(例如，阻挡层)上形成由对于无电解镀膜中包含的还原剂具有催化剂活性的催化剂活性材料构成的催化剂活性核后，用无电解镀液进行无电解镀。由催化剂活性核促进无电解镀膜中包含的还原剂的反应，能够在阻挡层上形成无电解镀膜。

公开(公告)号：CN101981686A

公开(公告)日：2011-02-23

申请号：CN200980110629.9

申请日：2009-01-19

申请人： 东京毅力科创株式会社

发明人： 铃木健二 ,  定免美保 ,  乔纳森·鲁勒安

IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L23/532

CPC分类号： H01L21/76849 ,  C23C16/0218 ,  C23C16/16 ,  C23C16/4482 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/76883 ,  H01L23/53238 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 一种用于将低温选择性Ru金属沉积集成到半导体器件的制造中以改善块Cu金属中的el电迁移和应力迁移的方法。该方法包括以下步骤：提供图案化衬底，所述图案化衬底包括位于电介质层(304)中的凹入特征，所述凹入特征至少基本填充平坦化块Cu金属(322)；在存在H2、N2或NH3、或者其组合的情况下对所述平坦化块Cu金属和所述电介质层进行热处理；以及将Ru金属膜(324)选择性地沉积在经热处理的所述平坦化块Cu金属上。

公开(公告)号：CN101965636A

公开(公告)日：2011-02-02

申请号：CN200980108032.0

申请日：2009-03-05

申请人： 东京毅力科创株式会社

发明人： 铃木健二 ,  五味淳 ,  定免美保

IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L23/532

CPC分类号： H01L21/76843 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/76864 ,  H01L21/76873 ,  H01L23/53238 ,  H01L2221/1089 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明提供一种用于控制衬底上铜聚集和用于形成集成电路中凹入特征的无空隙块状金属铜填充的方法。在一个实施例中，该方法包括：提供具有图案的衬底，而该图案包括上表面和至少一个凹入特征，而该凹入特征至少包括侧壁表面和下表面；在该衬底图案上沉积屏蔽膜；并且在该屏蔽膜上沉积含金属润湿膜。该方法还包括通过物理气象沉积法在该含金属润湿膜上沉积金属铜，其中衬底温度足够高，由此在该含金属润湿膜上形成光滑金属铜种层。可在至少一个凹入特征中电镀无空隙块状金属铜。

公开(公告)号：CN101981686B

公开(公告)日：2016-03-02

申请号：CN200980110629.9

申请日：2009-01-19

申请人： 东京毅力科创株式会社

发明人： 铃木健二 ,  定免美保 ,  乔纳森·鲁勒安

IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L23/532

CPC分类号： H01L21/76849 ,  C23C16/0218 ,  C23C16/16 ,  C23C16/4482 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/76883 ,  H01L23/53238 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 一种用于将低温选择性Ru金属沉积集成到半导体器件的制造中以改善块Cu金属中的el电迁移和应力迁移的方法。该方法包括以下步骤：提供图案化衬底，所述图案化衬底包括位于电介质层(304)中的凹入特征，所述凹入特征至少基本填充平坦化块Cu金属(322)；在存在H2、N2或NH3、或者其组合的情况下对所述平坦化块Cu金属和所述电介质层进行热处理；以及将Ru金属膜(324)选择性地沉积在经热处理的所述平坦化块Cu金属上。

公开(公告)号：CN1681965A

公开(公告)日：2005-10-12

申请号：CN03822311.2

申请日：2003-05-23

申请人： 东京毅力科创株式会社

发明人： 丸茂吉典 ,  定免美保 ,  小宫隆行 ,  佐藤浩 ,  郑基市

IPC分类号： C23C18/31 ,  H01L21/288

CPC分类号： C23C18/1619 ,  C23C18/1669 ,  C23C18/1678

摘要： 通过使保持于基板保持部上的基板和板的间隔接近，从处理液喷出部喷出处理液，可以对基板进行无电解镀。由于处理液流过基板和板之间的间隙，所以在基板上产生处理液流，可以向基板上供给新鲜的处理液。其结果，即使在处理液为少量的情况下，也能在基板上形成均匀性良好的镀膜。