公开(公告)号：CN113302723B

公开(公告)日：2024-04-12

申请号：CN202080007255.4

申请日：2020-02-07

申请人： 东京毅力科创株式会社

发明人： 吉备和雄 ,  藤田滋继 ,  铃木健二 ,  冈田充弘

IPC分类号： H01L21/321 ,  H01L21/768 ,  H01L21/3205

摘要： 本发明提供半导体装置的制造方法，包括：平坦化工序、层叠工序、孔形成工序、埋入工序以及去除工序。在平坦化工序中，通过使在第一孔埋入有导电材料的基板的表面平坦化，使被埋入至第一孔的导电材料露出，其中，形成该第一孔的区域是在层叠在基板上的绝缘膜上的区域且是被隔离膜包围的区域内。在层叠工序中，在基板的表面层叠掩模膜。在孔形成工序中，以使被埋入至第一孔的导电材料的上表面的至少一部分露出的方式，在掩模膜形成第二孔。在第二埋入工序中，在第二孔埋入导电材料。在去除工序中，去除掩模膜。

公开(公告)号：CN101044258B

公开(公告)日：2010-08-18

申请号：CN200580035895.1

申请日：2005-10-18

申请人： 东京毅力科创株式会社

发明人： 池田太郎 ,  铃木健二 ,  波多野达夫 ,  水泽宁

IPC分类号： C23C14/34 ,  C23C14/14 ,  C23C14/06 ,  H01L21/285 ,  H01L21/3205 ,  H01L23/52

CPC分类号： H01L21/2855 ,  C23C14/046 ,  C23C14/3471 ,  H01J37/34 ,  H01J2237/3327 ,  H01L21/76844 ,  H01L21/76865 ,  H01L21/76871 ,  H01L21/76876 ,  H01L21/76877 ,  H01L2221/1089

摘要： 本发明涉及利用等离子体溅射在半导体晶片(S)的上面和在上面开口的凹部的表面形成金属薄膜的技术。本发明的成膜方法的特征在于：利用放电气体的等离子体在处理容器(14)内溅射金属靶(56)而产生金属离子，同时，对载置台(20)施加偏置电力，其中，该电力的大小使在处理体(S)上面通过金属离子的引入进行的金属膜的沉积和通过放电气体的等离子体进行的溅射蚀刻同时发生。

公开(公告)号：CN100446218C

公开(公告)日：2008-12-24

申请号：CN200610149469.7

申请日：2001-11-13

申请人： 东京毅力科创株式会社

发明人： 山崎英亮 ,  立花光博 ,  大久保和哉 ,  铃木健二 ,  河野有美子

IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L21/285 ,  H01L21/3205

CPC分类号： H01L21/76843 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/76876 ,  H01L21/76877

摘要： 一种金属膜形成方法，其特征在于，包括以下工序：将硅基板载置于处理容器内的工序；将含有金属的气体和反应气体交替地多次供给到所述处理容器，并且在交替地供给所述含有金属的气体和所述反应气体之间对所述处理容器进行真空排气或者气体置换，在所述硅基板上形成第一金属膜的工序；和将所述含有金属的气体和还原气体同时供给到所述处理容器，在所述第一金属膜上形成第二金属膜的工序。

公开(公告)号：CN101164161A

公开(公告)日：2008-04-16

申请号：CN200680010435.8

申请日：2006-03-23

申请人： 东京毅力科创株式会社

发明人： 铃木健二

IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L23/532 ,  C23C16/16 ,  C23C16/448

CPC分类号： H01L23/53238 ,  C23C16/045 ,  C23C16/16 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76871 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 提供了一种用于沉积低电阻率钌金属层(440、460)的低温化学气相沉积工艺，这种低电阻率钌金属层(440、460)可以在Cu金属化方案中用作阻挡/晶种层。该方法(300)包括在沉积系统(1、100)的处理室(10、110)中提供衬底(25、125)，形成包含羰基钌前驱体蒸汽和含CO气体的处理气体，以及将衬底(25、125)暴露于处理气体以通过热化学气相沉积工艺在衬底(25、125)上沉积低电阻率钌金属层(440、460)，其中衬底(25、125)在所述暴露期间被维持在约100℃和约300℃之间的温度。还提供了包含钌金属层(440、460)的半导体器件，钌金属层(440、460)形成在包含一个或多个过孔或沟槽(430)或其组合的图案化衬底(402、404、406、408)上。

公开(公告)号：CN101065515A

公开(公告)日：2007-10-31

申请号：CN200580040912.0

申请日：2005-10-03

申请人： 东京毅力科创株式会社

发明人： 铃木健二 ,  以马利·盖德帝 ,  格利特·J·莱乌辛克 ,  原正道 ,  黑岩大祐

IPC分类号： C23C16/448

CPC分类号： C23C16/4481 ,  C23C16/16

摘要： 本发明描述了用于与高传导率蒸汽传输系统相耦合的多盘固态前驱体蒸发系统(50、150、300、300’)的可置换前驱体盘，其用于通过增大固态前驱体的暴露表面积来增大沉积速率。多盘固态前驱体蒸发系统(50、150、300、300’)被配置为耦合到薄膜沉积系统(1、100)的处理室(10、110)，并且包括基座盘(330)以及一个或多个可堆叠上部盘(340)。每个盘(330、340)被配置为支撑并保持例如固态粉末形式或固态片形式的膜前驱体(350)。另外，每个盘(330、340)被配置为在加热膜前驱体(350)的同时提供膜前驱体(350)上方的载气的高传导率流动。例如，载气在膜前驱体(350)上方向内流动，并且垂直地向上经过可堆叠盘(370、370’)内部的流动通道(318)，并经过固态前驱体蒸发系统(50、150、300、300’)中的出口(322)。

公开(公告)号：CN101044259A

公开(公告)日：2007-09-26

申请号：CN200580035907.0

申请日：2005-10-18

申请人： 东京毅力科创株式会社

发明人： 铃木健二 ,  池田太郎 ,  波多野达夫 ,  水泽宁

IPC分类号： C23C14/34 ,  H01L21/3205 ,  C23C14/14 ,  H01L23/52 ,  H01L21/285

CPC分类号： H01L21/2855 ,  C03C17/09 ,  C03C2218/153 ,  C03C2218/33 ,  C23C14/046 ,  C23C14/14 ,  C23C14/345 ,  C23C14/3464 ,  C23C14/352 ,  H01J37/32706 ,  H01J37/34 ,  H01L21/2885 ,  H01L21/76877

摘要： 本发明提供一种利用等离子体使金属靶(56)离子化，产生金属离子，利用偏置电力将金属离子引入到在处理容器内的载置台(20)上载置的被处理体(S)，使金属膜(74)沉积在形成有凹部(2)的被处理体上以填充凹部的方法。设定偏置电力，使得在被处理体表面，因金属离子的引入而产生的金属沉积速率和等离子体溅射蚀刻的蚀刻速率大致均衡。由此，能够向被处理体的凹部填充金属，而不会产生空隙等缺陷。

公开(公告)号：CN106011777B

公开(公告)日：2019-04-12

申请号：CN201610176793.1

申请日：2016-03-25

申请人： 东京毅力科创株式会社

发明人： 铃木健二 ,  前川浩治 ,  堀田隼史

IPC分类号： C23C16/14 ,  C23C16/455

摘要： 本发明涉及钨膜的成膜方法。[课题]即使进行器件的微细化、复杂化，通过使用氯化钨气体作为原料气体的ALD法，也能够以良好的嵌入性形成具有良好的密合性的钨膜。[解决手段]具备如下工序：主钨膜成膜工序：以间隔腔室内的吹扫的方式依次向腔室内供给氯化钨气体和还原气体来形成主钨膜；以及、初始钨膜成膜工序：先于主钨膜成膜工序，使氯化钨气体的供给量少于主钨膜成膜工序，以间隔吹扫气体的供给的方式依次向腔室内供给氯化钨气体和还原气体，或者同时向腔室内供给氯化钨气体和还原气体，从而在基底膜上形成初始钨膜。

公开(公告)号：CN101965635B

公开(公告)日：2014-02-12

申请号：CN200880106629.7

申请日：2008-09-09

申请人： 东京毅力科创株式会社

发明人： 铃木健二

IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L21/285 ,  H01L23/532

CPC分类号： H01L23/53238 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76849 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明涉及一种用于将Ru金属的选择性沉积集成到半导体器件的制造中以改善块Cu中的电迁移和应力迁移的方法。该方法包括利用包含Ru3(CO)12前躯体蒸汽和CO气体的处理气体通过热化学气相沉积工艺在金属化层(302)或块Cu(322)上选择性沉积Ru金属膜(312，324)。并且，本发明描述了包含一个或多个选择性沉积的Ru金属膜的半导体器件。

公开(公告)号：CN100572591C

公开(公告)日：2009-12-23

申请号：CN200580040103.X

申请日：2005-10-03

申请人： 东京毅力科创株式会社 ,  国际商业机器公司

发明人： 铃木健二 ,  以马利·盖德帝 ,  格利特·J·莱乌辛克 ,  芬顿·R·麦克非 ,  桑德拉·G·马尔霍特拉

IPC分类号： C23C16/16 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L21/76843 ,  C23C16/16 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76873

摘要： 本发明描述了一种用于通过将羰基金属前驱体(52、152)的蒸汽与CO气体混合来增大以羰基金属前驱体(52、152)形成的金属层的沉积速率的方法(300)。该方法(300)包括在沉积系统(1、100)的处理室(10、110)中提供衬底(25、125)，形成包含羰基金属前驱体蒸汽和CO气体的处理气体，以及将衬底(25、125、400、402)暴露于处理气体以通过热化学气相沉积工艺在衬底(25、125、400、402)上沉积金属层(440、460)。

公开(公告)号：CN101072894A

公开(公告)日：2007-11-14

申请号：CN200580040101.0

申请日：2005-10-03

申请人： 东京毅力科创株式会社

发明人： 铃木健二

IPC分类号： C23C16/16 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L21/76846 ,  C23C16/16 ,  H01L21/28556

摘要： 本发明描述了一种用于利用CO气体和稀释气体增大以羰基金属前驱体(52、152)形成的金属层(440、460)的沉积速率的方法(300)和沉积系统(1、100)。该方法(300)包括在处理系统(1、100)的处理室(10、110)中提供衬底(25、125、400、402)，形成包含羰基金属前驱体蒸汽和CO气体的处理气体，在处理室(10、110)中稀释处理气体，以及将衬底(25、125、400、402)暴露于经稀释的处理气体以通过热化学气相沉积工艺在衬底(25、125、400、402)上沉积金属层(440、460)。沉积系统(1、100)包含衬底夹持器(20、120)、前驱体传输系统(105)、稀释气体源(37、137)和控制器(165)，其中衬底夹持器(20、120)被配置用于在具有蒸汽分配系统(30、130)的处理室(10、110)中支撑并加热衬底(25、125、400、402)，前驱体传输系统(105)被配置用于形成包含羰基金属前驱体蒸汽和CO气体的处理气体并将处理气体引入蒸汽分配系统(30、130)，稀释气体源(37、137)被配置用于在处理室(10、110)中向处理气体添加稀释气体，控制器(165)被配置用于在将衬底(25、125、400、402)暴露于经稀释的处理气体以通过热化学气相沉积工艺在衬底(25、125、400、402)上沉积金属层(440、460)的期间控制沉积系统(1、100)。