发明授权
- 专利标题: 用于铜柱结构的自对准保护层
- 专利标题(英): Self-aligned protection layer for copper post structure
-
申请号: CN201010272216.5申请日: 2010-08-31
-
公开(公告)号: CN102005417B公开(公告)日: 2013-01-09
- 发明人: 刘重希 , 余振华
- 申请人: 台湾积体电路制造股份有限公司
- 申请人地址: 中国台湾新竹
- 专利权人: 台湾积体电路制造股份有限公司
- 当前专利权人: 台湾积体电路制造股份有限公司
- 当前专利权人地址: 中国台湾新竹
- 代理机构: 北京德恒律师事务所
- 代理商 陆鑫; 熊须远
- 优先权: 61/238,749 2009.09.01 US; 12/786,698 2010.05.25 US
- 主分类号: H01L23/00
- IPC分类号: H01L23/00
摘要:
一种形成在钝化层中的铜柱,用以与下部的接合焊盘区域电连接,并且延伸以从钝化层中突出。保护层以自对准方式形成在铜柱的侧壁表面和顶表面。保护层是含锰氧化层、含锰氮化层或者含锰氮氧化层。
公开/授权文献
- CN102005417A 用于铜柱结构的自对准保护层 公开/授权日:2011-04-06
IPC分类: