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公开(公告)号：CN112103256B
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN201910966876.4
申请日：2019-10-12
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/31 , H01L23/535
Abstract: 本揭露实施例是有关于一种半导体装置及其制造方法。在本揭露实施例中，半导体装置包括封装组件，所述封装组件包括：多个集成电路管芯；包封体，位于所述多个集成电路管芯周围；重布线结构，位于所述包封体及所述多个集成电路管芯之上，所述重布线结构电耦合到所述多个集成电路管芯；多个插座，位于所述重布线结构之上，所述多个插座电耦合到所述重布线结构；以及支撑环，位于所述重布线结构之上且环绕所述多个插座，所述支撑环沿所述重布线结构的最外边缘设置，所述支撑环在横向上至少部分地与所述重布线结构交叠。
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公开(公告)号：CN119403134A
公开(公告)日：2025-02-07
申请号：CN202411417950.4
申请日：2024-10-11
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 封装件包括：中介层，其中，中介层包括第一波导和光学耦合至第一波导的第一反射器；以及光学封装件，附接至中介层，其中，光学封装件包括：第二波导；以及第二反射器，第二反射器光学耦合至第二波导，其中，第二反射器与第一反射器垂直对准。本申请的实施例还涉及形成封装件的方法。
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公开(公告)号：CN119403133A
公开(公告)日：2025-02-07
申请号：CN202411417948.7
申请日：2024-10-11
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 封装件包括中介层；连接到中介层的光子互连结构，其中，光子互连结构包括：光子组件；光耦合到光子组件的波导；和电耦接到光子组件的电子管芯；以及电连接到中介层的管芯，其中，管芯通过中介层电耦接到光子互连结构。本公开的实施例还提供了形成封装件的方法。
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公开(公告)号：CN119179144A
公开(公告)日：2024-12-24
申请号：CN202411209756.7
申请日：2024-08-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G02B6/42
Abstract: 提出了光学器件和制造方法，其中利用多层级连接件来向光学器件发送光信号并且从光学器件接收光信号。在实施例中，多层级连接单元从光学器件的外部接收光信号，其中，光信号最初位于多个层中。然后，多层级连接单元将光信号布线至单个层的光学组件中。本申请的实施例还涉及半导体器件及其制造方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113451150B
公开(公告)日：2024-12-24
申请号：CN202110644439.8
申请日：2021-06-09
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 方法包括形成第一光子封装件，其中，形成第一光子封装件包括：图案化硅层以形成第一波导，其中，硅层位于氧化物层上，并且其中，氧化物层位于衬底上；形成延伸至衬底中的通孔；在第一波导和通孔上方形成第一再分布结构，其中，第一再分布结构电连接至通孔；将第一半导体器件连接至第一再分布结构；去除衬底的第一部分以形成第一凹槽，其中，第一凹槽暴露氧化物层；以及利用第一介电材料填充第一凹槽以形成第一介电区域。本申请的实施例还涉及封装件及其制造方法。
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公开(公告)号：CN119132975A
公开(公告)日：2024-12-13
申请号：CN202411012245.6
申请日：2024-07-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 提供一种形成半导体封装的方法。所述方法包括形成从基板的顶表面凹陷的微透镜，微透镜的表面与基板的顶表面之间形成凹形区域。所述方法包括使用旋涂制程沉积填充凹形区域的一部分的第一介电材料。所述方法包括使用化学气相沉积制程沉积填充凹形区域的剩余部分并覆盖基板的顶表面的第二介电材料。所述方法包括平坦化第二介电材料。所述方法包括在平坦化的第二介电材料上以及基板的顶表面之上形成接合层。所述方法包括经由接合层将半导体晶圆接合至基板。
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公开(公告)号：CN118795619A
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202410799298.0
申请日：2024-06-20
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G02B6/42
Abstract: 本申请的实施例公开了一种光子组件及其形成方法，该光子组件包括：复合管芯，包括PIC管芯和EIC管芯，PIC管芯中包括波导和光子器件，并且EIC管芯中包含半导体器件；光学连接器单元，包括第一连接器侧镜反射器和第一过渡边缘耦合器，并且附接到复合管芯的顶表面，其中第一连接器侧镜反射器被配置为在穿过复合管芯的垂直延伸光束路径与穿过第一过渡边缘耦合器的水平延伸光束路径之间改变光束方向；以及光纤阵列单元组件，附接到光学连接器单元的侧壁。
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公开(公告)号：CN112687671B
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202011107459.3
申请日：2020-10-16
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 在实施例中，结构包括：处理器器件，该处理器器件包括逻辑器件并且没有存储器；第一存储器器件，通过金属至金属接合和电介质至电介质接合而直接面对面地接合至处理器器件；横向地围绕第一存储器器件的第一介电层；位于第一介电层和第一存储器器件上方的再分布结构，该再分布结构包括金属化图案；以及延伸穿过第一介电层的第一导电通孔，第一导电通孔将再分布结构的金属化图案连接至处理器器件。本发明的实施例还涉及集成电路结构及其形成方法。
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公开(公告)号：CN112242381B
公开(公告)日：2024-08-27
申请号：CN202010690879.2
申请日：2020-07-17
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/538 , H01L23/31 , H01L21/56 , H01L21/768
Abstract: 在实施例中，集成电路器件包括：集成电路管芯；至少部分地围绕集成电路管芯的密封剂；以及再分布结构，再分布结构包括：位于密封剂和集成电路管芯上方的多个介电层；以及位于介电层中的多个金属化图案，该金属化图案电连接至集成电路管芯；以及位于介电层中的密封环，该密封环围绕金属化图案延伸，该密封环与金属化图案和集成电路管芯电隔离，该密封环包括多个密封环层，每个密封环层包括延伸穿过相应的一个介电层的通孔部分，每个密封环层的通孔部分沿着同一共用轴线对准。本发明的实施例还涉及形成集成电路器件的方法。
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