发明授权
CN102005418B 半导体装置及其制造方法
失效 - 权利终止
- 专利标题: 半导体装置及其制造方法
- 专利标题(英): Semiconductor device and method for manufacturing same
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申请号: CN201010254717.0申请日: 2010-08-11
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公开(公告)号: CN102005418B公开(公告)日: 2013-09-11
- 发明人: 岩崎富生
- 申请人: 株式会社日立制作所
- 申请人地址: 日本东京
- 专利权人: 株式会社日立制作所
- 当前专利权人: 株式会社日立制作所
- 当前专利权人地址: 日本东京
- 代理机构: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
- 代理商 王永红
- 优先权: 2009-199189 2009.08.31 JP
- 主分类号: H01L23/29
- IPC分类号: H01L23/29 ; H01L21/56
摘要:
本发明涉及半导体装置及其制造方法,是在具有半导体基片、与该半导体基片电连接的以金属作为主构成材料的多根引线、把该半导体基片密封的密封体的半导体装置中,提供一种上述引线与密封体(模制密封体)的粘合性提高,不产生剥离的半导体装置。在具有半导体基片(5)、与该半导体基片电连接的以金属作为主构成材料的多根引线(3)、把该半导体基片密封的密封体(2)的半导体装置中,为了提高上述引线(3)与密封体(模制密封体)的粘合性,作为引线(3)的表面材料与密封体(2)的组合,采用晶格整合性良好的材料组合,采用并苯类作为主构成材料的密封体(2)。
公开/授权文献
- CN102005418A 半导体装置及其制造方法 公开/授权日:2011-04-06
IPC分类: