-
公开(公告)号：CN104364947A
公开(公告)日：2015-02-18
申请号：CN201280073556.2
申请日：2012-05-31
申请人： 株式会社日立制作所
发明人： 岩崎富生
IPC分类号： H01M4/62 , H01M4/131 , H01M4/133 , H01M10/0525
CPC分类号： H01M4/622 , H01M4/131 , H01M4/133 , H01M4/485 , H01M4/505 , H01M4/525 , H01M4/62 , H01M10/0525 , H01M2220/30
摘要： 本发明提供锂离子二次电池，其中，在正极及负极的至少一方中，使活性物质粘结在集电体上的粘合剂含有由具有苯环的树脂构成的基础材料和选自由萘、蒽及丁省以及它们的衍生物构成的组中的聚并苯添加剂，且该活性物质为碳质材料，或为晶体结构中的最接近的氧间距离为0.19～0.29nm的含锂复合氧化物。根据本发明的锂离子二次电池的构成，在其制造时，粘合剂在活性物质上的附着引入到活性物质的晶体结构中的最密晶面中，因此，能够降低起因于粘合剂的活性物质中的锂离子的出入的阻碍。
-
公开(公告)号：CN101814576B
公开(公告)日：2012-08-01
申请号：CN200910204214.X
申请日：2009-10-14
申请人： 株式会社日立制作所
发明人： 岩崎富生
IPC分类号： H01L41/083 , H01L41/047 , H01L41/18
CPC分类号： H01L41/083 , H01L41/0471 , H01L41/0472 , H01L41/1871
摘要： 提供一种压电性能高、位移大且可靠性高的压电元件。该压电元件具有以BaTi2O5为主要构成材料的压电材料体、和向压电材料体施加电压的内部电极，内部电极的主要构成材料采用与压电材料BaTi2O5的晶格匹配性好的电极材料(Ru与RuO2的混合物)。
-
公开(公告)号：CN1830561B
公开(公告)日：2010-05-12
申请号：CN200610004432.5
申请日：2006-02-14
申请人： 株式会社日立制作所
发明人： 岩崎富生
CPC分类号： B01J37/347 , B01D53/945 , B01J21/185 , B01J27/22 , B01J35/0013 , B01J35/002 , B01J37/0217 , B01J37/0225 , B01J37/0238 , B82Y30/00 , Y02T10/22
摘要： 本发明提供催化剂活性高的催化剂结构，并提供功能强的排气处理系统。本发明的催化剂结构具有载体、在前述载体上形成的毫微粒、和在前述毫微粒上形成的催化剂粒子，构成前述载体的材料的晶格常数与构成前述毫微粒的材料的晶格常数之差是1％～16％。
-
公开(公告)号：CN101667563A
公开(公告)日：2010-03-10
申请号：CN200910166793.3
申请日：2009-08-20
申请人： 株式会社日立制作所
发明人： 岩崎富生
IPC分类号： H01L23/48 , H01L23/29 , H01L21/48 , H01L21/50 , C08L67/00 , C08K5/5435 , C08G63/695
CPC分类号： H01L23/49582 , H01L23/3142 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/97 , H01L2224/451 , H01L2224/45139 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48465 , H01L2224/48639 , H01L2224/48644 , H01L2224/48664 , H01L2224/78301 , H01L2224/85439 , H01L2224/85444 , H01L2224/85464 , H01L2924/00014 , H01L2924/01046 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/1306 , H01L2924/181 , H01L2924/00 , H01L2924/00015 , H01L2924/00012 , H01L2224/05599
摘要： 本发明的目的在于提供一种提高引线和密封体树脂(模树脂)的粘合性、不引起剥离、可靠性高的半导体器件。所述半导体器件具有半导体芯片和与所述半导体芯片电连接的以金属作为主构成材料的多根引线、以及密封所述半导体芯片的树脂，其特征在于，所述多根引线具有从所述树脂中露出的外引线部分和埋入所述树脂中的内引线部分；所述树脂含有具有苯环的芳香族化合物和/或具有环己烷环的化合物；在所述内引线部分的表面材料与所述树脂接触的界面上的所述树脂中含有的苯环和/或环己烷环、和作为所述内引线部分的表面材料的主构成材料的金属原子重叠排列。
-
公开(公告)号：CN101315775A
公开(公告)日：2008-12-03
申请号：CN200810099842.1
申请日：2008-05-29
申请人： 株式会社日立制作所
CPC分类号： G11B5/855
摘要： 本发明提供一种磁盘及其制造方法，在离散磁道介质或图案化介质中，防止在磁盘装置的磁头和磁盘接触时的磁信息消失。在本发明中，作为第一特征，为了防止磁头与记录部(10)的接触，在盘表面上制作非磁性材料的突起部(7)；作为第二特征，采用该突起部(7)被埋入盘基板(1)中，即使磁头与突起部(7)碰撞、也不会发生突起部(7)倒塌而对记录层(5)带来损坏的情况的结构，或者，采用将基板表面加工成凹凸状，把所述凸部作为突起部(7)进行利用的结构。
-
公开(公告)号：CN1252832C
公开(公告)日：2006-04-19
申请号：CN03148711.4
申请日：2003-06-24
申请人： 株式会社日立制作所 , 联晶半导体股份有限公司
IPC分类号： H01L29/78 , H01L27/115 , H01L21/8247 , G11C16/02
CPC分类号： H01L27/11526 , H01L21/28123 , H01L21/76224 , H01L21/823481 , H01L27/105 , H01L27/11546
摘要： 本发明的目的在于提供可以有效地抑制在衬底上产生的晶体缺陷，性能良好的半导体器件和制造方法。其特征在于包括：半导体衬底，具有上述半导体衬底上形成的沟和埋入到上述沟内的埋入绝缘膜的元件隔离区，和与上述元件隔离区相邻接且形成有栅极绝缘膜和栅极绝缘膜上边的栅极电极的有源区域，上述栅极电极的至少一部分位于上述元件隔离区上边，且存在有上述栅极电极的第1元件隔离区的上述埋入绝缘膜的上侧的第1端面，位于比不存在上述栅极电极膜的第2元件隔离区的上述埋入绝缘膜的第2端面更往上边的区域。
-
公开(公告)号：CN1591901A
公开(公告)日：2005-03-09
申请号：CN200410058869.8
申请日：2004-07-30
申请人： 株式会社日立制作所
IPC分类号： H01L29/78 , H01L27/04 , H01L27/088 , H01L21/283 , H01L21/314 , H01L21/8234
CPC分类号： H01L27/11521 , H01L21/28035 , H01L21/28202 , H01L21/823456 , H01L21/823462 , H01L21/82385 , H01L21/823857 , H01L27/115 , H01L29/518 , H01L29/7842 , H01L29/7845 , H01L29/7881
摘要： 本发明提供一种形成多个具有栅极绝缘膜的晶体管的半导体装置，充分抑制通过栅极绝缘膜流过的泄漏电流。该半导体装置，其特征在于：形成具有半导体衬底、在上述衬底上形成的栅极绝缘膜、和在上述栅极绝缘膜上形成的栅电极的场效应晶体管，上述栅极绝缘膜以氮氧化硅(SiON)为主成分，上述栅极绝缘膜的变形状态是压缩变形状态。
-
公开(公告)号：CN101055824B
公开(公告)日：2010-08-11
申请号：CN200710097045.5
申请日：2007-04-12
申请人： 株式会社日立制作所
发明人： 岩崎富生
CPC分类号： H01L28/65 , B82Y10/00 , H01J1/312 , H01J2329/00
摘要： 本发明提供一种耐热性高的薄膜型电子源。在包括衬底、在上述衬底的一个主表面一侧形成的下部电极、与上述下部电极相接触地形成的绝缘层、以及与上述绝缘层相接触地形成的上部电极的薄膜电子源中，上述上部电极为第1基础层、第2基础层、中间层、表面层的层积结构，上述第1基础层以IrO2或RuO2作为主要构成材料，上述第2基础层以Ir或Ru作为主要构成材料，上述中间层以从PtIr、PtRu、PtRh的组中选择的一种作为主要构成材料，上述表面层以从Au、Ag的组中选择的一种作为主要构成材料。
-
公开(公告)号：CN100449787C
公开(公告)日：2009-01-07
申请号：CN200610009024.9
申请日：2006-02-16
申请人： 株式会社日立制作所
IPC分类号： H01L29/788 , H01L29/43 , H01L27/115 , H01L21/336 , H01L21/8247
CPC分类号： H01L23/485 , B82Y10/00 , H01L21/28273 , H01L23/53223 , H01L23/53238 , H01L27/115 , H01L27/11521 , H01L29/42332 , H01L2924/0002 , Y10S977/774 , H01L2924/00
摘要： 提供一种非易失性半导体存储装置及其制造方法，通过均匀地形成纳米点，提供高可靠性的纳米点存储器。另外，通过在隧道绝缘膜上采用硅氧化膜替代材料，提供高速、高可靠性的纳米点存储器。其特征在于，在硅或者锗基板，最好是硅或者锗的(111)基板上，具有使HfO2、ZrO2或者CeO2的高介电常数绝缘膜外延生长而成的隧道绝缘膜和在上述隧道绝缘膜上形成的CoSi2或者NiSi2的硅化物纳米点。
-
公开(公告)号：CN101159140A
公开(公告)日：2008-04-09
申请号：CN200710186901.4
申请日：2005-07-22
申请人： 株式会社日立制作所
IPC分类号： G11B5/73
CPC分类号： G11B5/7325
摘要： 本发明的第一个课题是提供信赖度高的垂直磁记录介质。本发明的第二个课题是提供功能良好的垂直磁记录介质。另外，本发明的第三个课题是提供信赖度高的磁记录装置。本发明的第四个课题是提供功能良好的磁记录装置。在具备基板、在上述基板的一主面侧形成的软磁性基底膜、与上述软磁性基底膜接触形成的非磁性膜、与上述非磁性膜接触形成的中间膜、与上述中间膜接触形成的垂直记录层的垂直磁记录介质中，上述中间膜含有使表面平坦性提高的添加元素。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
44 条记录 (耗时 0.026 秒)
