一种具有嵌入式静态随机存取存储器的集成电路及其工艺方法，该集成电路包括一第一核心，包括一第一逻辑区域，具有一第一栅极介电层厚度和多个第一NMOS晶体管，其中第一NMOS晶体管具有以一第一轻掺杂漏极光掩模所注入的轻掺杂漏极区域；一单端口型的嵌入式静态随机存取存储器区域，具有第一栅极介电层厚度和多个第二NMOS晶体管，其中第二NMOS晶体管具有以一第二轻掺杂漏极光掩模所注入的轻掺杂漏极区域；以及一第一双端口型的嵌入式静态随机存取存储器区域，具有第一栅极介电层厚度和至少一第三NMOS晶体管，第三晶体管具有以第一轻掺杂漏极光掩模所注入的轻掺杂漏极区域。本发明降低待机耗电、与改善的存取速度。