发明授权
- 专利标题: 磁铁单元和磁控溅射装置
- 专利标题(英): Magnet unit, and magnetron sputtering device
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申请号: CN200980118213.1申请日: 2009-07-09
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公开(公告)号: CN102037154B公开(公告)日: 2013-03-27
- 发明人: 远藤彻哉 , 爱因斯坦·诺埃尔·阿巴拉
- 申请人: 佳能安内华股份有限公司
- 申请人地址: 日本神奈川县
- 专利权人: 佳能安内华股份有限公司
- 当前专利权人: 佳能安内华股份有限公司
- 当前专利权人地址: 日本神奈川县
- 代理机构: 北京林达刘知识产权代理事务所
- 代理商 刘新宇; 张会华
- 优先权: 2008-209964 2008.08.18 JP
- 国际申请: PCT/JP2009/003206 2009.07.09
- 国际公布: WO2010/021078 JA 2010.02.25
- 进入国家日期: 2010-11-19
- 主分类号: C23C14/35
- IPC分类号: C23C14/35
摘要:
本发明提供一种磁铁单元和磁控溅射装置。该磁铁单元不增加靶的长度、宽度就能够使成膜在基板上的薄膜的膜厚分布均匀。磁铁单元(10)包括:环状外周磁铁(30),其沿着靶(6)的轮廓配置在阴极电极背面侧的磁轭(20)上;内部磁铁(40),其配置在外周磁铁内且极性与外周磁铁的极性不同,该磁铁单元(10)形成磁轨(MT),该磁轨(MT)是在上述靶上产生的磁力线(M)的切线与上述靶面平行的区域的集合,该磁铁单元(10)还包括:n(n是2以上的正整数)根延伸磁极部(41),其自内部磁铁的中央部朝着长度方向的两侧延伸且接近外周磁铁的长度方向的两端;n-1根突出磁极部(32),其自外周磁铁的两端内侧朝着长度方向的内方突出,位于n根延伸磁极部之间,n根延伸磁极部和n-1根突出磁极部在磁轨的长度方向两端部形成数量为2n-1的折回形状部(U)。
公开/授权文献
- CN102037154A 磁铁单元和磁控溅射装置 公开/授权日:2011-04-27
IPC分类: