发明授权
- 专利标题: 场发射阴极装置及场发射显示器
- 专利标题(英): Field-emission cathode device and field-emission display
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申请号: CN201010600408.4申请日: 2010-12-22
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公开(公告)号: CN102074441B公开(公告)日: 2012-11-21
- 发明人: 郝海燕 , 唐洁 , 范守善
- 申请人: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
- 申请人地址: 北京市海淀区清华大学清华-富士康纳米科技研究中心401室
- 专利权人: 清华大学,鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
- 当前专利权人: 清华大学,鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
- 当前专利权人地址: 北京市海淀区清华大学清华-富士康纳米科技研究中心401室
- 主分类号: H01J29/04
- IPC分类号: H01J29/04 ; H01J29/08 ; H01J29/86 ; H01J31/12
摘要:
本发明涉及一种场发射阴极装置,包括:一绝缘基底;多个条形阴极;多个隔离体;多个条形栅网;多个场发射元件分别设置于所述多个条形阴极与所述多个条形栅网的交叉位置并与所述条形阴极电连接;多个固定层分别对应于所述多个隔离体设置于所述条形栅网表面,将条形栅网夹持于所述固定层与隔离体之间,所述多个隔离体分别位于所述多个条形阴极之间并与所述条形阴极间隔设置,所述场发射阴极装置进一步满足以下条件:D1≤D2/10,其中,所述隔离体的宽度定义为D1,相邻两个场发射元件的中心线之间的距离定义为D2。本发明还涉及采用该种场发射阴极装置的场发射显示器。
公开/授权文献
- CN102074441A 场发射阴极装置及场发射显示器 公开/授权日:2011-05-25