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公开(公告)号：CN113451091B
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN202110553067.8
申请日：2021-05-20
申请人： 金陵科技学院 , 中国科学院西安光学精密机械研究所
摘要： 本发明涉及一种条纹变像管及光学成像系统，具体涉及一种具有单透镜聚焦系统的大探测面积条纹变像管及相机。解决目前研制的皮秒量级时间分辨条纹变像管很难同时实现大探测面积和高空间分辨率的问题，包括光电阴极、聚焦系统、偏转系统、阳极和荧光屏；光电阴极为球面光电阴极，聚焦系统为单透镜聚焦系统，荧光屏为球面荧光屏，本发明采用球面光电阴极、球面荧光屏结合单透镜聚焦系统结构，降低了条纹变像管的像差和空间弥散，同时实现大探测面积和狭缝方向的高空间分辨率，满足高精度诊断需求。
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公开(公告)号：CN113808896B
公开(公告)日：2022-09-06
申请号：CN202111089660.8
申请日：2021-09-16
申请人： 中国科学院高能物理研究所
摘要： 本申请的实施例公开了一种阴栅组件及电子枪，所述阴栅组件包括壳体、位于所述壳体内的栅极部件和阴极部件；所述栅极部件包括栅网和散热环，所述栅网设置于所述散热环的一个开口处；所述阴极部件包括阴极和用于加热所述阴极的热子，所述阴极靠近所述栅网且与所述栅网之间具有间隙，所述阴极的发射面朝向所述栅网，其中，所述阴极和所述热子位于所述散热环的中空部。本申请通过设置与栅网固定连接以及包裹阴极和热子的散热环，增加了栅极部件的散热性能，使得阴栅组件能够实现高流强电子束的引出。
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公开(公告)号：CN112885683B
公开(公告)日：2022-06-10
申请号：CN202110047289.2
申请日：2021-01-14
申请人： 北方夜视技术股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种镀制SiO2或Al2O3材质的介质膜的锑碱光电阴极及镀制方法，用于消除防光晕视觉玻璃中有害成分对锑碱光电阴极结构的破坏而导致的阴极灵敏度衰退的问题。所述锑碱光电阴极包括AVG输入窗、锑碱光电阴极、微通道板、阳极铝膜、荧光屏及阳极输出面板,在AVG输入窗的内表面与锑碱光电阴极之间镀制一层均匀且致密的SiO2或Al2O3材质的介质膜，使得AVG输入窗的内表面、介质膜以及锑碱光电阴极连为一体。本发明的方法包括镀膜前准备、对真空反应腔抽真空、进行靶材除气、向真空反应腔通入氩气、镀制膜层、取出工件等步骤。本发明能够消除AVG中有害成分对锑碱光电阴极破坏的现象，有效提高锑碱光电阴极的稳定性，满足使用要求。
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公开(公告)号：CN113053708B
公开(公告)日：2022-04-29
申请号：CN202110292381.5
申请日：2021-03-18
申请人： 北方夜视技术股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种超二代像增强器实现近贴聚焦的阴极法兰盘及加工方法，包括一种改良型阴极法兰盘及一种改良型车削加工方法。一种改良型阴极法兰盘包括法兰盘盘体，通孔，凸台，盛铟槽，定位销，排铟槽。一种改良型车削加工方法为针对超二代像增强器管壳结构中装配环B面为基准，对装配环A面进行车削加工。再以装配环A面为基准，对改良型阴极法兰盘凸台进行车削加工。本发明可实现对超二代像增强器阴极近贴聚焦距离的精准控制，改善封接后阴极空间尺寸的一致性，阴极与阴极法兰盘的同心度和阴极与微通道板的平行度问题，提升像增强器的质量稳定性。
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公开(公告)号：CN113808896A
公开(公告)日：2021-12-17
申请号：CN202111089660.8
申请日：2021-09-16
申请人： 中国科学院高能物理研究所
摘要： 本申请的实施例公开了一种阴栅组件及电子枪，所述阴栅组件包括壳体、位于所述壳体内的栅极部件和阴极部件；所述栅极部件包括栅网和散热环，所述栅网设置于所述散热环的一个开口处；所述阴极部件包括阴极和用于加热所述阴极的热子，所述阴极靠近所述栅网且与所述栅网之间具有间隙，所述阴极的发射面朝向所述栅网，其中，所述阴极和所述热子位于所述散热环的中空部。本申请通过设置与栅网固定连接以及包裹阴极和热子的散热环，增加了栅极部件的散热性能，使得阴栅组件能够实现高流强电子束的引出。
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公开(公告)号：CN113690119A
公开(公告)日：2021-11-23
申请号：CN202110694309.5
申请日：2021-06-22
申请人： 南京理工大学
摘要： 本发明公开了一种近红外响应增强的叠层复合GaAs基光电阴极及其制备方法。该光电阴极包括自下而上设置的衬底、GaAs缓冲层、InyAl1‑yAs线性渐变缓冲层、p型In0.19Al0.81As腐蚀阻挡层、p型InxGa1‑xAs变组分变掺杂发射层、DBR反射层和增透膜接触层，其中，DBR反射层由GaAs层与AlAs层按照特定周期交替生长组成。p型掺杂InxGa1‑xAs发射层由不同In组分的多子层组成，各子层中In组分自内向外逐层由0.05递增到0.2。本发明一方面通过变组分生长技术，改善了原有InGaAs光电阴极的晶格匹配质量，提高了光电阴极的光电发射特性，增强了该光电阴极在全波段的响应。另一方面，通过引入DBR反射层，大幅提高了该光电阴极对近红外特定波长的光吸收能力，进一步提高了特定波长下的量子效率增强效果。
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公开(公告)号：CN112103157B
公开(公告)日：2021-11-19
申请号：CN202010862895.5
申请日：2020-08-25
申请人： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
摘要： 本发明提供一种平面型空气通道晶体管，包括：衬底、绝缘层、多晶硅、第一牺牲层、第一导电材料、第二导电材料、第一极、第二极和第三极；绝缘层位于衬底上，多晶硅和第二导电材料均位于绝缘层远离衬底的一侧，第二导电材料、多晶硅之间形成有空气通道；第一导电材料和第一牺牲层均设置在多晶硅上，第一牺牲层连接第一导电材料和多晶硅，第一导电材料设置有贯通第一牺牲层的第一接触点，第一极位于第一接触点处；第三极位于绝缘层上的第二接触点处；绝缘层和第二导电材料均与第二极的底部相接触；本发明通过去除多晶硅侧壁生长的牺牲层在第二导电材料和多晶硅之间形成空气通道，无需高精度的光刻工艺，提高生产效率，增加了实用价值。
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公开(公告)号：CN113451091A
公开(公告)日：2021-09-28
申请号：CN202110553067.8
申请日：2021-05-20
申请人： 金陵科技学院 , 中国科学院西安光学精密机械研究所
摘要： 本发明涉及一种条纹变像管及光学成像系统，具体涉及一种具有单透镜聚焦系统的大探测面积条纹变像管及相机。解决目前研制的皮秒量级时间分辨条纹变像管很难同时实现大探测面积和高空间分辨率的问题，包括光电阴极、聚焦系统、偏转系统、阳极和荧光屏；光电阴极为球面光电阴极，聚焦系统为单透镜聚焦系统，荧光屏为球面荧光屏，本发明采用球面光电阴极、球面荧光屏结合单透镜聚焦系统结构，降低了条纹变像管的像差和空间弥散，同时实现大探测面积和狭缝方向的高空间分辨率，满足高精度诊断需求。
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公开(公告)号：CN112885683A
公开(公告)日：2021-06-01
申请号：CN202110047289.2
申请日：2021-01-14
申请人： 北方夜视技术股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种镀制SiO2或Al2O3材质的介质膜的锑碱光电阴极及镀制方法，用于消除防光晕视觉玻璃中有害成分对锑碱光电阴极结构的破坏而导致的阴极灵敏度衰退的问题。所述锑碱光电阴极包括AVG输入窗、锑碱光电阴极、微通道板、阳极铝膜、荧光屏及阳极输出面板,在AVG输入窗的内表面与锑碱光电阴极之间镀制一层均匀且致密的SiO2或Al2O3材质的介质膜，使得AVG输入窗的内表面、介质膜以及锑碱光电阴极连为一体。本发明的方法包括镀膜前准备、对真空反应腔抽真空、进行靶材除气、向真空反应腔通入氩气、镀制膜层、取出工件等步骤。本发明能够消除AVG中有害成分对锑碱光电阴极破坏的现象，有效提高锑碱光电阴极的稳定性，满足使用要求。
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公开(公告)号：CN108172488B
公开(公告)日：2020-10-23
申请号：CN201711434481.7
申请日：2017-12-26
申请人： 深圳先进技术研究院
摘要： 本发明涉及场发射技术领域，提供一种碳纳米场发射阴极及其制造方法和应用，所述碳纳米场发射阴极，包括基板、水平涂覆于所述基板上的石墨烯层以及位于所述石墨烯层上的碳纳米管阵列，所述碳纳米管阵列中各碳纳米管的根部与所述石墨烯层共价连接。本发明中，各碳纳米管的根部与石墨烯层共价连接，界面电阻极低，使得该碳纳米结构具有优异的导电性，从而明显降低阴极的开启电场，在场发射过程中产生的热量小，使得阴极可以在更高的电流下稳定发射，大大提高了阴极的工作电流；而且，这种三维共价结构具有优异的热导性，提高了阴极的发射稳定性。
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