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公开(公告)号：CN103730305A
公开(公告)日：2014-04-16
申请号：CN201210381738.8
申请日：2012-10-10
申请人： 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
IPC分类号： H01J9/02
CPC分类号： H01J9/025 , B82Y40/00 , H01J1/304 , H01J3/021 , H01J2201/30469 , H01J2203/0212
摘要： 本发明提供一种场发射电子源的制备方法，包括以下步骤：提供一碳纳米管线状结构；在所述碳纳米管线状结构的表面包覆一绝缘层；在所述绝缘层的表面间隔设置多个导电环；切断所述多个导电环、绝缘层以及碳纳米管线状结构，形成多个场发射电子源。
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公开(公告)号：CN1877780B
公开(公告)日：2011-09-28
申请号：CN200510035281.5
申请日：2005-06-10
申请人： 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
CPC分类号： H01L23/26 , H01J29/94 , H01J31/127 , H01J61/26 , H01J63/02 , H01L51/5259 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 本发明涉及一种真空显示器，其包括一用以承载阳极的基板及封接在该基板两侧的侧壁，其中，该基板连设有至少一个吸气片，该吸气片由非蒸散型吸气剂直接成型而成，并且该吸气片直接固定于该基板且通过一固持件将该吸气片固定于真空显示器的侧壁。本发明的吸气装置结构简单，体积小，节约了生产成本。而且吸气通道更为合理、充分，能有效维持真空显示器内的真空度。本发明还提供有该真空显示器的制造方法。
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公开(公告)号：CN102074440A
公开(公告)日：2011-05-25
申请号：CN201010589777.8
申请日：2010-12-15
申请人： 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
CPC分类号： H01J31/127 , H01J1/304 , H01J3/021 , H01J29/467 , H01J2329/4652 , H01J2329/4682
摘要： 本发明涉及一种场发射阴极装置，包括：一阴极基板；一栅极电极设置于该阴极基板的表面；一第一绝缘层设置于所述栅极电极的表面；一阴极电极通过所述第一绝缘层与所述栅极电极间隔设置；以及一阴极发射层设置于所述阴极电极表面，其中：所述第一绝缘层设置有一第一开孔，所述阴极电极设置有一第二开孔，所述第一开孔与第二开孔对应设置且相互连通，使所述栅极电极对应该开孔位置的表面暴露，所述阴极发射层仅设置在所述阴极电极靠近所述第二开孔位置的表面。进一步，本发明提供一种采用上述场发射阴极装置的显示器。
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公开(公告)号：CN100583371C
公开(公告)日：2010-01-20
申请号：CN200610061304.4
申请日：2006-06-23
申请人： 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
CPC分类号： H01J9/185 , H01J3/022 , H01J31/123 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 本发明涉及一种场发射显示器及其制造方法。该场发射显示器包括：互相间隔开的阴极和阳极，以及形成在阴极面对该阳极的表面上的荧光层，该阴极形成在一支撑基底上，该阳极形成在一透明基板上。该场发射显示器通过将荧光层与阴极结合在一起，荧光层将随同阴极一同变化，即便当阳极的形变和阴极形变不一致时，阳极的形变对荧光层不会产生影响，阴极发出的电子仍按预定设计对准荧光层相应部分。
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公开(公告)号：CN100573809C
公开(公告)日：2009-12-23
申请号：CN200610060043.4
申请日：2006-03-24
申请人： 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
CPC分类号： H01J63/06 , B82Y10/00 , H01J1/3048 , H01J7/183 , H01J9/025 , H01J31/127 , H01J2201/30469
摘要： 本发明涉及一种场发射平面显示光源，其包括阳极、与阳极对应设置的阴极、设置在阳极和阴极之间使二者相互隔开的多个支撑条和固定阳极、阴极和支撑条并在其内部形成一密封空间的边封体。阳极包括一个阳极基板、设置在阳极基板上的阳极导电层和设置在阳极导电层上的荧光层。阴极包括一个阴极基板、设置在阴极基板上的阴极导电层和设置在阴极导电层上且与阳极的荧光层相对应的电子发射层。其中，电子发射层包含吸气剂微粒、金属导电微粒、纳米材料和玻璃。本发明还涉及制造上述场发射平面显示光源的方法。
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公开(公告)号：CN100573797C
公开(公告)日：2009-12-23
申请号：CN200610061511.X
申请日：2006-07-05
申请人： 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
摘要： 本发明涉及一种双面发光的场发射像素管。该场发射像素管包括：一个中空壳体，该壳体具有一个第一出光部及一个第二出光部，该第一出光部与该第二出光部相对。该第一出光部的内壁涂敷有第一荧光层和第一阳极层，该第二出光部的内壁涂敷有第二荧光层和第二阳极层。所述壳体内部是真空密封的，并且在第一出光部和第二出光部之间有一个金属筒，该金属筒内壁涂有经固化的纳米浆料，且该金属筒与至少一个阴极电极电连接。该场发射像素管的金属筒对电场有很强的屏蔽作用，可以有效的减弱碳纳米管表面的电场，使得碳纳米管可以在10千伏或更高的电压下稳定的工作。
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公开(公告)号：CN100561634C
公开(公告)日：2009-11-18
申请号：CN200510100604.4
申请日：2005-10-24
申请人： 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
IPC分类号： H01J3/04
CPC分类号： H01J27/04
摘要： 本发明提供一种离子枪，其包括一真空容器、一阳极和一阴极装置，真空容器上设置有电子注入孔、离子出射孔及气体入口，该阳极位于真空容器内部，该阴极装置位于电子注入孔处，所述阴极装置为场发射冷阴极装置。该离子枪具有发射电子稳定、结构简单的特点。
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公开(公告)号：CN100437070C
公开(公告)日：2008-11-26
申请号：CN200410091941.7
申请日：2004-12-30
申请人： 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
CPC分类号： C25D1/08 , B82Y15/00 , B82Y30/00 , C04B35/62231 , C04B35/6224 , C04B35/62272 , C04B35/62286 , C04B2235/3284 , C04B2235/3418 , C04B2235/526 , C04B2235/5264 , C23F4/00 , G01M3/007 , G01M3/207 , Y10T29/4998 , Y10T29/49982
摘要： 本发明涉及一种标准漏孔的制作方法。本发明所提供的标准漏孔制作方法包括以下步骤：提供一基底；在基底上形成一催化剂薄膜，其具有预定图案结构；在催化剂的位置生长出预定尺寸及数目的一维纳米结构；在基底上形成一第二膜层；去除一维纳米结构及其附近的基底材料，使在第二膜层中形成尺寸与一维纳米结构相应的通孔，从而获得一标准漏孔。本发明通过数目、形状及尺寸可控的一维纳米结构作为制造模板，漏孔的漏率可由理论计算准确求得，因此可获得漏率可控性好、可自定标的标准漏孔；从而解决了现有技术中漏孔可控性差，且必须借助其它设备对其漏率值进行标定的不足。
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公开(公告)号：CN101285960A
公开(公告)日：2008-10-15
申请号：CN200710074018.6
申请日：2007-04-13
申请人： 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
IPC分类号： G02F1/13357 , H05B33/00
CPC分类号： H01J63/02 , H01J1/304 , H01J31/127 , H01J2201/30469 , H01J2329/0455
摘要： 本发明涉及一种场发射背光源。所述的场发射背光源包括阳极基板、阴极基板及设置在阳极基板上的荧光层，所述阳极基板与所述荧光层之间设置有光反射层，所述阴极基板是透明的，所述阴极基板上设置有透明导电层及透光的阴极，所述阴极包括碳纳米管。所述场发射背光源的出射光具有高均匀性。
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公开(公告)号：CN101188179A
公开(公告)日：2008-05-28
申请号：CN200610156847.4
申请日：2006-11-15
申请人： 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
IPC分类号： H01J9/02
CPC分类号： H01J9/025 , H01J29/04 , H01J31/127 , H01J2201/30469
摘要： 本发明涉及一种场发射电子源的制造方法，其包括：提供至少一个阴极导电体、制备一定量的碳纳米管浆料和导电浆料；在阴极导电体上涂敷一层导电浆料，将导电浆料加热形成导电浆料层；在导电浆料层上涂敷一层碳纳米管浆料，将碳纳米管浆料加热从而在导电浆料层上形成碳纳米管浆料层；以及将形成有导电浆料层和碳纳米管浆料层的导电体在300～600℃条件下进行烘干和焙烧从而在导电体的表面上形成导电层和碳纳米管电子发射层，进而得到场发射电子源。
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