- 专利标题: 一种微纳深沟槽结构侧壁形貌快速测量方法及装置
- 专利标题(英): Method and device for rapidly measuring sidewall appearance of micro-nano deep groove structure
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申请号: CN201010519775.1申请日: 2010-10-26
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公开(公告)号: CN102082108B公开(公告)日: 2012-08-15
- 发明人: 刘世元 , 张传维 , 陈修国
- 申请人: 华中科技大学
- 申请人地址: 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号
- 专利权人: 华中科技大学
- 当前专利权人: 华中科技大学
- 当前专利权人地址: 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号
- 代理机构: 华中科技大学专利中心
- 代理商 曹葆青
- 主分类号: H01L21/66
- IPC分类号: H01L21/66 ; G01B11/24 ; G01B11/30
摘要:
本发明公开了一种微纳深沟槽结构侧壁形貌快速测量方法及装置,能够同时快速测量微纳深沟槽结构线宽、沟槽深度、侧壁角、侧壁粗糙度等侧壁形貌参数。步骤为:将波长为从近红外到中红外的光束经起偏后得到的椭圆偏振光投射到待测结构表面;采集待测结构表面零级衍射信号,计算得到微纳深沟槽结构测量红外椭偏光谱;采用分波长建模方法分别计算在近红外和中红外波段理论椭偏光谱,采用分步光谱反演方法与实验测量红外椭偏光谱匹配,依次提取出沟槽结构参数和粗糙度参数。装置包括红外光源、第一至第四离轴抛物镜、迈克尔逊干涉仪、平面反射镜、起偏器、样品台、检偏器、探测器和计算机;是一种非接触、非破坏性、低成本、快速侧壁形貌测量手段。
公开/授权文献
- CN102082108A 一种微纳深沟槽结构侧壁形貌快速测量方法及装置 公开/授权日:2011-06-01
IPC分类: