一种用VAD法制作光纤用母材的方法，向纤芯沉积用燃烧器提供氧、氢、及硅化合物；通过在氢氧火焰中水解反应而生成的二氧化硅依次沉积在初始材料的前端；调整初始材料的提拉速度以与多孔质母材的生长相适应、使得沉积的前端位置位于恒定位置；每个预定的时间计算平均提拉速度；计算所算出的提拉速度的平均值与预先设定的提拉速度设定值之间的差值；在所提供的氢是常温下所制造的氢或者是常温下所贮藏的氢的情况下，根据该差值校正四氯化硅的流量；在所提供的氢是使液态氢气化而得到的氢的情况下，根据该差值校正氢的流量；在校正该氢的流量时，以与向纤芯沉积用燃烧器所提供的氢的校正前后的流量之比相同的比、校正向包层沉积用燃烧器所提供的氢的流量。