发明公开
- 专利标题: 使用注入的太阳能电池制作
- 专利标题(英): Solar cell fabrication using implantation
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申请号: CN200980127945.7申请日: 2009-06-11
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公开(公告)号: CN102099923A公开(公告)日: 2011-06-15
- 发明人: B·阿迪比 , E·S·默尔
- 申请人: 因特瓦克公司
- 申请人地址: 美国加利福尼亚州
- 专利权人: 因特瓦克公司
- 当前专利权人: 因特瓦克公司
- 当前专利权人地址: 美国加利福尼亚州
- 代理机构: 北京市金杜律师事务所
- 代理商 王茂华; 董典红
- 优先权: 61/131,687 2008.06.11 US; 61/131,688 2008.06.11 US; 61/131,698 2008.06.11 US; 61/133,028 2008.06.24 US; 61/210,545 2009.03.20 US
- 国际申请: PCT/US2009/047102 2009.06.11
- 国际公布: WO2009/152375 EN 2009.12.17
- 进入国家日期: 2011-01-17
- 主分类号: H01L31/00
- IPC分类号: H01L31/00
摘要:
一种太阳能电池器件包括硅衬底,该硅衬底包括预先存在的掺杂物。均匀轻掺杂区域形成于硅衬底的表面上以在预先存在的掺杂物与轻掺杂区域之间形成结。重掺杂区域选择性地注入于硅衬底的表面上。籽晶层形成于重掺杂区域之上。金属接触形成于籽晶层之上。该器件可以包括防反射涂层。在一个实施例中,重掺杂区域形成抛物线形状。重掺杂区域可以按一定距离在硅衬底上各自是范围为50至200微米的宽度。重掺杂区域也可以在硅衬底上相互横向隔开范围为1至3mm的距离。籽晶层可以是硅化物。
公开/授权文献
- CN102099923B 使用注入的太阳能电池制作 公开/授权日:2016-04-27