公开(公告)号：CN102099870A

公开(公告)日：2011-06-15

申请号：CN200980127944.2

申请日：2009-06-11

申请人： 因特瓦克公司

发明人： B·阿迪比 ,  E·S·默尔

IPC分类号： G21K5/10

CPC分类号： H01L21/266 ,  H01L21/26513 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/072 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

摘要： 使用注入掺杂制作系统来更高效和成本更低地制作太阳能电池和其它半导体器件。一种用于注入半导体衬底的系统包括离子源(比如单核素交付模块)、用于从离子源生成能量不多于150kV的离子束的加速器和用于使衬底暴露于该束的束导向器。在一个实施例中，离子源为包括单气体交付元件和单离子源的单核素交付模块。可替代地，离子源为用来生成等离子体束的等离子体源。该系统用来制作具有轻度掺杂受光区和更重度掺杂网格线的太阳能电池。这一结构减少“死层”的形成并且改进了接触电阻、由此增加了太阳能电池的效率。

公开(公告)号：CN102150277A

公开(公告)日：2011-08-10

申请号：CN200980128201.7

申请日：2009-06-11

申请人： 因特瓦克公司

发明人： B·阿迪比 ,  E·S·默尔

IPC分类号： H01L31/0224 ,  H01L31/0236

CPC分类号： H01L21/266 ,  H01L21/26513 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/072 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

摘要： 根据本发明的太阳能电池具有减少的欧姆损耗。这些电池包括受光区域，所述受光区域的掺杂密度相比相邻的选择性射极区域较少。受光区域包含多个四面锥体，所述锥体减少太阳能电池由于反射而损耗的光量。受光区域中的较小的掺杂密度产生较少的由于电子空穴复合而损耗的蓝光。选择性射极区域中的较高掺杂密度允许与耦合到多个射极区域的金属网格的更好的接触。优选地，选择性射极区域和受光区域二者均使用含有掺杂物的窄离子射束进行注入。

公开(公告)号：CN102099923A

公开(公告)日：2011-06-15

申请号：CN200980127945.7

申请日：2009-06-11

申请人： 因特瓦克公司

发明人： B·阿迪比 ,  E·S·默尔

IPC分类号： H01L31/00

CPC分类号： H01L21/266 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/2658 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/072 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

摘要： 一种太阳能电池器件包括硅衬底，该硅衬底包括预先存在的掺杂物。均匀轻掺杂区域形成于硅衬底的表面上以在预先存在的掺杂物与轻掺杂区域之间形成结。重掺杂区域选择性地注入于硅衬底的表面上。籽晶层形成于重掺杂区域之上。金属接触形成于籽晶层之上。该器件可以包括防反射涂层。在一个实施例中，重掺杂区域形成抛物线形状。重掺杂区域可以按一定距离在硅衬底上各自是范围为50至200微米的宽度。重掺杂区域也可以在硅衬底上相互横向隔开范围为1至3mm的距离。籽晶层可以是硅化物。

公开(公告)号：CN102099923B

公开(公告)日：2016-04-27

申请号：CN200980127945.7

申请日：2009-06-11

申请人： 因特瓦克公司

发明人： B·阿迪比 ,  E·S·默尔

IPC分类号： H01L31/00

CPC分类号： H01L21/266 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/2658 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/072 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

摘要： 一种太阳能电池器件包括硅衬底，该硅衬底包括预先存在的掺杂物。均匀轻掺杂区域形成于硅衬底的表面上以在预先存在的掺杂物与轻掺杂区域之间形成结。重掺杂区域选择性地注入于硅衬底的表面上。籽晶层形成于重掺杂区域之上。金属接触形成于籽晶层之上。该器件可以包括防反射涂层。在一个实施例中，重掺杂区域形成抛物线形状。重掺杂区域可以按一定距离在硅衬底上各自是范围为50至200微米的宽度。重掺杂区域也可以在硅衬底上相互横向隔开范围为1至3mm的距离。籽晶层可以是硅化物。

公开(公告)号：CN102150278A

公开(公告)日：2011-08-10

申请号：CN200980128202.1

申请日：2009-06-11

申请人： 因特瓦克公司

发明人： B·阿迪比 ,  E·S·默尔

IPC分类号： H01L31/0368 ,  H01L31/0376

CPC分类号： H01L21/266 ,  H01L21/26513 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/072 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

摘要： 一种形成太阳能电池的方法，该方法包括：提供具有预先掺杂区域的半导体晶片；执行掺杂物至该半导体晶片中的第一离子注入，以在预先掺杂区域之上形成第一掺杂区域，其中第一离子注入具有浓度比对深度分布；以及执行掺杂物至该半导体晶片中的第二离子注入，以在预先掺杂区域之上形成第二掺杂区域，其中所述第二离子注入具有与第一离子注入的浓度比对深度分布不同的浓度比对深度分布，其中第一掺杂区域和第二掺杂区域中的至少一个区域被配置成在接收到光时生成电子-空穴对，并且其中第一离子注入和第二离子注入彼此独立地执行。