发明授权

基板处理装置
摘要:
本发明提供一种基板处理装置,该基板处理装置在腔室的外部(大气中)和内部(真空环境)分别具备天线,并且腔室外部的天线配置在中央部,腔室内部的天线配置成靠近腔室的墙面侧。因此,能够整体上均匀地形成等离子体,同时能够提高等离子体的密度,具有提高基板处理效率的效果。
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