本发明公开了一种制造氮化物半导体晶体的装置，其具有足够的耐久性且在从坩埚外部混入杂质方面受到抑制。本发明还公开了一种制造氮化物半导体晶体的方法以及氮化物半导体晶体。具体地，本发明公开了一种制造氮化物半导体晶体的装置(100)，其包含坩埚(101)、加热单元(125)和覆盖部件(110)。在所述坩埚(101)内部设置源材料(17)。在所述坩埚(101)的外围设置加热单元(125)，其中所述加热单元对所述坩埚(101)的内部进行加热。在所述坩埚(101)与所述加热单元(125)之间布置覆盖部件(110)。所述覆盖部件(110)包含第一层(111)和第二层(112)，所述第一层(111)被布置在面对所述坩埚(101)的侧上，并由熔点比所述源材料(17)的熔点高的金属形成，所述第二层(112)被布置在所述第一层(111)的外围侧上，并由构成所述第一层(111)的金属的碳化物形成。