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公开(公告)号：CN114096016B
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202111539670.7
申请日：2021-12-15
申请人： 松山湖材料实验室 , 中国科学院物理研究所
摘要： 本申请提供一种真空加热装置及方法，属于真空加热技术领域。真空加热装置的加热台主体包括：样品固定架、导电基台以及第一加热组件。导电基台连接有阳极接线座；导电基台设有定位部，用于承载并固定样品固定架。第一加热组件包括钨丝和连接于钨丝两端的钨丝电极；钨丝固定于导电基台且与样品固定架相对且非接触。真空加热方法采用真空加热装置进行，包括对金属样品加热：在钨丝两端的钨丝电极接入直流电源正负极，以使钨丝对金属样品进行热辐射加热；当所需加热温度＞600℃时，还包括在阳极接线座接入高压电源的正极并在钨丝接入高压电源的负极，以使钨丝表面逸出电子对金属样品进行轰击加热。其设备简单，成本低，且能采用不同的加热方式。
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公开(公告)号：CN118621435A
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202410752881.6
申请日：2024-06-12
摘要： 本发明涉及半导体材料制作技术领域，特别涉及一种利于PVD生长高质量非掺杂ε‑Ga2O3薄膜的装置及方法。其装置包括加热器、夹具、耐高温的弹性件、衬底，加热器的中心设有加热台，衬底放置在加热台内，加热器的对角处分别连接有夹具，弹性件固定于衬底和夹具之间，通过改变夹具的位置以改变弹性件的形变量，用于放置靶材的样品托与衬底连接。本发明从ε‑Ga2O3的晶格应变入手，通过使用弹簧夹具降低c轴晶格常数实现ε‑Ga2O3高质量外延；通过装置改善其晶格畸变，使之成为标准晶格，有利于非掺杂ε‑Ga2O3层的外延使无畸变的晶格存在的缺陷数量减少，也使样品的光电性能显著提升。
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公开(公告)号：CN118516757A
公开(公告)日：2024-08-20
申请号：CN202410555134.3
申请日：2024-05-07
申请人： 杭州中欣晶圆半导体股份有限公司
发明人： 邝梦杰
摘要： 本发明涉及一种提高外延片表面质量的方法，所属硅片外延加工技术领域，包括如下操作步骤：第一步：采用P型高拉速抛光片进行2um外延，此时的抛光片表面存在缺陷，即平整度差。第二步：外延炉初始温度在750℃，抛光片送入接着从750℃升温至900℃，再将温度升温至1130℃时，通入HCL，接着在保持1130℃的温度下进行45s长膜2um。第三步：完成外延后，将温度下降至900℃。第四步：接着对外延炉进行快速风冷降温，完成抛光片的外延工艺，并检测外延片表面颗粒情况。具有工艺便捷和操作稳定性好的优点。解决了抛光片表面存在各种缺陷的问题。通入HCL的用量和时间进行控制，减少不平整度，得到外延后颗粒数据好的外延片。
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公开(公告)号：CN118461123A
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202410148348.9
申请日：2024-02-02
申请人： Si晶体有限责任公司
摘要： 本发明涉及用于生长块状半导体单晶的系统和方法，更具体地，涉及用于基于物理气相传输生长诸如碳化硅的块状半导体单晶的系统和方法。一种用于通过升华生长工艺生长半导体材料的至少一个单晶的升华系统，包括：坩埚(102)，其具有纵向轴线(120)并且包括用于至少一个晶种(110)的固定装置和用于容纳源材料(108)的至少一个源材料隔室(104)；加热系统，所述加热系统被形成为沿着所述坩埚的所述纵向轴线在一个或多个限定高度处围绕所述坩埚的圆周产生不规则温度场；旋转驱动器，所述旋转驱动器可操作以引起所述固定装置相对于所述加热系统围绕所述纵向轴线的旋转运动。
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公开(公告)号：CN118407132A
公开(公告)日：2024-07-30
申请号：CN202410531062.9
申请日：2024-04-29
申请人： 西安电子科技大学
摘要： 本发明涉及一种优化碳化硅厚膜外延片少子寿命的方法，包括：获取碳化硅外延片；对碳化硅外延片的Si面进行加热，得到加热后的碳化硅外延片；通入Ar气，并对加热后的碳化硅外延片进行冷却，得到冷却后的碳化硅外延片；对冷却后的碳化硅外延片进行退火处理，得到退火后的碳化硅外延片；对退火后的碳化硅外延片进行表面处理，得到最终的碳化硅外延片。这种方法可以在相对短时间制备得到少子寿命较强的碳化硅外延片，且可以有效降低成本，在不引入其他深能级缺陷的基础上修复碳空位缺陷引起的深能级缺陷，也不会造成晶格损伤，碳化硅外延层中少子寿命分布均匀，从而实现了少子寿命的增强。
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公开(公告)号：CN118256997A
公开(公告)日：2024-06-28
申请号：CN202410388656.9
申请日：2024-04-01
申请人： 吉林大学
IPC分类号： C30B29/22 , C30B23/06 , C30B33/04 , C25B11/052 , C25B11/077 , C25B1/04
摘要： 本发明公开了一种合成PrBa0.5Sr0.5Co1.5Fe0.5O5+δ(100)薄膜的方法。本发明中，通过(Ⅰ)脉冲激光沉积法在铝酸镧(LaAlO3,LAO)(100)基底上外延生长PrBa0.5Sr0.5Co1.5Fe0.5O5+δ薄膜；(Ⅱ)用不同电压(30kV和16kV)的离子束对薄膜进行表面处理；(Ⅲ)将本发明处理后的PrBa0.5Sr0.5Co1.5Fe0.5O5+δ薄膜制备成工作电极，运用电化学工作站CHI660E进行电催化析氧反应(Oxygen evolution reaction,OER)的性能测试，根据性能分析结果证实了聚焦离子束处理可作为有效手段提升薄膜材料的OER性能。
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公开(公告)号：CN117966262A
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN202410220284.9
申请日：2024-02-27
申请人： 中环领先半导体科技股份有限公司
摘要： 本申请公开了一种外延加热装置及外延设备，属于外延工艺技术领域，该外延加热装置包括第一壳体、加热灯组和第一消光层，第一壳体用于围成加热腔和连通于加热腔一侧的出光口，第一壳体具有朝向加热腔设置的第一反射面；加热灯组设置于加热腔内，且沿着第一壳体的周向设置，加热灯组与第一壳体相连接，第一反射面用于将加热灯组发出的至少部分光线反射至出光口；设置于加热腔内，且覆盖至少部分第一反射面，第一消光层用于散射加热灯组发出的至少部分光线。本申请通过设置第一消光层，能够散射部分照射至第一反射面的光线，避免该部分光线自第一反射面反射至出光口，进而使得外延层的厚度进一步降低。
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公开(公告)号：CN110144553B
公开(公告)日：2024-04-23
申请号：CN201910280729.1
申请日：2019-04-09
申请人： 复旦大学
摘要： 本发明公开了一种大面积原子级精度激光分子束外延薄膜制备系统及方法。本发明系统包括快速进样室、主腔及其配件、准分子激光器、气体传输组件、机械泵以及若干个分子泵。本发明通过利用二轴步进电机对激光光路中的全反镜进行控制，对系统中的氧管、高能电子衍射、样品加热组件进行修改以及对样品架、样品托重新设计，实现大样品均匀生长。本发明制备的样品具有生长面积大、表面平整、无颗粒物、各区域物理性质一致的优点。本发明方法可通过控制激光光路、靶台等设备，实现样品的自动和手动生长。
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公开(公告)号：CN117230529A
公开(公告)日：2023-12-15
申请号：CN202311156970.6
申请日：2023-09-08
申请人： 无锡弘元半导体材料科技有限公司
摘要： 本发明公开了SiC半导体晶体生长技术领域的一种用于提升双向生长碳化硅晶体长晶效率的装置，包括，石墨板，所述石墨板的底部固定有上籽晶；石墨台阶底托，所述石墨台阶底托的顶部粘接有下籽晶；加热器；台阶坩埚，所述台阶坩埚放置在石墨台阶底托的台阶处，所述石墨板设置在台阶坩埚的顶部；在台阶坩埚台阶处放置了具有多个开孔通道且能投入颗粒原料的多孔石墨开孔原料盒利于物质传输，其上还带有与之对应开孔的多孔石墨开孔板以防止长晶过程中上部晶体形成包裹物，最后在上、下内腔内也安放了气相导流石墨件，即上导流石墨环和下导流石墨环以进一步提高物质传输到晶体的效率。
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公开(公告)号：CN117071071A
公开(公告)日：2023-11-17
申请号：CN202311060691.X
申请日：2023-08-22
申请人： 湖北大学 , 广州金升阳科技有限公司
摘要： 本发明提供了一种p型氧化镓薄膜及其制备方法和应用。本发明的p型氧化镓薄膜的制备方法，通过物理气相沉积法在真空腔体内烧蚀、溅射或蒸发MxGa1‑xN靶材得到MxGa1‑xN团簇，同时通入O2氧化团簇得到M‑N共掺杂的Ga2O3薄膜。通过等价元素铝或钪等掺杂即合金化提高了氧化镓的导带底和价带顶，抑制氧空位缺陷电离的同时降低了氮受主激活能，同时有效提高了N受主元素在氧化镓薄膜中的溶解度及N受主稳定性；通过本发明的方法制备的共掺杂p型氧化镓薄膜为高质量外延薄膜，空穴载流子浓度高、电阻率低，p型导电稳定性好，且所需的设备和制备工艺简单、生产成本低，将促进氧化镓在超宽禁带半导体器件领域的应用。
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