发明授权
- 专利标题： 一种形成接触孔的方法
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申请号： CN201010110512.5申请日： 2010-02-09
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公开(公告)号： CN102148189B公开(公告)日： 2016-02-03
- 发明人: 张海洋 , 韩宝东 , 符雅丽
- 申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 , 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
- 申请人地址： 上海市浦东新区张江路18号
- 专利权人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司,中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
- 当前专利权人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司,中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
- 当前专利权人地址： 上海市浦东新区张江路18号
- 代理机构： 北京市磐华律师事务所
- 代理商 董巍; 顾珊
- 主分类号： H01L21/768
- IPC分类号： H01L21/768 ; H01L21/336 ; H01L27/04 ; H01L27/105
摘要：
本发明提供了一种形成接触孔的方法，包括步骤：提供一前端器件层；在所述前端器件层的与制作有器件结构层的一侧相对的另一侧上形成一层保护层；在所述前端器件层的表面沉积一层接触刻蚀停止层；在所述接触刻蚀停止层的表面形成层间介质层；在所述层间介质层的表面形成具有图案的光刻胶层；以所述具有图案的光刻胶为掩膜，刻蚀所述层间介质层，形成接触孔。
公开/授权文献
- CN102148189A 一种形成接触孔的方法 公开/授权日：2011-08-10
IPC分类:
