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公开(公告)号:CN102376626B
公开(公告)日:2016-04-06
申请号:CN201010251339.0
申请日:2010-08-10
IPC分类号: H01L21/768 , G03F7/00 , G03F7/09
摘要: 本发明提供了一种减小半导体器件中通孔尺寸的方法,包括(a)提供前端器件结构,前端器件结构上具有层间介质层,层间介质层上具有硬掩膜层,硬掩膜层上形成有具有开口图案的光刻胶层,开口图案的尺寸L大于设定的通孔目标值D;(b)以光刻胶层为掩膜刻蚀硬掩膜层,将开口图案转移到硬掩膜层,直至露出部分层间介质层;(c)以光刻胶层为掩膜,采用与步骤(b)相同的刻蚀条件对硬掩膜层进行刻蚀,刻蚀时间=A×(L-D),A为一系数;(d)以光刻胶层为掩膜刻蚀层间介质层,以形成尺寸为目标值的通孔。根据本发明,能够减小半导体器件中通孔尺寸,且能够在实际生产中可以通过调整硬掩膜层的刻蚀时间来形成所需尺寸的通孔。
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公开(公告)号:CN102148189B
公开(公告)日:2016-02-03
申请号:CN201010110512.5
申请日:2010-02-09
IPC分类号: H01L21/768 , H01L21/336 , H01L27/04 , H01L27/105
摘要: 本发明提供了一种形成接触孔的方法,包括步骤:提供一前端器件层;在所述前端器件层的与制作有器件结构层的一侧相对的另一侧上形成一层保护层;在所述前端器件层的表面沉积一层接触刻蚀停止层;在所述接触刻蚀停止层的表面形成层间介质层;在所述层间介质层的表面形成具有图案的光刻胶层;以所述具有图案的光刻胶为掩膜,刻蚀所述层间介质层,形成接触孔。
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公开(公告)号:CN102445838B
公开(公告)日:2013-06-05
申请号:CN201010503721.6
申请日:2010-09-30
IPC分类号: G03F7/00 , H01L21/027
摘要: 本发明提供了一种重新形成光刻胶图形的方法,该方法包括:通过光刻胶层重做工序去除已形成的光刻胶图形;通过沉积工序在硬掩膜层上形成一个具有粗糙表面的沉积层;通过刻蚀工序去除所述沉积层,实现对硬掩膜层表面的粗糙化;通过光刻胶层重新涂覆工序在粗糙化后的硬掩膜层上重新涂覆光刻胶层;对光刻胶层依次执行曝光、显影、清洗工序,重新形成新的光刻胶图形。通过使用上述的方法,可有效地消除图形剥离现象,提高所形成的半导体元器件的电学性能,并大大降低生产成本。
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公开(公告)号:CN102194735B
公开(公告)日:2016-05-11
申请号:CN201010124583.0
申请日:2010-03-11
IPC分类号: H01L21/768 , H01L23/522
摘要: 本发明提供了一种形成通孔的方法,包括提供前端器件层;在前端器件层的表面沉积刻蚀停止层;在刻蚀停止层的表面形成层间介质层;在层间介质层的表面形成硬掩膜层;在硬掩膜层的表面形成抗反射层;在所述抗反射层的表面形成光刻胶层;采用曝光显影工艺,形成具有开口图案的光刻胶层;对具有开口图案的光刻胶层进行等离子体放电处理;以具有开口图案的光刻胶层为掩膜,依次刻蚀抗反射层、硬掩膜层和层间介质层,直到刻蚀到刻蚀停止层为止。根据本发明,能够解决由于光刻胶开口处残余物的存在导致刻蚀后形成的通孔的关键尺寸与设定值不一致的问题。
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公开(公告)号:CN102044476B
公开(公告)日:2013-06-19
申请号:CN200910197092.6
申请日:2009-10-13
IPC分类号: H01L21/768 , H01L21/60
CPC分类号: H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要: 本发明提供了一种金属图案的形成方法,包括步骤:提供半导体基底;在所述半导体基底表面形成金属图案;对所述金属图案进行烘焙;对所述烘焙后的金属图案进行清洗。本发明提高了形成的金属图案的质量。
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公开(公告)号:CN102122634B
公开(公告)日:2013-04-24
申请号:CN201010022722.9
申请日:2010-01-08
IPC分类号: H01L21/768 , H01L21/311
摘要: 本发明中公开了一种通孔及金属线沟槽的刻蚀方法,包括:在半导体衬底上沉积通孔刻蚀停止层和通孔介质层,通过刻蚀形成通孔,使用ECP工艺在通孔内填充铜金属形成铜层;进行平坦化处理;在平坦化处理后的通孔和通孔介质层上交替沉积N个停止层和N个氧化绝缘层;沉积绝缘抗反射涂层和PR层,对PR层进行图案化处理;以图案化的光刻胶层为掩膜刻蚀绝缘抗反射涂层;对各个氧化绝缘层分别进行主刻蚀工艺,对各个中间停止层分别进行过刻蚀工艺和中间停止层刻蚀工艺,最后对第一停止层进行过刻蚀工艺,形成超厚金属线沟槽。通过使用上述方法,可避免无法完全去除氧化绝缘层的现象以及对停止层的刻蚀深度超过所允许的最大值,甚至刻穿停止层的现象。
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公开(公告)号:CN103066011B
公开(公告)日:2015-07-08
申请号:CN201110320509.0
申请日:2011-10-20
申请人: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
IPC分类号: H01L21/768 , H01L21/3105
摘要: 本发明提供一种半导体器件的制造方法,包括:提供半导体衬底,在所述半导体衬底上形成有栅极结构,并且在所述栅极结构的顶部以及所述半导体衬底的源/漏区分别形成有自对准硅化物;在所述半导体衬底上形成一接触孔蚀刻停止层,以至少覆盖所述栅极结构;蚀刻所述接触孔蚀刻停止层,以形成接触孔;对所述接触孔进行蚀刻后处理,采用CO/N2进行所述蚀刻后处理;对所述接触孔进行湿法清洗,并填充金属塞于所述接触孔中。根据本发明,可以将接触孔的突出现象减小到最低程度,从而不影响接触孔与多晶硅栅极之间的间距的特征尺寸。
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公开(公告)号:CN103474387A
公开(公告)日:2013-12-25
申请号:CN201210187234.2
申请日:2012-06-08
申请人: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
IPC分类号: H01L21/764
摘要: 本发明提供了一种沟槽间形成空气间隔的方法:预先提供一半导体衬底,所述半导体衬底表面自下而上依次包括第一刻蚀终止层和图案化的光阻胶层,图案化的光阻胶层所显露区域定义沟槽的关键尺寸;在第一刻蚀终止层和图案化的光阻胶层表面沉积超低温氧化层,并对所述超低温氧化层进行各向异性刻蚀,形成位于图案化光阻胶层两侧的侧壁层;沉积金属铜并进行化学机械研磨至与图案化光阻胶层的高度齐平,形成沟槽内的金属铜;在金属铜和图案化光阻胶层的表面形成有孔盖层;透过有孔盖层去除图案化光阻胶层,形成沟槽间的空气间隔。采用本发明能够降低整个IC的RC延迟。
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公开(公告)号:CN103219260A
公开(公告)日:2013-07-24
申请号:CN201210017710.6
申请日:2012-01-19
申请人: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
摘要: 本发明提供了一种刻蚀装置,所述刻蚀装置包括:气体供应系统和刻蚀反应腔室,所述刻蚀反应腔室包括与所述双气体管道装置和所述极端边缘气体管道装置相连接的气体喷头。所述气体供应系统包括用于供应气体到被蚀刻的晶圆的中心部分和边缘部分的双气体管道装置和用于向被蚀刻的晶圆的极端边缘处供应刻蚀反应气体的极端边缘气体管道装置。在刻蚀过程中,通过改变极端边缘处的气体组分和气体流量,提高晶圆表面的刻蚀均匀性,同时,刻蚀速度也得到更精细的控制。
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公开(公告)号:CN102194735A
公开(公告)日:2011-09-21
申请号:CN201010124583.0
申请日:2010-03-11
申请人: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
IPC分类号: H01L21/768 , H01L23/522
摘要: 本发明提供了一种形成通孔的方法,包括提供前端器件层;在前端器件层的表面沉积刻蚀停止层;在刻蚀停止层的表面形成层间介质层;在层间介质层的表面形成硬掩膜层;在硬掩膜层的表面形成抗反射层;在所述抗反射层的表面形成光刻胶层;采用曝光显影工艺,形成具有开口图案的光刻胶层;对具有开口图案的光刻胶层进行等离子体放电处理;以具有开口图案的光刻胶层为掩膜,依次刻蚀抗反射层、硬掩膜层和层间介质层,直到刻蚀到刻蚀停止层为止。根据本发明,能够解决由于光刻胶开口处残余物的存在导致刻蚀后形成的通孔的关键尺寸与设定值不一致的问题。
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