本发明提供一种存储元件、半导体装置。其目的在于减少每个存储元件中的写入工作的不均匀性，其目的还在于提供安装有所述存储元件且写入特性优良的半导体装置。本发明的存储元件包括第一导电层、金属氧化物层、半导体层、有机化合物层、第二导电层，并且金属氧化物层、半导体层、以及有机化合物层被第一导电层和第二导电层夹持，金属氧化物层与第一导电层接触，与金属氧化物层接触地设置半导体层。通过采用这种结构，减少了每个存储元件中的写入动作的不均匀性。