提出了一种用于制造光电子半导体芯片的方法，包括以下步骤：A)构建带有至少一个被掺杂的功能层(7)的半导体层序列(200)，其具有带有至少一种掺杂材料和至少一种共同掺杂材料的连接复合体，其中选自掺杂材料和共同掺杂材料的一个是电子受主，并且另一个是电子施主。B)通过借助引入能量(14，15)断开连接复合体来激活掺杂材料，其中共同掺杂材料至少部分地保留在半导体层序列(200)中并且至少部分地并不与掺杂材料形成连接复合体。此外，提出了一种光电子半导体芯片。