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公开(公告)号：CN107039564A
公开(公告)日：2017-08-11
申请号：CN201710080866.1
申请日：2012-03-07
申请人： 欧司朗光电半导体有限公司
发明人： 马蒂亚斯·扎巴蒂尔 , 安德烈亚斯·普洛斯尔 , 汉斯-于尔根·卢高尔 , 亚历山大·林科夫 , 帕特里克·罗德
CPC分类号： H01L33/08 , H01L33/0075 , H01L33/0079 , H01L33/06 , H01L33/22 , H01L33/26 , H01L33/32 , H01L33/502 , H01L33/504
摘要： 提出一种发射光的半导体器件，其具有：第一半导体本体(1)，所述第一半导体本体包括有源区(11)，在发射光的半导体器件工作时在所述有源区中产生电磁辐射，所述电磁辐射至少部分地穿过辐射出射面(1a)而离开第一半导体本体(1)；以及第二半导体本体(2)，所述第二半导体本体适合于将电磁辐射转换为经转换的具有更小波长的电磁辐射，其中第一半导体本体(1)和第二半导体本体(2)相互分开制成，第二半导体本体(2)是电无源的，并且第二半导体本体(2)与辐射出射面(1a)直接接触，并且在那里无连接剂地固定在第一半导体本体(1)上。
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公开(公告)号：CN103443940B
公开(公告)日：2017-03-08
申请号：CN201280014614.4
申请日：2012-03-07
申请人： 欧司朗光电半导体有限公司
发明人： 马蒂亚斯·扎巴蒂尔 , 安德烈亚斯·普洛斯尔 , 汉斯-于尔根·卢高尔 , 亚历山大·林科夫 , 帕特里克·罗德
IPC分类号： H01L33/50
CPC分类号： H01L33/08 , H01L33/0075 , H01L33/0079 , H01L33/06 , H01L33/22 , H01L33/26 , H01L33/32 , H01L33/502 , H01L33/504
摘要： 提出一种发射光的半导体器件，其具有：第一半导体本体（1），所述第一半导体本体包括有源区（11），在发射光的半导体器件工作时在所述有源区中产生电磁辐射，所述电磁辐射至少部分地穿过辐射出射面（1a）而离开第一半导体本体1）；以及第二半导体本体（2），所述第二半导体本体适合于将电磁辐射转换为经转换的具有更小波长的电磁辐射，其中第一半导体本体（1）和第二半导体本体（2）相互分开制成，第二半导体本体（2）是电无源的，并且第二半导体本体（2）与辐射出射面（1a）直接接触，并且在那里无连接剂地固定在第一半导体本体（1）上。
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公开(公告)号：CN102210031B
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：CN200980144749.0
申请日：2009-10-12
申请人： 欧司朗光电半导体有限公司
发明人： 安德烈亚斯·比贝尔斯多夫 , 文森特·格罗利尔 , 卢茨·赫佩尔 , 汉斯-于尔根·卢高尔 , 马丁·斯特拉斯伯格
CPC分类号： H01L33/0095 , H01L33/16 , H01L33/325 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 提出了一种用于制造光电子半导体芯片的方法，包括以下步骤：A)构建带有至少一个被掺杂的功能层(7)的半导体层序列(200)，其具有带有至少一种掺杂材料和至少一种共同掺杂材料的连接复合体，其中选自掺杂材料和共同掺杂材料的一个是电子受主，并且另一个是电子施主。B)通过借助引入能量(14，15)断开连接复合体来激活掺杂材料，其中共同掺杂材料至少部分地保留在半导体层序列(200)中并且至少部分地并不与掺杂材料形成连接复合体。此外，提出了一种光电子半导体芯片。
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公开(公告)号：CN102210032B
公开(公告)日：2014-07-16
申请号：CN200980144647.9
申请日：2009-10-19
申请人： 欧司朗光电半导体有限公司
发明人： 汉斯-于尔根·卢高尔 , 克劳斯·施特罗伊贝尔 , 马丁·斯特拉斯伯格 , 赖纳·温迪施 , 卡尔·恩格尔
IPC分类号： H01L33/22
摘要： 在用于制造发射辐射的薄膜器件(1)的方法的至少一个实施形式中，该方法具有以下步骤：-提供衬底(2)，-在衬底(2)上生长纳米棒(3)，-在纳米棒(3)上外延生长具有至少一个有源层(5)的半导体层序列(4)，-在半导体层序列(4)上施加支承体(6)，以及-通过至少部分损坏纳米棒(3)将半导体层序列(4)和支承体(6)与衬底(2)分开。通过这种制造方法，可以减少半导体层序列(4)中由通过生长引起的机械应力和裂纹。
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公开(公告)号：CN103843138A
公开(公告)日：2014-06-04
申请号：CN201280048007.X
申请日：2012-09-27
申请人： 欧司朗光电半导体有限公司
发明人： 诺温·文马尔姆 , 汉斯-于尔根·卢高尔
IPC分类号： H01L27/142 , H01L31/0352 , H01L31/0725 , H01L31/0735 , H01L31/0236
CPC分类号： H01L31/035272 , H01L31/02363 , H01L31/035281 , H01L31/046 , H01L31/0465 , H01L31/0725 , H01L31/0735 , Y02E10/544 , Y02P70/521
摘要： 本发明提出一种具有半导体本体（2）的光电半导体芯片（1），所述半导体本体具有带有设为用于产生电能的有源区域（20）的半导体层序列。有源区域（20）构成在第一导电类型的第一半导体层（21）和不同于第一导电类型的第二导电类型的第二半导体层（22）之间。半导体本体（2）设置在载体本体（5）上。第一半导体层（21）设置在第二半导体层（22）的背离载体本体（5）的一侧上。半导体本体（2）具有至少一个凹部（25），所述凹部从载体本体（5）延伸穿过第二半导体层（22）。至少局部地在载体本体（5）和半导体本体（2）之间设置有第一连接结构（31），所述第一连接结构在凹部（25）中与第一半导体层（21）导电地连接。
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公开(公告)号：CN102210031A
公开(公告)日：2011-10-05
申请号：CN200980144749.0
申请日：2009-10-12
申请人： 欧司朗光电半导体有限公司
发明人： 安德烈亚斯·比贝尔斯多夫 , 文森特·格罗利尔 , 卢茨·赫佩尔 , 汉斯-于尔根·卢高尔 , 马丁·斯特拉斯伯格
CPC分类号： H01L33/0095 , H01L33/16 , H01L33/325 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 提出了一种用于制造光电子半导体芯片的方法，包括以下步骤：A)构建带有至少一个被掺杂的功能层(7)的半导体层序列(200)，其具有带有至少一种掺杂材料和至少一种共同掺杂材料的连接复合体，其中选自掺杂材料和共同掺杂材料的一个是电子受主，并且另一个是电子施主。B)通过借助引入能量(14，15)断开连接复合体来激活掺杂材料，其中共同掺杂材料至少部分地保留在半导体层序列(200)中并且至少部分地并不与掺杂材料形成连接复合体。此外，提出了一种光电子半导体芯片。
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公开(公告)号：CN101803045A
公开(公告)日：2010-08-11
申请号：CN200880106226.2
申请日：2008-08-25
申请人： 欧司朗光电半导体有限公司
发明人： 阿德里安·斯特凡·阿夫拉梅斯库 , 汉斯-于尔根·卢高尔 , 马蒂亚斯·彼得 , 斯特凡·米勒
IPC分类号： H01L33/00
摘要： 本发明提出了一种发光结构(7)，其具有：用于注入空穴的p掺杂区域(1)；用于注入电子的n掺杂区域(2)；至少一个第一类的InGaN量子阱(4)和至少一个第二类的InGaN量子阱(5)，它们设置在n掺杂区域(2)和p掺杂区域(1)之间，其中第二类的InGaN量子阱(5)具有比第一类的InGaN量子阱(4)更高的铟含量。
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公开(公告)号：CN103843138B
公开(公告)日：2016-10-26
申请号：CN201280048007.X
申请日：2012-09-27
申请人： 欧司朗光电半导体有限公司
发明人： 诺温·文马尔姆 , 汉斯-于尔根·卢高尔
IPC分类号： H01L27/142 , H01L31/0352 , H01L31/0725 , H01L31/0735 , H01L31/0236
CPC分类号： H01L31/035272 , H01L31/02363 , H01L31/035281 , H01L31/046 , H01L31/0465 , H01L31/0725 , H01L31/0735 , Y02E10/544 , Y02P70/521
摘要： 提出一种具有半导体本体（2）的光电半导体芯片（1），所述半导体本体具有带有设为用于产生电能的有源区域（20）的半导体层序列。有源区域（20）构成在第一导电类型的第一半导体层（21）和不同于第一导电类型的第二导电类型的第二半导体层（22）之间。半导体本体（2）设置在载体本体（5）上。第一半导体层（21）设置在第二半导体层（22）的背离载体本体（5）的一侧上。半导体本体（2）具有至少一个凹部（25），所述凹部从载体本体（5）延伸穿过第二半导体层（22）。至少局部地在载体本体（5）和半导体本体（2）之间设置有第一连接结构（31），所述第一连接结构在凹部（25）中与第一半导体层（21）导电地连接。
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公开(公告)号：CN101803045B
公开(公告)日：2013-09-25
申请号：CN200880106226.2
申请日：2008-08-25
申请人： 欧司朗光电半导体有限公司
发明人： 阿德里安·斯特凡·阿夫拉梅斯库 , 汉斯-于尔根·卢高尔 , 马蒂亚斯·彼得 , 斯特凡·米勒
IPC分类号： H01L33/00
摘要： 本发明提出了一种发光结构(7)，其具有：用于注入空穴的p掺杂区域(1)；用于注入电子的n掺杂区域(2)；至少一个第一类的InGaN量子阱(4)和至少一个第二类的InGaN量子阱(5)，它们设置在n掺杂区域(2)和p掺杂区域(1)之间，其中第二类的InGaN量子阱(5)具有比第一类的InGaN量子阱(4)更高的铟含量。
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公开(公告)号：CN107039564B
公开(公告)日：2019-05-10
申请号：CN201710080866.1
申请日：2012-03-07
申请人： 欧司朗光电半导体有限公司
发明人： 马蒂亚斯·扎巴蒂尔 , 安德烈亚斯·普洛斯尔 , 汉斯-于尔根·卢高尔 , 亚历山大·林科夫 , 帕特里克·罗德
摘要： 提出一种发射光的半导体器件，其具有：第一半导体本体(1)，所述第一半导体本体包括有源区(11)，在发射光的半导体器件工作时在所述有源区中产生电磁辐射，所述电磁辐射至少部分地穿过辐射出射面(1a)而离开第一半导体本体(1)；以及第二半导体本体(2)，所述第二半导体本体适合于将电磁辐射转换为经转换的具有更小波长的电磁辐射，其中第一半导体本体(1)和第二半导体本体(2)相互分开制成，第二半导体本体(2)是电无源的，并且第二半导体本体(2)与辐射出射面(1a)直接接触，并且在那里无连接剂地固定在第一半导体本体(1)上。
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