发明公开
- 专利标题: 电镀工艺中的活化处理
- 专利标题(英): Activation treatments in plating processes
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申请号: CN201010537792.8申请日: 2010-11-04
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公开(公告)号: CN102254842A公开(公告)日: 2011-11-23
- 发明人: 林志伟 , 郑明达 , 何明哲 , 刘重希
- 申请人: 台湾积体电路制造股份有限公司
- 申请人地址: 中国台湾新竹市
- 专利权人: 台湾积体电路制造股份有限公司
- 当前专利权人: 台湾积体电路制造股份有限公司
- 当前专利权人地址: 中国台湾新竹市
- 代理机构: 隆天国际知识产权代理有限公司
- 代理商 姜燕; 陈晨
- 优先权: 12/784,314 2010.05.20 US
- 主分类号: H01L21/60
- IPC分类号: H01L21/60 ; H01L23/00 ; C25D7/12 ; C25D5/54
摘要:
本发明提供一种形成装置的方法,包括进行第一电镀工艺以形成第一金属元件,以及在活化处理溶液中对第一金属元件的表面进行活化处理,其中活化处理溶液包括在去离子(DI)水中的处理剂。在进行活化处理步骤后,进行第二电镀工艺以形成第二金属元件并与第一金属元件的表面接触。本发明通过实施例显示在各层间的界面显著的改善,且观察到空隙显著的减少。再者,界面变得更加平滑。因此,相较于在电镀工艺间通过快速冲洗(QDR)而形成的金属凸块的传统方法中,本发明所得金属凸块的电子迁移(electro-migration,EM)性能提升,因此提升其可靠度。