公开(公告)号：CN109786360B

公开(公告)日：2020-11-13

申请号：CN201810789252.5

申请日：2018-07-18

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 曾士豪 ,  郭宏瑞 ,  何明哲

IPC分类号： H01L23/528 ,  H01L23/31 ,  H01L21/50 ,  H01L21/56

摘要： 在实施例中，器件包括：集成电路管芯；与集成电路管芯相邻的通孔；密封集成电路管芯和通孔的模塑料；以及再分布结构，包括：穿过第一介电层延伸的第一导电通孔，第一导电通孔电连接至集成电路管芯，第一介电层位于集成电路管芯、通孔和模塑料上方；以及位于第一介电层和第一导电通孔上方的第一导线，第一导电通孔延伸至第一导线内。本发明的实施例还涉及半导体封装件和方法。

公开(公告)号：CN105632953A

公开(公告)日：2016-06-01

申请号：CN201610083738.8

申请日：2010-08-24

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 徐君蕾 ,  何明哲 ,  郑明达 ,  刘重希

IPC分类号： H01L21/60 ,  H01L23/488

CPC分类号： H01L24/11 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/03424 ,  H01L2224/03464 ,  H01L2224/0347 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05559 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/1145 ,  H01L2224/11452 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/1148 ,  H01L2224/1161 ,  H01L2224/11616 ,  H01L2224/11831 ,  H01L2224/13005 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/1308 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13109 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13124 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13164 ,  H01L2224/13169 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01025 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01038 ,  H01L2924/0104 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/206 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/05099 ,  H01L2224/13599 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/29599 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05552

摘要： 本发明揭示一种半导体装置及其制造方法。该制造方法包括：提供具有一金属垫区的一半导体基底；在该半导体基底上形成一封盖(encapsulating)层，其中该封盖层具有一开口露出该金属垫区的一部分；在该封盖层的该开口内露出的该金属垫区的该部分上形成一凸块下金属层(under-bump metallurgy,UBM)；在该凸块下金属层上形成一凸块(bump)层，以填入该封盖层的该开口且延伸至该封盖层的一上表面；自该封盖层的该上表面去除该凸块层；去除该封盖层的该上表面，直至该凸块层的一顶部突出于该封盖层；以及进行一缓冲工艺，以轻微研磨该半导体基底，使该封盖层的厚度达到最终目标厚度。本发明可避免UBM底切问题。

公开(公告)号：CN102263042B

公开(公告)日：2014-12-31

申请号：CN201010194540.X

申请日：2010-05-28

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 刘乃硕 ,  何明哲 ,  郑明达 ,  刘重希

IPC分类号： H01L21/60 ,  B23K3/00

CPC分类号： H01L2224/11 ,  H01L2924/00012

摘要： 本发明揭示晶片级回焊设备及焊料球体与倒装芯片组装体的制造方法。所述晶片级回焊设备包括多个受热区及一传输带将一晶片传送至各受热区。各受热区包括一加热盘具有同心圆配置的多个加热体，一红外线温测装置，及一控制器分别控制各加热体的输出，其中该红外线温测装置监测该晶片表面的多个区域的温度，并即时回馈此温度至该控制器使晶片的表面的焊料凸块受热温度均匀。本发明可有效地改善具有晶片和不具有晶片状态下的介金属化合物结构以及不具有晶片状态下的焊料凸块的高度均匀性。另外，由于需重新回焊的比率很低，因此晶片整体的高度差。另外，因形成焊料凸块桥接与不规则的凸块较少，因而可提升焊料凸块块良率。

公开(公告)号：CN103199027A

公开(公告)日：2013-07-10

申请号：CN201210102112.9

申请日：2012-04-09

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 吴逸文 ,  林正怡 ,  何明哲 ,  刘重希

IPC分类号： H01L21/60 ,  H01L23/488

CPC分类号： H01L23/485 ,  H01L21/768 ,  H01L23/3192 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05008 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05027 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05164 ,  H01L2224/05541 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05583 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/13017 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13023 ,  H01L2224/13027 ,  H01L2224/131 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/207 ,  H01L2924/014

摘要： 一种方法包括在金属焊盘上方形成聚合物层；在聚合物层中形成开口从而暴露出金属焊盘的一部分；以及形成凸块下金属化层(UBM)。该UBM包含延伸至开口内的电连接至金属焊盘的部分。本发明提供了用于集成电路的UBM的形成。

公开(公告)号：CN101635251B

公开(公告)日：2013-01-23

申请号：CN200910000422.8

申请日：2009-01-08

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 詹政勋 ,  何明哲

IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L21/302 ,  H01L21/306

CPC分类号： H01L21/67046 ,  H01L21/67051 ,  Y10T29/49002

摘要： 一种制造晶片上集成电路的设备，包括抛光垫；位于所述抛光垫上方的可移动冲洗臂；以及后抛光清洗器。所述后抛光清洗器包括用于刷动所述晶片的刷子；以及对准所述晶片的喷嘴。所述设备还包括用来混合添加物与去离子水的混合器；以及将所述混合器连接到所述冲洗臂和所述喷嘴至少一个的管道。

公开(公告)号：CN102347284A

公开(公告)日：2012-02-08

申请号：CN201110037676.4

申请日：2011-02-10

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 郑明达 ,  何明哲 ,  刘重希 ,  黄见翎 ,  林正忠 ,  蔡惠榕 ,  林正怡

IPC分类号： H01L23/00 ,  H01L21/60 ,  H01L23/488

CPC分类号： H01L24/11 ,  H01L21/4853 ,  H01L23/49816 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L24/93 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/0346 ,  H01L2224/0347 ,  H01L2224/0361 ,  H01L2224/03912 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05139 ,  H01L2224/05144 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05181 ,  H01L2224/05187 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/11416 ,  H01L2224/11422 ,  H01L2224/11424 ,  H01L2224/1146 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/11464 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/118 ,  H01L2224/1181 ,  H01L2224/1182 ,  H01L2224/11822 ,  H01L2224/11827 ,  H01L2224/11848 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/119 ,  H01L2224/13005 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13164 ,  H01L2224/132 ,  H01L2224/13211 ,  H01L2224/13339 ,  H01L2224/13562 ,  H01L2224/13584 ,  H01L2224/13611 ,  H01L2224/13644 ,  H01L2224/13647 ,  H01L2224/13655 ,  H01L2224/13657 ,  H01L2224/13664 ,  H01L2224/1379 ,  H01L2224/13794 ,  H01L2224/13809 ,  H01L2224/13813 ,  H01L2224/13817 ,  H01L2224/13818 ,  H01L2224/1382 ,  H01L2224/13849 ,  H01L2224/13855 ,  H01L2224/13857 ,  H01L2224/1386 ,  H01L2224/13866 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/93 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01025 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01058 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01039 ,  H01L2224/11 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明一实施例提供一种半导体元件及其形成方法，其中半导体元件的形成方法包括：提供一基底；于该基底上形成一焊料凸块；将一少量元素导入至一区域中，该区域邻接该焊料凸块的一顶表面；以及对该焊料凸块进行一回焊工艺以驱使该少量元素进入该焊料凸块之中。采用本发明的实施例，在公知技术中不适合加进金属凸块中的许多类型的少量元素现可被添加。因此，金属凸块的性质可获显著的提升。

公开(公告)号：CN102315188A

公开(公告)日：2012-01-11

申请号：CN201010597704.3

申请日：2010-12-15

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 吕文雄 ,  郑明达 ,  林志伟 ,  何明哲 ,  刘重希

IPC分类号： H01L23/488 ,  H01L23/48 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L24/13 ,  H01L21/563 ,  H01L23/3192 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/16 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/0361 ,  H01L2224/03912 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05073 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/1132 ,  H01L2224/11424 ,  H01L2224/1145 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/13076 ,  H01L2224/1308 ,  H01L2224/13083 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13582 ,  H01L2224/136 ,  H01L2224/13647 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10271 ,  H01L2924/10272 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/10335 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2224/13655 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05552

摘要： 本发明一实施例公开了一种半导体管芯与导电柱的形成方法，该半导体管芯包含导电柱位于半导体管芯上。首先提供基板。接合垫位于基板上，且导电柱位于接合垫上。导电柱具有上表面、边缘侧壁、与高度。盖层位于导电柱的上表面上，并沿着导电柱的边缘侧壁延伸一段长度。焊料位于盖层的上表面上。本发明提供的方法可以改良铜柱的结构与形成方法以应用于半导体晶片，使其具有强大的电性效能。

公开(公告)号：CN102176409A

公开(公告)日：2011-09-07

申请号：CN201110094561.9

申请日：2009-06-23

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 萧义理 ,  余振华 ,  汪青蓉 ,  何明哲 ,  黄见翎 ,  洪瑞斌

IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L21/683 ,  H01L21/673

CPC分类号： H01L21/67772 ,  H01L21/67017 ,  Y10S414/135

摘要： 一种半导体制造、处理及界面系统、容器、承载器及吸附装置。在一界面系统的实施例中，一封装室以及至少一闸门覆盖该封装室的开口。一机械系统置于该封装室中，包含至少一支架用以支撑及传送至少一基板。至少一第一管路耦接该封装室，注入气体于该封装室中。一环境控制槽以及空气循环系统耦接着该封装室。本发明可以使晶片不再暴露于不良环境之中，从而提高了晶片的制造效率及产品质量。

公开(公告)号：CN102074486A

公开(公告)日：2011-05-25

申请号：CN201010516275.2

申请日：2010-10-19

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 刘重希 ,  林正忠 ,  何明哲 ,  林国诚 ,  周孟纬

IPC分类号： H01L21/60 ,  H01L23/00 ,  H01L21/02

CPC分类号： H01L24/05 ,  H01L21/0206 ,  H01L21/02068 ,  H01L24/03 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/0346 ,  H01L2224/0347 ,  H01L2224/0361 ,  H01L2224/0381 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05027 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05139 ,  H01L2224/05144 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/1146 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/13083 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13113 ,  H01L2224/13116 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/81022 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01018 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/11 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/13599 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/05099 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/29599 ,  H01L2224/05552

摘要： 本发明提供集成电路结构的形成方法，包含在晶片上形成含铜晶种层，以及在含铜晶种层暴露出来的表面上进行表面残留物去除步骤，表面残留物去除步骤使用含有氟与氧的工艺气体进行，然后在含铜晶种层暴露出来的表面上使用含氮气体进行还原吹净步骤，之后在含铜晶种层上电镀含铜层。本发明可以明显地改善形成凸块下金属层的工艺强健性。

公开(公告)号：CN112242381B

公开(公告)日：2024-08-27

申请号：CN202010690879.2

申请日：2020-07-17

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 余振华 ,  黄子芸 ,  何明哲 ,  郭宏瑞

IPC分类号： H01L23/538 ,  H01L23/31 ,  H01L21/56 ,  H01L21/768

摘要： 在实施例中，集成电路器件包括：集成电路管芯；至少部分地围绕集成电路管芯的密封剂；以及再分布结构，再分布结构包括：位于密封剂和集成电路管芯上方的多个介电层；以及位于介电层中的多个金属化图案，该金属化图案电连接至集成电路管芯；以及位于介电层中的密封环，该密封环围绕金属化图案延伸，该密封环与金属化图案和集成电路管芯电隔离，该密封环包括多个密封环层，每个密封环层包括延伸穿过相应的一个介电层的通孔部分，每个密封环层的通孔部分沿着同一共用轴线对准。本发明的实施例还涉及形成集成电路器件的方法。