Invention Grant
CN102257181B 具有氟气发生装置的半导体制造设备
失效 - 权利终止
- Patent Title: 具有氟气发生装置的半导体制造设备
- Patent Title (English): Semiconductor production equipment including fluorine gas generator
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Application No.: CN201080003667.7Application Date: 2010-01-15
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Publication No.: CN102257181BPublication Date: 2014-01-08
- Inventor: 毛利勇 , 八尾章史 , 田仲健二 , 宫崎达夫
- Applicant: 中央硝子株式会社
- Applicant Address: 日本山口县
- Assignee: 中央硝子株式会社
- Current Assignee: 中央硝子株式会社
- Current Assignee Address: 日本山口县
- Agency: 北京林达刘知识产权代理事务所
- Agent 刘新宇; 张会华
- Priority: 2009-019091 2009.01.30 JP; 2009-153164 2009.06.29 JP; 2010-004268 2010.01.12 JP
- International Application: PCT/JP2010/050389 2010.01.15
- International Announcement: WO2010/087236 JA 2010.08.05
- Date entered country: 2011-06-20
- Main IPC: C25B1/24
- IPC: C25B1/24 ; B01D53/68 ; B01D53/77 ; C25B9/00 ; C25B15/08 ; F23G7/06 ; H01M8/00 ; H01M8/06
Abstract:
本发明提供一种具有氟气发生装置的半导体制造设备，其包括氟气发生装置、以及使含有氟系气体的废气燃烧的除害装置。上述氟气发生装置通过在含有氟化氢的熔融盐的电解浴中电解氟化氢，在阳极侧产生主成分为氟气的主生成气体，并且在阴极侧产生主成分为氢气的副生成气体。上述半导体制造设备还包括将从氟气发生装置产生的副生成气体向上述除害装置引导的导出路径，上述除害装置具有将送至除害装置的副生成气体用作燃烧剂的机构。
Public/Granted literature
- CN102257181A 具有氟气发生装置的半导体制造设备 Public/Granted day:2011-11-23
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