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公开(公告)号：CN115461843A
公开(公告)日：2022-12-09
申请号：CN202180031263.7
申请日：2021-04-27
Applicant: 中央硝子株式会社
IPC: H01L21/302 , C07C211/04 , C07C211/08
Abstract: 提供一种以固定组成稳定供给包含单甲胺或二甲胺作为微量杂质的三甲胺的方法。本发明为一种组合物的供给方法，其特征在于，将封入有组合物的保存容器在10℃以上的固定温度下进行保温，然后将上述组合物的气体供给至规定装置，上述组合物的气相中包含：三甲胺；二甲基乙基胺；以及、二甲胺和单甲胺中的至少1种。
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公开(公告)号：CN108028307A
公开(公告)日：2018-05-11
申请号：CN201680056060.2
申请日：2016-09-26
Applicant: 中央硝子株式会社 , 东北泰克诺亚奇股份有限公司
CPC classification number: H01L35/26 , B81C1/00031 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B33/02 , C01B33/039 , H01L21/0332 , H01L21/31144 , H01L29/06 , H01L29/0669 , H01L35/14 , H01L35/32 , H01L35/34
Abstract: 本发明使用硅系材料，得到能发挥良好的热电转换性能的热电转换材料。使用下述热电转换材料，其特征在于，直径20nm以下的柱状或球状的纳米点(1)以面密度为5×1010个/cm2以上、所述纳米点间的间隔为0.5nm以上且30.0nm以下的方式嵌入于嵌入层(3)，构成纳米点(1)的第1材料为包含30原子％以上的硅的材料，相对于构成嵌入层(3)的第2材料，第1材料的价带与第2材料的价带的能量之差、及第1材料的导带与第2材料的导带的能量之差中的任一个或两个处于0.1eV以上且0.3eV以下的范围。
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公开(公告)号：CN102884348B
公开(公告)日：2014-03-19
申请号：CN201180021294.0
申请日：2011-03-08
CPC classification number: F16K1/302 , F16J3/02 , F16K7/126 , F16K7/14 , F16K7/16 , F16K25/00 , F17C2205/0329 , F17C2205/0385 , F17C2205/0394 , F17C2223/0123 , F17C2260/036 , F17C2270/0518
Abstract: 本发明提供一种卤素气体或卤素化合物气体的填充容器用阀。根据本发明，直接接触型隔膜阀包括：阀主体，其设有入口通路和出口通路；阀室，其用于与阀主体的入口通路和出口通路相连通；阀座部，其设于入口通路的内端开口部；膜片，其设于阀座部的上方，用于保持阀室内的气密状态，并且用于开闭入口通路及出口通路；阀杆，其用于使膜片的中央部向下方下降；驱动部，其用于使阀杆沿上下方向移动，该直接接触型隔膜阀的特征在于，在阀座部与膜片相接触的接触面中，阀座部的接触面的表面粗糙度Ra的值为0.1μm～10.0μm，阀座部的接触面的曲率半径R为100mm～1000mm，膜片与阀座部相接触的接触面积Sb同膜片的气体接触部表面积Sa的面积比率Sb/Sa为0.2％～10％。本发明的阀具有充分的气密性，可以较佳地用作卤素气体或卤素化合物气体用的填充容器用阀。
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公开(公告)号：CN102257181B
公开(公告)日：2014-01-08
申请号：CN201080003667.7
申请日：2010-01-15
Applicant: 中央硝子株式会社
CPC classification number: H01M8/0656 , B01D53/68 , B01D53/77 , B01D2251/306 , B01D2251/604 , B01D2257/2047 , B01D2258/0216 , C25B1/02 , C25B1/245 , F23G7/065 , Y02E20/12 , Y02P70/56
Abstract: 本发明提供一种具有氟气发生装置的半导体制造设备，其包括氟气发生装置、以及使含有氟系气体的废气燃烧的除害装置。上述氟气发生装置通过在含有氟化氢的熔融盐的电解浴中电解氟化氢，在阳极侧产生主成分为氟气的主生成气体，并且在阴极侧产生主成分为氢气的副生成气体。上述半导体制造设备还包括将从氟气发生装置产生的副生成气体向上述除害装置引导的导出路径，上述除害装置具有将送至除害装置的副生成气体用作燃烧剂的机构。
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公开(公告)号：CN102859040A
公开(公告)日：2013-01-02
申请号：CN201180019369.1
申请日：2011-04-04
Applicant: 中央硝子株式会社
Abstract: 本发明涉及一种氟气生成装置，其具备：与电解槽的第1气室连接、用于将氟气供给到外部装置的第1主通路；将氟气从第1气室导出并输送的第1输送设备；检测第1输送设备的上游侧的压力的第1压力检测器；用于将从第1输送设备排出的氟气返回到第1输送设备的吸入侧的第1压力调节阀；控制第1压力调节阀的开度，使得第1压力检测器的检测压力达到第1设定值的控制装置；设置在压力检测器的上游侧的起动阀；和检测阀门关闭状态下的起动阀的前后压差的压差检测器，其中在氟气生成装置起动时，控制装置改变设定值，使得起动阀的前后压差处于设定范围内，在前后压差处于设定范围内时，打开起动阀。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102369311A
公开(公告)日：2012-03-07
申请号：CN201080014702.5
申请日：2010-03-04
Applicant: 中央硝子株式会社
Abstract: 本发明提供一种氟气生成装置，其包括用于除去自熔融盐气化而混入到在阳极(7)处生成的主生成气体的氟化氢气体的精制装置，精制装置是并列配置至少两台以上的，其包括供包含氟化氢气体的主生成气体流入的气体流入部和用于冷却流入部的冷却装置，该冷却装置使混入到主生成气体的氟化氢气体凝固并且使氟气通过气体流入部，控制装置基于用于检测在气体流入部处的氟化氢的累积状态的累积状态检测器的检测结果进行精制装置的运转切换，以向待机状态的精制装置引导氟气，通过从由于运转切换而停止的精制装置的气体流入部排出氟化氢并向气体流入部供给氟气，从而使停止中的精制装置处于待机状态。
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公开(公告)号：CN102257181A
公开(公告)日：2011-11-23
申请号：CN201080003667.7
申请日：2010-01-15
Applicant: 中央硝子株式会社
CPC classification number: H01M8/0656 , B01D53/68 , B01D53/77 , B01D2251/306 , B01D2251/604 , B01D2257/2047 , B01D2258/0216 , C25B1/02 , C25B1/245 , F23G7/065 , Y02E20/12 , Y02P70/56
Abstract: 本发明提供一种具有氟气发生装置的半导体制造设备，其包括氟气发生装置、以及使含有氟系气体的废气燃烧的除害装置。上述氟气发生装置通过在含有氟化氢的熔融盐的电解浴中电解氟化氢，在阳极侧产生主成分为氟气的主生成气体，并且在阴极侧产生主成分为氢气的副生成气体。上述半导体制造设备还包括将从氟气发生装置产生的副生成气体向上述除害装置引导的导出路径，上述除害装置具有将送至除害装置的副生成气体用作燃烧剂的机构。
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公开(公告)号：CN110036460B
公开(公告)日：2022-10-18
申请号：CN201780073050.4
申请日：2017-10-23
Applicant: 中央硝子株式会社
IPC: H01L21/3065
Abstract: 本发明公开一种干式蚀刻剂组合物、及使用其的发明，该干式蚀刻剂组合物含有1,3,3,3‑四氟丙烯、与CHxClyFz(x、y、z为1以上的整数，且x+y+z＝4)所表示的氢氯氟烃，且相对于1,3,3,3‑四氟丙烯的上述氢氯氟烃的浓度为3体积ppm以上且不足10000体积ppm。本发明的目的在于：于半导体制造工艺中，在无损HFO‑1234ze的良好的蚀刻特性的情况下提高HFO‑1234ze的保存稳定性，抑制酸性物质的产生，而防止保存容器或配管、蚀刻腔室的腐蚀。
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公开(公告)号：CN113498547A
公开(公告)日：2021-10-12
申请号：CN202080018047.4
申请日：2020-02-19
Applicant: 中央硝子株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/3213 , H01L21/768 , C23F1/12 , C23F4/00 , H01L21/28 , H01L21/302
Abstract: 本发明的干蚀刻方法的特征在于，其是使包含β‑二酮的蚀刻气体与形成于被处理体的表面的金属膜接触而蚀刻所述金属膜的干蚀刻方法，所述方法包括：使包含第1β‑二酮的第1蚀刻气体与上述金属膜接触的第1蚀刻工序；及在上述第1蚀刻工序之后，使包含第2β‑二酮的第2蚀刻气体与上述金属膜接触的第2蚀刻工序，上述第1β‑二酮是能够通过与上述金属膜的反应而生成第1络合物的化合物，上述第2β‑二酮是能够通过与上述金属膜的反应而生成升华点比上述第1络合物低的第2络合物的化合物。
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